本实用新型所述的一种芯片互联结构，结合热压键合技术并且充分利用了铜的金属特性来实现对两个芯片或者多个芯片的互联，金属结构的设置使得两个芯片不仅可以实现光学连接，亦可以实现电学连接。芯片之间的键合比较牢固，强度高；并且整个互联工艺相对简单...

本实用新型提供一种新型GaN基LED结构，包括高温掺杂Mg的p型GaN层，和掺杂Si的n型GaN层，所述掺杂Si的n型GaN层在所述高温掺杂Mg的p型GaN层之上，还包括高掺杂Mg的p+-GaN层，和高掺杂Si的n+型GaN层，高温生长...

一种铌酸锂光调制器，使用非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构，利用非晶硅的高折射率可以有效减小波导尺寸，从而减小金属电极之间的间距，进而使得所需调制电压低。优选使用氢化非晶硅制作波导芯片，其Si：H链的存在能够减小光学损耗。可以通过调节氢化...

本实用新型所述的自适应磁场调整型磁控溅射镀膜设备，相邻所述永磁铁之间设置有通电线圈，在所述通电线圈和所述磁轭之间设置有霍尔传感器，所述通电线圈的长度方向与所述永磁铁磁极方向垂直；所述霍尔传感器外接磁场强度侦测系统，用于磁场强度的实时监测...

本发明提供一种新型GaN基LED结构及制备方法，属于半导体光电子器件的制备领域。本发明区别现有技术的核心是：通过在p+-GaN层和n+-GaN层上高温生长掺杂Mg的p-型GaN外延层。其中n+-GaN层中的Si原子可以有效地抑制GaN外...

本发明涉及一种低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：（1）对硅基半导体进行清洗，之后在其表面镀钯；（2）对化合物半导体进行清洗，之后与步骤（1）中所述镀钯的硅基半导体相对，保持钯层位于两种半导体之间作为中间介质键...

本发明所述的自适应磁场调整型磁控溅射镀膜设备，相邻所述永磁铁之间设置有通电线圈，在所述通电线圈和所述磁轭之间设置有霍尔传感器，所述通电线圈的长度方向与所述永磁铁磁极方向垂直；所述霍尔传感器外接磁场强度侦测系统，用于磁场强度的实时监测；所...

本发明所述的LED外延结构，N型GaN层采用周期性的梯度掺杂结构，交替设置的掺杂Si的GaN和不掺杂的GaN层可以在不掺杂的GaN层聚集电子，形成高密度的二维电子气，从而有效增加载流子浓度和迁移率；更重要的是，设置在多量子阱层上的U型的...

本实用新型公开了一种太阳能集热及储能的农业大棚，包括保温后墙、太阳能集热阵列、支架、储热保温容器、流量流速控制单元，所述太阳能集热阵列由太阳能真空集热管并联后组成的太阳能集热单元串联组成。本实用新型太阳能集热及储能的农业大棚，能够将白天...