The invention discloses a Hall element and a preparation method thereof, in which the Hall element comprises a magnetic substrate, a graphene functional layer, an electrode and a magnetic core, in which the graphene functional layer is deposited on the top of the magnetic substrate, the electrode is located in the electrode area above the graphene functional layer, and the work of the magnetic core is located on the top of the graphene functional layer. Energy area. Graphene materials are directly prepared on magnetic substrates to simplify the process and improve the performance and yield of graphene Hall elements. Graphene Hall elements are magnetized by two layers of magnetic materials to further enhance the sensitivity, because the thickness of graphene materials is very thin, and only one layer is used in the whole process. The adhesive layer, the two layers of magnetic materials have small spacing, and the effect of magnetic agglomeration is more than doubled.
【技术实现步骤摘要】
一种霍尔元件及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种霍尔元件及其制备方法。
技术介绍
目前市面上的高灵敏度霍尔元件，一般采用InSb材料，因其具有很高的迁移率(最高可达78000cm2/Vs)。在霍尔元件薄膜的上下两侧加装磁性材料作为聚磁装置，进一步提升霍尔元件的灵敏度。考虑到晶格失配的影响，在目前的高灵敏度InSb霍尔元件的制造工艺中，InSb薄膜只能采用蒸发的方式，制备于云母片上，然后再将InSb薄膜，从云母片上转移至磁性基板上。在整个制造过程中，由蒸发方式制备得到的InSb薄膜致密性较差，孔隙、裂纹等缺陷较多，质量不太高。而且在转移过程中，InSb薄膜非常容易受损，从而降低良率，影响器件灵敏度。另外，InSb薄膜一般厚度为1μm，加上转移至磁性基板上所需要的胶黏剂层厚度，以及第二块磁性材料与霍尔元件粘附所用胶黏剂层厚度，两块磁性材料之间有10-20μm的间隔，这会使两块磁性材料的聚磁作用减弱。另外，由于InSb霍尔元件的温度稳定性非常差，其灵敏度受温度影响非常显著。石墨烯作为一种新型的二维材料，具有制备霍尔元件的优势：首先，石墨烯材料具有极高...
【技术保护点】
1.一种霍尔元件，其特征在于，包括：磁性基板(1)；石墨烯功能层(2)，沉积在所述磁性基板(1)的上方；电极(3)，设置在所述石墨烯功能层(2)上方的电极区域；磁芯(4)，设置在所述石墨烯功能层(2)上方的功能区域。
【技术特征摘要】
1.一种霍尔元件，其特征在于，包括：磁性基板(1)；石墨烯功能层(2)，沉积在所述磁性基板(1)的上方；电极(3)，设置在所述石墨烯功能层(2)上方的电极区域；磁芯(4)，设置在所述石墨烯功能层(2)上方的功能区域。2.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，还包括设置在所述磁性基板(1)与所述石墨烯功能层(2)之间的绝缘层(5)。3.根据权利要求1所述的霍尔元件，所述磁性基板(1)的材料为：MnZn合金或NiZn合金。4.一种霍尔元件制备方法，其特征在于，包括：选取磁性基板；在所述磁性基板上方形成石墨烯层；对所述石墨烯层进行图案化，形成台面图形；在所述台面图形的电极区域上形成电极；在所述台面图形的功能区域上安装磁芯。5.根据权利要求4所述的制备方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡双元，朱忻，
申请(专利权)人：苏州矩阵光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。