一种具有电容器的半导体器件，包括衬底、ＭＯＳ晶体管与电容器。ＭＯＳ晶体管是位于衬底的一ＭＯＳ晶体管区，且其中具有第一底扩散区域。电容器则位于衬底的一电容器区，其中电容器包括位于衬底中的第二底扩散区域、位于第二底扩散区域上的第一介质层、位...

一种晶片承载装置，包括：一机械手臂，向其前方延伸出一盘体；至少一倾斜支撑片，设置在该盘体的一端，且该倾斜支撑片具有一倾斜表面，用来支撑一晶片；至少一末端固定卡件，设置在该盘体的另一端；一可内缩式活动卡件，设于该倾斜支撑片的一侧，用来将该...

一种防止焊垫金属剥离的装置，用于集成电路中防止焊垫金属层于包装打线时被剥离；在焊垫金属层下方构成数个导电区块，再以一介电层覆盖于此导电区块上，该介电层设置数条孔道，每一孔道的范围对应于一导电区块的范围，具有较导电区块小的面积；并以焊垫金...

一种动态随机存取存储器的电容结构及其制造方法，其结构包括：在一接触窗中构成电容的储存电极的一栅状导电层；在栅状导电层表面的一介电层；以及，在介电层表面构成电容的胞电极的一第二导电层。其中，栅状导电层包括一崎岖状导电层和一第一导电层。栅状...

一种具有电容器的半导体存储器件，包括一基底、一形成在该基底上的转移晶体管与一与转移晶体管有漏极和源极区之一电连接的存储电容器。存储电容器包含一类树干状导电层、至少一第一类树枝状导电层、一第二类树枝状导电层、一介电层与一上导电层，其中类树...

有电容器的半导体存储器件的制造方法：在基片上形成第一绝缘层，盖住转移晶体管；形成柱状层，穿过第一绝缘层，与转移晶体管的漏极和源极区之一电连接；在柱状层和第一绝缘层上，交替形成绝缘材料的第一和导电材料的第二膜层。去除第一和第一膜层在柱状层...

一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法包括：在基底上形成覆盖晶体管第一绝缘层；形成穿过第一绝缘层与漏极和源极之一连接的第一导电层；形成第二绝缘层与堆叠层，在堆叠层侧壁形成第三绝缘层；形成第四绝缘层；形成开口及填满开口的第二导电层；形成...

一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法包括：在基底上形成覆盖转移晶体管的第一绝缘层；形成穿过第一绝缘层与漏极和源极之一连接的第一导电层；形成第二绝缘层与堆叠层，在堆叠层侧壁形成第三绝缘层；形成第四绝缘层；形成开口及填满开口的第二导电层...

具有电容器的半导体存储器件，包括基片；形成在该基片上的转移晶体管，并具有漏极和源极区；及存储电容器，电连接到转移晶体管的漏极区上。存储电容器包括一类树干状导电层，具有一底部，电连接到转移晶体管的漏极区上，还具有一从底部延伸出的向上延伸部...

有电容器的半导体存储器件制造方法：在基片上形成第一绝缘层，盖住转移晶体管；在第一绝缘层上形成柱状层；在该两层上交互形成绝缘材料的第一导电材料的第二膜层，构图第二膜层分开柱状层上方部分。形成第一导电层，穿过第二和第一膜层、第一绝缘层，与转...

具有电容器的半导体存储器件包括：基片；转移晶体管形成在基片上；存储电容器连接到转移晶体管漏极上。存储电容器包括柱状类树干状导电层，到转移晶体管漏极度区上。类树枝状的上导电层在类树干状导电层上方。类树枝状的下导电层连到类树枝状的上导电层下...

具有电容器的半导体存储器件制造方法：在基片上形成第一绝缘层，盖住转移晶体管；形成第一导电层，穿过第一绝缘层，与转移晶体管漏极和源极区之一连接。在第一导电层上形成柱状层，在柱状层面和第一层电层上交互形成第一、第二膜层。构图第二膜层，分开其...

一种具有电容器的半导体存储器件，包括基片、形成在该基片上的转移晶体管存储电容器。转移晶体管有漏极和源极区，其中之一接到存储电容器。存储电容器包含一类树干状导电层、至少一类树枝状导电层、一介电层与一上导电层，其中，类树干状导电层和类树枝状...

一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法包括：形成覆盖晶体管的第一绝缘层；形成穿过该绝缘层与漏和源极之一连接的第一导电层；形成第二绝缘层与堆叠层及其侧壁的第三绝缘层；形成第四绝缘层；形成第一开口及使之填满的第二导电层；去除堆叠层上方的第...

一种具有电容器的半导体存储器件，包括一基底、一形成在该基底上的转多晶体管与一存储电容器。转移晶体管的漏极和源极之一电连接到存储电容器。电容器包含一类树干状导电层、至少一第一类树枝状导电层、一第二类树枝状导电层、一介电层与一上导电层，其中...

一种具有电容器的半导体存储器件，包括基底、形成在该基底上的转移晶体管与存储电容器。转移晶体管的漏极和源极区之一电连接到存储电容器。电容器包含类树干状导电层、至少第一类树枝状导电层、第二类树枝将导电层、介电层与上导电层，其中类树干状导电层...

一种具有电容器的半导体存储器件，包括一基底、一形成在该基底上的转移晶体管与一存储电容器。晶体管的漏极和源极区之一电连接到存储电容器。存储电容器包含一类树干状导电层、至少一类树枝状导电层、一电介质层与一上导电层，其中，类树干状导电层包括下...

一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法，包括在基底上形成覆盖住晶体管的第一绝缘层；形成穿过该绝缘层并与漏和源极之一连接的第一导电层；形成柱状层及其侧壁的第二导电层；在各导电层上交替形成第一和第二膜层；在第二膜层上方形成第二绝缘层；形成...

一种具有增进预防软错记能力的ＳＲＡＭ的存储单元，将其ＳＲＡＭ存储单元的每一个存储节点连接至一个覆盖的电极，该电极具有取向生长表面（ｔｅｘｔｕｒｅｄ ｓｕｒｆａｃｅ），并以一电介质层与一恒定电位板电极分离开。具有取向成长表面的覆盖电极可...

一种具有增进稳定性的ＳＲＡＭ存储单元，其包括的派通晶体管（ｐａｓｓ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）的栅极利用氧化工序来定型，以使栅极的下缘被举升离开基底表面。由于负载与下拉晶体管（ｌｏａｄ ａｎｄｐｕｌｌ － ｄｏｗｎ ｔｒａｎｓｉ...