【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种III族氮化物纳米棒，更具体地讲，涉及一种使用III族氮化物纳米棒的发光装置及其制造方法。
技术介绍
通常，在基底上方生长III族氮化物纳米棒的情况下，会难于适当地控制纳米棒的直径、长度、生长位置以及晶体生长方向，从而导致难以形成具有期望形状的纳米棒并产生缺陷，从而装置的驱动电压增加并且装置的操作特性劣化。具体地讲，在光电装置的情况下，在基于载流子的复合而操作时，这样的限制会使发光效率劣化并使其寿命缩短。
技术实现思路
本专利技术的一方面提供了一种III族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法，在III 族氮化物纳米棒发光装置中，在生长单晶纳米棒过程中产生的晶体缺陷被最小化，并且具有三维结构的发光装置的发光效率得到提高。根据本专利技术的一方面，提供了一种制造III族氮化物纳米棒发光装置的方法，所述方法包括以下步骤准备基底；在基底上形成包括暴露部分基底的一个或多个开口的绝缘膜；通过提供III族源气体和氮(N)源气体在基底的被开口暴露的部分上生长第一导电 III族氮化物纳米棒晶种层；通过以脉冲模式提供III族源气体和杂质源气体并连续地提供N源气体在第一导电I...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：成汉珪，郑薰在，杨丁子，孙哲守，
申请(专利权)人：三星LED株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。