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本发明公开了一种Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。所述方法包括：准备基底；在基底上形成包括暴露部分基底的一个或多个开口的绝缘膜；通过向被开口暴露的基底提供Ⅲ族源气体和氮(N)源气体在被开口暴露的基底上生长第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒晶种层；...
该专利属于三星LED株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星LED株式会社授权不得商用。

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