一种增强反常霍尔效应的方法技术

本发明专利技术提供一种增强反常霍尔效应的方法，可以通过调控电压来控制正常霍尔效应和反常霍尔效应的强弱。所述方法是按照下述方式进行的：步骤(1)，用脉冲激光沉积法在基片上制备电极；步骤(2)，在电极层上制备铁电薄膜；步骤(3)，在铁电薄膜上面，镀上两个十字形的Pt薄膜；步骤(4)，将Ag焊到Pt的6个端点或者银浆点到Pt的端点上；步骤(5)，测量霍尔效应。本发明专利技术将Pt沉积在绝缘的磁性材料上，便可以对其导电性和磁性进行测量和表征，直接通过外电场可以调控正常霍尔效应和反常霍尔效应的强弱。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及霍尔效应研究领域，具体涉及一种反常霍尔效应研究方法。
技术介绍
霍尔效应(Hall Effect)于1879年被E.H.霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系，这种效应和传统的感应效果完全不同。当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的作用力，从而在导体的两端产生电压差。虽然这个效应多年前就已经被大家知道并理解，但基于霍尔效应的传感器在材料工艺获得重大进展前并不实用，直到出现了高强度的恒定磁体和工作于小电压输出的信号调节电路。根据设计和配置的不同，霍尔效应传感器可以作为开/关传感器或者线性传感器。然而，在铁磁材料中，霍尔电阻率Ph还包含其它部分的贡献，这主要来源于铁磁材料的自发磁化强度，可以用公式表示为:Ph=RoB+43tRsM (I)式(I)中，Ro为正常霍尔系数，而匕为反常霍尔系数。在过去几年里，反常霍尔效应(AHE = 4jtRsM)主要用于研究和分析稀磁半导体(DSM)中的磁性机制和在自旋电子学方面具有潜在应用的材料。从公式(I)可以看到，反常霍尔效应部分正比于磁化强度M。然而，最近的一些实验表明，霍本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增强反常霍尔效应的方法，其特征在于是按照下述方式进行的：步骤(1)，用脉冲激光沉积法在基片上制备电极，首先将(001)取向的基片分别在丙酮、酒精中用超声波进行清洗，晾干；用砂纸将基片台进行打磨，并清洗干净，将晾干的基片用导热银胶粘在基片台上；晾干后放入腔体中加热台上，开始抽真空至10‑4Pa，加热基片台650～750℃，用挡板将基片挡住，进行预溅射以去掉靶材表面的污物，预溅射过程中，羽辉末端与基片台相切；转动基片台及靶材，并使激光在X、Y方向来回扫描；待温度、气压稳定之后，移开挡板，进行沉积，制备电极层；步骤(2)，在电极层上制备铁电薄膜，在步骤1的基础上，将温度设置到600～700℃，把...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩芍娜，邢玮玮，黄海松，赵艳伟，赵娜，
申请(专利权)人：河南理工大学万方科技学院，
类型：发明
国别省市：河南;41