一种相位延迟装置，包括：一数字模拟转换器，用以将输入信号转换成模拟信号；一锯齿波产生器，用以将参考脉冲转换成一固定周期的锯齿波；以及一模拟比较器，用以比较数字模拟转换器输出的模拟信号与锯齿波产生器输出的锯齿波，因此，根据比较动作即可决定...

为了将电位较小的电压范围在不过分拉大电压范围的前提下提高其电位，将一仅可提高电压范围上限的第一级电压位移电路耦接于另一可同步提高电压范围的上限与下限的第二级电压位移电路，以使得由将第一级电压位移电路耦接于第二级电压位移电路所产生的二段式...

一种数字滤波器组结构及其实施方法，该数字滤波器组结构包括输入信号选择单元，滤波器组单元和频带选择单元。将间隔取样多重速率系统及分布式算术算法二者相结合。间隔取样多重速率系统为采用间隔取样原理，并以树状结构、时间多路复用、循环反馈来完成可...

一种滤波器的操作程序及其数字滤波器电路，该数字滤波器包括第一选择器、极点处理单元、并行转串行传送单元、移位寄存器、第一存储器、第二存储器、第二选择器和零点处理单元。和一种对上述滤波器进行操作的操作程序。

一种次谐波混频器及具备该混频器的下转换器。上述的次谐波混频器包括差动放大单元、电流缓冲单元、以及切换单元。差动放大单元用于将射频信号放大，且利用第一谐振电路将泄漏信号导向至第一电压。电流缓冲单元用于将差动放大单元的输出信号的增益放大，并...

一种栓锁器系统，其特征是：其包含有：　　　　一电流源模组，用来提供至少一直流电流；　　　　一第一交叉耦合模组，电连接于该电流源模组，该第一交叉耦合模组包含有：　　　　一第一反向器，用来于其输入端输入高电压时于其输出端输出低电压，并于其输...

一种频率发生装置及其中的控制电路，该频率发生装置包括控制电路与频率发生器。其中控制电路包含电子熔丝，并且该控制电路依据电子熔丝的状态而输出启用信号。频率发生器耦接至控制电路，用以接收启用信号，并依据启用信号决定是否输出频率信号。

一种万用电源供应系统，包括一元件电路，一万用电源供应器，一标准接口连接于元件电路与万用电源供应器之间，以供应元件电路所需电源。元件电路包括一元件识别码单元，提供元件电路的一识别码，以及一电源接口，提供所需电源型态给元件电路。万用电源供应...

本发明是提供一种基体触发硅控整流器（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ－ｔｒｉｇｇｅｒｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ，ＳＴＳＣＲ）；该ＳＴＳＣＲ是形成于一Ｐ型基底上，用来作为一静电放电保护组件（ＥＳＤ ｐｒｏｔｅｃｔ...

一种使用基体触发硅控整流器的静电放电防护电路，电连接于一输入／输出缓冲垫、一内部电路、一Ｖ＃－［ＳＳ］电源接脚以及一Ｖ＃－［ＤＤ］电源接脚，该ＥＳＤ防护电路包含有：一第一ＥＳＤ侦测电路，电连接于该Ｉ／Ｏ缓冲垫与该Ｖ＃－［ＳＳ］电源接脚之...

具有低触发电压特性的静电放电保护组件结构，含有第一导电型基底；设于该基底上的第二导电型第一ＭＯＳ晶体管，其包含有第一栅极及设于栅极下方的氧化层，分别设于第一栅极两侧的基底中的第二导电型的第一重掺杂区和第二导电型的第二重掺杂区；设于该基底...

一种动态随机存取存储器，包括衬底、沟渠式电容器、通过栅极结构、晶体管以及接触窗。衬底具有一个沟渠，且沟渠式电容器配置于衬底的沟渠中。通过栅极结构配置于沟渠式电容器上，且晶体管配置于通过栅极结构的一侧的衬底上。接触窗配置于通过栅极结构的另...

一种电容器接点结构，适用于动态随机存取存储器的存储单元阵列区，此存储单元阵列区配置于基底上，且位于基底中的掺杂带上，此电容器接点结构包括闲置电容器与接触窗。其中，闲置电容器配置于基底的第一沟渠中，且第一沟渠底部暴露出部分掺杂带。闲置电容...

一种晶片盒的晶片固定机构检测装置，是由放晶片用的检测台、晶片盒规格判别器、位置感测器组与控制电路组成。晶片盒规格判别器对应于待检测的晶片盒的一个判定区域设置，并依据从判定区域所得到的结果输出一个判定信号。每一位置感测器组则用来检测一种规...

本实用新型有关一种金属氧化物半导体（ＭＯＳ）晶体管元件，其中，一半导体基底包括一有源区与一隔离区，有源区与栅极结构之间具有一选择性外延层，并且外延层的一周边部分是覆盖在隔离区的一周边部分的上方。如此，可增加沟道宽度，而增进漏极电流。

一种图像传感器元件的制造方法，适用于具有至少一焊接垫的一衬底，其中于该衬底中形成有多个光电二极管感测区，并于该衬底上至少形成有一介电层，且该焊接垫设置于该介电层中，并且于该介电层上设置具有一开口的一第一保护层，并于该开口中暴露出至少部分...

一种芯片封装体及其方法，此芯片封装体包括一芯片及一硬质盖体，其中芯片具有一有源表面及多个焊垫，且这些焊垫配置于有源表面，而硬质盖体还配置于芯片的有源表面，且暴露出这些焊垫于有源表面的上方。此硬质盖体可保护芯片的有源表面，并增加芯片封装体...

本发明提供一种化学机械研磨方法，用以改善一高选择性研磨浆料化学机械研磨工艺的研磨效果。其主要在利用高选择性研磨浆料进行一化学机械研磨工艺一预定时间后，提供去离子水于研磨垫上以继续进行化学机械研磨工艺，以提高研磨速度和效果。

一种半导体元件的制造方法，此方法先提供一包括有存储单元区与高压电路区的基底。然后，在基底的两个区域中形成第一、第二源极／漏极区。接着，在基底上依序形成氧化层、第一导电层以及顶盖层。之后，于存储单元区中定义出浮置栅极，并移除高压电路区中的...

一种栅极介电层的形成方法，此方法为对一基底进行一等离子体处理工艺，以于基底上形成一介电层结构，其中介电层结构具有往基底方向递减的一渐变介电常数值。