一种半导体激光器制造技术

技术编号:17814844 阅读:39 留言:0更新日期:2018-04-28 06:43
本发明专利技术公开了一种半导体激光器,包括半导体制冷器以及金属层;其中,金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间,半导体制冷器与半导体激光器通过金属层整体封装于一颗芯片中。在封装半导体激光器的过程中,把半导体制冷器一并封装一体,半导体激光器产生的热量通过金属层传递到半导体制冷器向外界吸热的冷端,相较于现有技术中单独为半导体激光器配备半导体制冷器,最终使封装的半导体激光器体积减小,提高激光器的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器
本专利技术涉及半导体封装
,具体涉及一种半导体激光器。
技术介绍
半导体激光器又称为激光二极管(LaserDiode,简称为LD),是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发射的一类激光器,被誉为二十世纪人类最伟大的专利技术之一。由于半导体激光器的体积小、结构简单、输入能量低、寿命较长、易于调制及价格低廉等众多优点,使得它目前在众多领域中得到非常广泛地应用,它作为一种很有潜力的光源,已受到各国的高度重视。半导体激光器从最初的低温(77K)下运转发展到可在室温下连续工作,由小功率型向高功率型转变,输出功率由几毫瓦提高到几千瓦级(阵列器件)。半导体激光器以激光条为最小单位,其输出功率大,工作电流大,损耗热大,一直是制约和影响着激光器向小型化,低功耗,高性能方向发展的瓶颈问题。对于传统的单模激光器而言,尤其是大功率的,其正常工作需要配备单独的制冷器来为激光器降温散热。而散热器目前最常用的有三类:循环冷却水降温,风冷降温和半导体制冷器降温。其中采用半导体制冷器降温时,是在封装完成的激光器上再封装半导体制冷器,达到降温的目的。采用这种方式制成的激光器体积巨大,在很多场合都本文档来自技高网...
一种半导体激光器

【技术保护点】
一种半导体激光器,其特征在于,包括:半导体制冷器(1)以及金属层(2);其中,所述金属层(2)设置在所述半导体制冷器(1)与所述半导体激光器(3)之间,所述半导体制冷器(1)与所述半导体激光器(3)通过所述金属层(2)整体封装于一颗芯片中。

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器,其特征在于,包括:半导体制冷器(1)以及金属层(2);其中,所述金属层(2)设置在所述半导体制冷器(1)与所述半导体激光器(3)之间,所述半导体制冷器(1)与所述半导体激光器(3)通过所述金属层(2)整体封装于一颗芯片中。2.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,包括:所述半导体激光器(3)堆叠在所述半导体制冷器(1)上方的所述金属层(2)上。3.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器(3)的电极通过所述金属层(2)引出,连接至电源。4.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述半导体制冷器(1)包括:硅衬底(11)、金属电极(12)、半导体热电材料(13)、P-N结构(14);其中,所述金属电极(12)蒸镀于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:马栋梁帕勒布·巴特查亚和田修
申请(专利权)人:苏州矩阵光电有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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