The utility model relates to the semiconductor technical field, and provides a semiconductor laser, which comprises a substrate, a detection module and a luminous module formed on the substrate in parallel, and an active layer projected on the detection module in the luminous module falling into the absorption layer of the detection module. The alignment difficulty between the detection module and the luminous module can be reduced by setting the detection module and the luminous module side by side, and the semiconductor laser can be used in a wide range with its own power detection function; moreover, the projection of the active layer in the luminous module on the detection module falls into the range of the absorption layer in the detection module. The light emitted from the luminous component enters the detection component along the arrangement direction of the detection component and the luminous component for detection, that is, the light emitted from the luminous component is incident into the absorption layer of the detection component from the side of the light emitted from the luminous component, thus extending the path of the light in the detection component, and thereby improving the detection accuracy of the detection component.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器
本技术涉及半导体
,具体涉及一种半导体激光器。
技术介绍
半导体激光器(LaserDiode,简称为LD),具有芯片尺寸小,电光转换效率高的优点,在固体激光泵浦、激光加工、激光医疗以及激光雷达等领域应用极其广泛。其中,半导体激光器的额定功率大小是激光工艺参数的重要指标,只有合适的激光功率才能保证激光器和光路系统长时间的稳定工作,同时也是实现激光器最佳加工质量的决定因素。因此,现有技术中为了能够实时检测激光器的功率,在激光器的非出光端面装入一个探测器,用来测量激光器的漏光功率;然后,根据经验参数,推测出激光器实际的出光功率。具体地,将单独制备好的激光器和探测器,混合集成到一个系统内,从激光器的有源层中发出的光线,被探测器的吸收层吸收,然后探测器根据吸收的光线,进行漏光功率的检测。然而,上述技术方案中,探测器和激光器是单独加工的,为了提高漏光功率检测的准确性,需要激光器的有源层与探测器的吸收区精确对位,存在较大困难。另一方面,目前所用探测器,一般为面入射探测器,其入射光方向垂直于衬底,而边发射的激光器,其出光方向与衬底面平行,因此,难以将探测器和激光器放置于同一平面上。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于克服现有技术中半导体激光器的出光功率检测精度低的缺陷。鉴于此,本技术提供一种半导体激光器,包括:衬底;并列形成在所述衬底上的检测组件和发光组件;所述发光组件中的有源层在所述检测组件上的投影,落入所述检测组件中的吸收层的范围内。可选地,所述发光组件在靠近所述检测组件的一侧设置有第一功能层,在远离所述检测组件的一侧设置有第二功能层。可选地,所 ...
【技术保护点】
1.一种半导体激光器,其特征在于,包括:衬底;并列形成在所述衬底上的检测组件和发光组件;所述发光组件中的有源层在所述检测组件上的投影,落入所述检测组件中的吸收层的范围内。
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器,其特征在于,包括:衬底;并列形成在所述衬底上的检测组件和发光组件;所述发光组件中的有源层在所述检测组件上的投影,落入所述检测组件中的吸收层的范围内。2.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述发光组件在靠近所述检测组件的一侧设置有第一功能层,在远离所述检测组件的一侧设置有第二功能层。3.根据权利要求2所述的半导体激光器,其特征在于,所述有源层在所述第一功能层上的投影,落入所述第一功能层的范围内;和/或,所述有源层在所述第二功能层上的投影,落入所述第二功能层的范围内。4.根据权利要求2所述的半导体激光器,其特征在于,所述第一功能层为反射层,所述第二功能层为增透层。5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡双元,颜建,
申请(专利权)人:苏州矩阵光电有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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