本发明提供一种半导体封装及其方法，该半导体封装包括：一封装载体，一芯片、一薄膜、一第一屏蔽金属板以及一封装材料。其中封装载体，具有至少一导体部件；芯片具有一有源表面及对应的一芯片背面，芯片以背面贴附于封装载体上。其中有源表面具有至少一接...

本发明提供一种微机电芯片封装及其制造方法，该微机电芯片封装包括：一封装基板、一围阻环、一微机电芯片、以及一封装材料。封装基板具有一内表面及对应的一外表面，并具有一信号开口，穿透内表面及外表面。封装基板具有至少一内接点，外表面上具有至少一...

一种半导体结构包括：装置；在所述装置上方的导电衬垫；及安置在所述导电衬垫上的Ag1-xYx合金柱，其中所述Ag1-xYx合金的Y包含以任意重量百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且其中所述Ag1-xYx合金的X在0.005至0.25的范围内。

本发明提供一种芯片封装结构，包括芯片、至少一感应线圈、封装胶体以及重配置线路层。芯片包括有源表面以及相对有源表面的背面。感应线圈环绕设置于芯片的周围区域。封装胶体覆盖芯片以及周围区域并暴露有源表面，且感应线圈配置于封装胶体上。重配置线路...

一种芯片封装结构及其制造方法，该芯片封装结构包括导线架、芯片、至少一散热柱以及封装胶体。导线架包括芯片座以及多个引脚。芯片座具有至少一贯孔。引脚环绕芯片座设置。芯片设置于芯片座上并电性连接至引脚。芯片包括主动表面以及相对主动表面的背面。...

本发明系关于一种具有侧边散热设计的扇出封装结构，包括：一半导体基板，一焊垫位于所述半导体基板上，以及一重分布线路层连接于所述焊垫并位于所述半导体基板上方且该重分布线路层的一端往所述半导体基板的一侧壁延伸，且所述端与所述侧壁切齐。

本公开提供一种引线框架的封装结构，其包含一裸晶、一介电层、至少一导电柱、至少一引线框架以及至少一锡球。介电层设置于裸晶的表面上。至少一导电柱穿透介电层并设置该表面上。至少一引线框架设置于介电层上并与至少一导电柱间有一间隔。锡球填充该间隔...

本发明提供一种薄膜覆晶封装结构，其包括可挠性基板、芯片、散热片以及封装胶体。可挠性基板包括可挠性介电层以及多个引脚，可挠性介电层具有第一表面、第二表面以及多个贯穿孔，其中引脚形成于第一表面上，且包括至少一虚引脚，而贯穿孔对应虚引脚。芯片...

本发明提供一种多芯片卷带封装结构，其包括可挠性基板、至少一第一芯片以及至少一第二芯片。可挠性基板包括可挠性介电层以及图案化线路层。可挠性介电层具有第一表面以及相对第一表面的第二表面。可挠性基板被弯折后具有弯折部以及分别连接弯折部的反转部...

本发明提供一种微机电系统麦克风芯片封装体，包括线路载板、微机电系统麦克风芯片、逻辑芯片、微机电系统盖体、至少一第一焊线以及封装盖体。微机电系统麦克风芯片、逻辑芯片与封装盖体分别配置于线路载板上。逻辑芯片与微机电系统麦克风芯片以及线路载板...

本发明提供一种多芯片堆叠封装结构及其制造方法，该多芯片堆叠封装结构包括芯片堆叠结构以及可挠性基板。芯片堆叠结构包括第一芯片与第二芯片。第一芯片具有第一主动表面以及多个配置于第一主动表面上的第一接垫。第二芯片具有第二主动表面以及多个配置于...

本发明提供一种芯片封装结构及其制作方法。该芯片封装结构包括线路载板、芯片、多条焊线、胶层、承载件及封装胶体。线路载板具有上表面与下表面。芯片配置于线路载板的上表面上。焊线分别电性连接芯片与线路载板。胶层以覆盖贴合方式设置于线路载板上且完...

本发明提供一种晶圆级封装方法及封装结构，其包含下列步骤：例如，形成一贯穿孔于一中介层，其中该中介层的厚度不大于第一导电柱的长度；设置该第一导电柱于该贯穿孔；沉积一线路重布层，其电性连接该第一导电柱；设置一锡球于该线路重布层上，以形成一晶...

本公开提供一种植球装置及其植球方法。植球装置包含一基板、一介电层以及一锡膏。该基板包含一表面。该介电层设置于该表面上，其中该介电层包含复数个孔洞。该锡膏填充于该复数个孔洞，其中该锡膏的一顶面与该介电层的一暴露面齐平。

一种芯片封装结构的制作方法，其包括下列步骤。首先，提供第一承载器。第一承载器包括第一表面及图案化金属层。图案化金属层设置于第一表面上。接着，形成介电层于第一表面上，以覆盖图案化金属层。接着，将第一承载器上的图案化金属层及介电层转移至第二...

本发明提供一种芯片封装结构的制作方法，包括下列步骤。首先，提供承载器。承载器具有金属层。接着，形成图案化光阻层于金属层上。图案化光阻层具有多个第一开口以暴露部份金属层。接着，分别形成多个连接端子于第一开口内，且连接端子连接金属层。接着，...

本发明提供一种用于制造一半导体结构的方法。该方法包括：在一半导体晶粒上形成一导电衬垫；在该导电衬垫上方形成一晶种层；在该晶种层上方界定一第一遮罩层；及在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体。该在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体包括以下操...

本发明提供一种芯片结构及其制作方法，该芯片结构包括芯片、重配置线路层、第一图案化绝缘层及第二图案化绝缘层。芯片包括基材、配置于基材上的接垫及覆盖基材并暴露出接垫的保护层。第一图案化绝缘层配置于保护层上且具有暴露出部分接垫的第一开口。重配...

一半导体结构包括：一装置；在所述装置上的一导电衬垫；及在所述导电衬垫上方的一Ag1-xYx合金凸块。所述Ag1-xYx凸块的Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且所述Ag1-xYx合金凸块之的X在0.005至0.25的一范...

本发明提供一种芯片封装工艺及芯片封装，芯片封装工艺包括下列步骤：提供晶圆。晶圆具有主动表面以及相对于主动表面的背面。晶圆包括多个彼此连接且数组排列的芯片。设置可挠性重配置线路薄膜于晶圆的背面上。可挠性重配置线路薄膜包括多个数组排列且对应...