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本发明公开了一种霍尔元件的制备方法，该方法包括如下步骤：在铜箔基底上旋涂一层光刻胶再覆盖掩膜版曝光显影，对基底进行刻蚀；将铜箔基底放入化学气相沉积反应室，通入甲烷和氢气形成石墨烯；石墨烯通过鼓泡法转移至Si衬底上形成有源区；在Si衬底和石墨...
该专利属于苏州矩阵光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州矩阵光电有限公司授权不得商用。

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