【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器
本专利技术涉及半导体封装
,具体涉及一种半导体激光器。
技术介绍
半导体激光器又称为激光二极管(LaserDiode,简称为LD),是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发射的一类激光器,被誉为二十世纪人类最伟大的专利技术之一。由于半导体激光器的体积小、结构简单、输入能量低、寿命较长、易于调制及价格低廉等众多优点,使得它目前在众多领域中得到非常广泛地应用,它作为一种很有潜力的光源,已受到各国的高度重视。半导体激光器从最初的低温(77K)下运转发展到可在室温下连续工作,由小功率型向高功率型转变,输出功率由几毫瓦提高到几千瓦级(阵列器件)。半导体激光器以激光条为最小单位,其输出功率大,工作电流大,损耗热大,一直是制约和影响着激光器向小型化,低功耗,高性能方向发展的瓶颈问题。对于传统的单模激光器而言,尤其是大功率的,其正常工作需要配备单独的制冷器来为激光器降温散热。而散热器目前最常用的有三类:循环冷却水降温,风冷降温和半导体制冷器降温。其中采用半导体制冷器降温时,是在封装完成的激光器上再封装半导体制冷器,达到降温的目的。采用这种方式制成的激光器体 ...
【技术保护点】
一种半导体激光器,其特征在于,包括:半导体制冷器(1)以及金属层(2);其中,所述金属层(2)设置在所述半导体制冷器(1)与所述半导体激光器(3)之间,所述半导体制冷器(1)与所述半导体激光器(3)通过所述金属层(2)整体封装于一颗芯片中。
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器,其特征在于,包括:半导体制冷器(1)以及金属层(2);其中,所述金属层(2)设置在所述半导体制冷器(1)与所述半导体激光器(3)之间,所述半导体制冷器(1)与所述半导体激光器(3)通过所述金属层(2)整体封装于一颗芯片中。2.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,包括:所述半导体激光器(3)堆叠在所述半导体制冷器(1)上方的所述金属层(2)上。3.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器(3)的电极通过所述金属层(2)引出,连接至电源。4.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述半导体制冷器(1)包括:硅衬底(11)、金属电极(12)、半导体热电材料(13)、P-N结构(14);其中,所述金属电极(12)蒸镀于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:马栋梁,帕勒布·巴特查亚,和田修,
申请(专利权)人:苏州矩阵光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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