本发明提供了一种用于激光划片的装置和方法。该激光划片装置可以包括：第一激光发射器，在朝形成有多个发光器件的基板的第一轴向移动的同时发射用于厚度测量的激光；激光接收器，当从第一激光发射器发射的激光从基板反射时接收所反射的激光；厚度测量单元...

本发明涉及氮化镓(GaN)基半导体器件及其制造方法。GaN基半导体器件可包括：导电散热衬底(即，热传导衬底)；布置在该散热衬底上的GaN基多层；和布置在GaN基多层上的肖特基电极。虽然这样的GaN基半导体器件正在制造，但是可以使用晶片键...

本发明公开了一种Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。所述方法包括：准备基底；在基底上形成包括暴露部分基底的一个或多个开口的绝缘膜；通过向被开口暴露的基底提供Ⅲ族源气体和氮(N)源气体在被开口暴露的基底上生长第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒晶种...

本发明公开了一种Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置包括：基底；绝缘膜，形成在基底上并且包括暴露部分基底且具有不同直径的多个开口；以及第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒，具有不同的直径，第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒分别形成在...

提供了一种石墨烯发光装置及其制造方法。石墨烯发光装置包括：掺杂有p型掺杂剂的p型石墨烯；掺杂有n型掺杂剂的n型石墨烯；以及布置于p型石墨烯和n型石墨烯之间并发光的活性石墨烯，其中，p型石墨烯、n型石墨烯和活性石墨烯水平放置。

本发明公开了一种发光器件，所述发光器件包括：基底，具有相对的第一主表面和第二主表面；发光元件，安装在基底的第一主表面上；驱动器集成电路(IC)，形成在基底中的对应于发光元件的下侧的区域中，并且调节施加到发光元件的电流的量。由于用于驱动发...

本发明提供了氮化镓(GaN)基半导体器件及其制造方法。GaN基半导体器件可以包括布置在散热衬底上的异质结构场效应晶体管(HFET)或肖特基二极管。HFET器件可以包括：GaN基多层，具有凹陷区域；栅极，布置在凹陷区域中；以及源极和漏极，...

本发明提供一种氮化镓(GaN)基半导体器件及其制造方法。GaN基半导体器件可以包括：散热衬底(也就是导热衬底)；GaN基多层，布置在散热衬底上并具有N面极性；以及布置在GaN基多层上的异质结构场效应晶体管(HFET)或肖特基电极。HFE...

本发明公开了一种发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：引线框架，包括热焊盘和设置为与热焊盘离开一定距离的至少两个电极焊盘；至少一个LED，安装在热焊盘上并且通过导线与所述至少两个电极焊盘电连接；封装模具，包括用来...

本发明披露了LED灯及其驱动电路。一种LED灯驱动电路包括：热敏电阻，具有一个端子，通过该端子来施加外部电压；AC-DC转换单元，连接至热敏电阻的另一个端子，并且将施加至热敏电阻的另一个端子上的AC电压转换为DC电压；以及DC-DC转换...

一种光学透镜和发光二极管模块以及照明装置，包括：透镜体，具有在纵向(第一方向)延伸的外表面并形成得在横向(第二方向)对称；以及腔，形成在透镜体的下部分处并具有在纵向不对称的内侧面。

本申请提供了一种AC驱动发光装置，包括：多个串联连接的LED阵列，每个LED阵列具有这样的结构，其中，多个LED被电连接以形成双端电路并在将AC电压施加至双端电路时通过双向电压发光；以及切换设备，连接至多个LED阵列中的至少一个并相对于...

提供了一种基座和一种用于化学气相沉积(CVD)的设备。该基座包括：主体，被构造成包括具有不平坦表面的安装单元；和基底支撑单元，被构造成位于所述安装单元上。所述基底支撑单元的底表面具有与所述安装单元的形状对应的形状，并且所述安装单元包括排...

本发明提供一种光学透镜及使用该光学透镜的发光设备。该光学透镜包括：入射部分，被设置为光入射区域，并包括形成在入射部分的表面的至少一部分区域上的微透镜阵列；反射部分，与入射部分隔开预定的距离，并至少反射已穿过入射部分的光中的一定量的光；侧...

本发明涉及发光器件封装件及其制造方法，该发光器件封装件包括：具有安装表面的基板；接合至基板的安装表面的发光器件；含有高反射材料的光反射树脂部，围绕发光器件填充在基板上，以便延伸到发光器件和基板之间的间隙中；以及密封地覆盖发光器件和光反射...

本发明提供发光器件封装、背光单元、显示器件和发光器件。发光器件封装包括：封装体，提供芯片安装区域并包括第一引线端子和第二引线端子；ＬＥＤ芯片，安装在芯片安装区域上并电连接到第一引线端子和第二引线端子；凹槽部分，设置在芯片安装区域中在ＬＥ...

一种使用液晶聚合物的发光二极管（ＬＥＤ）封装件包括：封装件主体，通过使用液晶聚合物形成；引线框架，形成在所述封装件主体上；ＬＥＤ芯片，安装在所述引线框架上；树脂封装单元，封装所述ＬＥＤ芯片，所述树脂封装单元含有磷光体。所述ＬＥＤ封装件是...

在半导体发光器件中，发光结构包括顺序形成在导电基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。第二导电类型电极包括导电通孔和电连接部分。导电通孔穿过第一导电类型半导体层和活性层，并连接到第二导电类型半导体层的内部。电连接部分...

提供了一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括顺序地堆叠的导电基底、第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层。第一电极层和第一半导体层之间的接触面积为半导体发光器件的总面积的３％至１３％，因此实现了高发光效率。

提供了一种制备能够被控制为显示诸如高亮度和期望的粒度分布的特性的β－ＳｉＡｌＯＮ磷光体的方法。β－ＳｉＡｌＯＮ磷光体由式Ｓｉ（６－ｘ）ＡｌｘＯｙＮ（６－ｙ）：Ｌｎｚ表示（其中，Ｌｎ是稀土元素，并且满足下面的要求：０＜ｘ≤４．２，０＜ｙ≤...