本发明公开了一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，在该方法中先提供基底。然后，在基底上形成栅极结构材料层。而后，通入含碳前驱气体以及反应气体，以在栅极结构材料层上形成含碳掩模材料层。接着，将含碳掩模材料层与栅极结构材料层图形化，以形成含...

一种图像感测装置，包括一基底、至少一光学元件、至少一介电层以及至少一波导管设于该光学元件上方，该波导管的侧壁设有一光学屏障层并有一填充层镶嵌于该波导管，因此可有效缩短光径、聚集光线、避免不同光路间的跨越现象以提升该图像感测装置的灵敏度。

本发明揭示一种移除间隙壁的方法、制造金属氧化物半导体晶体管元件的方法、及金属氧化物半导体晶体管元件，其中，于移除间隙壁之前，先于源极／漏极区域与栅极上的物质层（例如自对准金属硅化物层）及间隙壁上沉积一保护层，使得保护层在间隙壁上的厚度小...

本发明披露一种接触孔的制造方法。提供一半导体基底，其具有一导电区域，于该半导体基底及该导电区域上沉积一介电层，接着于该介电层上涂布一蚀刻抵挡层、一含硅层以及一光致抗蚀剂层。随后，进行一光刻工艺，于该光致抗蚀剂层中形成一第一开口，再利用该...

本发明公开了一种半导体元件的制造方法。此方法包括在基底上形成栅极结构，其包括图案化栅介电层、图案化栅极导电层、顶盖层与间隙壁。接着，在栅极结构两侧的基底中形成第一凹槽与第二凹槽。然后，在第一凹槽与第二凹槽的底表面上形成保护层，然后，进行...

本发明公开了一种高压元件及其制造方法。该高压元件包括栅极、二源极／漏极区以及复合栅介电层。栅极，位于基底上。两源极／漏极区分别位于栅极两侧的基底中。复合栅介电层位于栅极与基底之间，其至少包括堆叠的至少两连续层，分别自栅极的一侧延伸至另一...

一种超低介电常数介电层的形成方法，包括：　以介电基质进行沉积过程，在进行该沉积过程中通过变温程序或变压程序的调控，使该介电基质反应，以在基底的介电阻挡层上形成具有密度梯度的多层多孔性低介电常数介电层。

一种形成氮化硅间隙填充层的方法，此方法是先进行一前多阶段形成工艺，以在一基底上形成一堆叠膜层，构成一密集膜。然后，再进行一后单阶段沉积工艺，以在堆叠膜层上形成一顶层，构成一疏松膜，其中顶层的厚度占总体氮化硅间隙填充层厚度的１０％以上。

一种半导体工艺方法及半导体装置系统。该半导体工艺至少包含一第一高温炉管工艺以及一第二高温炉管工艺。此方法为对装载有至少一芯片的第一晶舟进行第一高温炉管工艺。然后，对装载有此芯片的第二晶舟进行第二高温炉管工艺。而且，在进行第二高温炉管工艺...

本发明公开了一种移除晶片上的颗粒的方法，用于硅化金属工艺的移除未反应的金属层步骤之后或最终硅化物生成后尚有前层残留氧化物的晶片，也可用于去除化学气相沉积工艺之后引发颗粒的晶片。此方法包括进行至少两个阶段中间清洗程序，各阶段中间清洗程序包...

本发明涉及一种高压元件，其包括第一导电型的基底、栅极、第二导电型的阱区、第二导电型的源极区与漏极区、多个导电层以及第一导电型的顶层。栅极设置于基底上，阱区设置于栅极一侧的基底中。源极区设置于栅极另一侧的基底中，漏极区设置于阱区的基底中。...

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体结构的研磨方法。该浅沟槽隔离结构的形成方法是在晶片的基底上形成掩模层，并移除未被掩模层覆盖的部分基底，以在基底中形成多个浅沟槽。接着，在基底上形成介电层并填入浅沟槽中。其后，进行第一化学机...

本发明公开一种化学机械研磨用的研磨垫修整器，包含用以修整研磨垫的修整元件，以及用以容纳修整元件的外壳，其包含围绕修整元件的至少一流体口以供应至少一流体。

本发明公开了一种半导体元件，其包括隔离结构、场注入区、栅极结构以及源极／漏极掺杂区。隔离结构位于基底中，在基底中定义出第一有源区与第二有源区与位于其两者之间的沟道有源区。场注入区位于第一有源区、第二有源区以及沟道有源区周围的部分隔离结构...

一种控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法。本方法为，以图案化光阻层为掩模，进行第一蚀刻步骤，以形成图案化含硅材料层，并于图案化光阻层及图案化含硅材料层的侧壁产生高分子膜。然后，以图案化光阻层、图案化含硅材料层及其侧壁的高分子膜为掩模，...

本发明是提供一种流体区域控制装置及其操作方法。流体区域控制装置包括有至少一基底承载基座、至少一工艺流体提供管线、至少一工艺流体回补管线、至少一控制流体提供管线与至少一控制流体回补管线。工艺流体提供管线提供至少一工艺流体，使工艺流体接触晶...

本发明公开了一种热工艺装置、清洁其透光元件的方法及利用此装置的工艺。该透光元件是位于此装置的反应腔室内，而反应腔室内至少包括晶片保持座，用以承载晶片，且配置于透光元件下方；以及能量源输出元件，配置于透光元件上方。本发明的方法例如是，进行...

本发明提供了一种开口蚀刻后的清洗方法，首先提供半导体基底，其上具有介电层，接着进行该开口蚀刻，以在该介电层中形成至少一开口，随即进行氮气处理工艺以清洗该开口中的碳氟键（Ｃ－Ｆ）聚合物残留物，最后进行湿式清洗工艺。

一种彩色滤光片的布局图案，该布局图案包括多个像素矩阵，各该像素矩阵具有以阵列方式排列的四个彩色滤光片，且相邻的彩色滤光片为不相同的颜色，其中，该布局图案在角隅处设有加大型彩色滤光片或延伸棱边，该些加大型彩色滤光片或该些延伸棱边可以加大该...

一种高压金属氧化物半导体元件，包括衬底、Ｎ型外延层、隔离结构、栅介电层、栅极、Ｎ型漏极区、Ｐ型井区、Ｎ型源极区、第一Ｎ型井区及埋入式Ｎ型掺杂区。第一Ｎ型井区设置于隔离结构下方及栅极一侧的Ｎ型外延层中，且第一Ｎ型井区与Ｎ型漏极区有重叠区域...