本发明公开一种半导体封装结构，其主要包含第一晶片具有一深沟槽电容以及第二晶片接合该第一晶片，其中第二晶片又包含第一主动元件设于第一硅覆绝缘基底上以及第一金属内连线连接第一主动元件以及深沟槽电容。其中第一晶片又包含该深沟槽电容设于一基底内...

本发明公开一种间隙壁形成方法，包括下述步骤：首先提供一种蚀刻阻挡结构，此蚀刻阻挡结构包括覆盖于基材上的含氮化硅覆盖层。接着，进行蚀刻制作工艺，移除一部分含氮化硅覆盖层；之后，进行一个湿式处理，以一种含硫化物处理剂接触含氮化硅覆盖层的余留...

本发明公开一种半导体封装及其制作方法，其中该半导体封装包括裸片堆叠，包括具有第一互连结构的第一半导体裸片和具有第二互连结构的第二半导体裸片，第二互连结构直接键合到第一半导体裸片的第一互连结构。第二互连结构包括设置在靠近第一半导体裸片的外...

本发明公开一种半导体封装体、半导体接合结构及其形成方法。半导体封装体包括第一芯片、第二芯片、以及导电结构，导电结构设置在第二芯片的一侧并位于第一内连线结构的第二上表面上，以电连接第一内连线结构。而半导体接合结构则包括第一基底、多个第一内...

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一金属间介电层于基底上，然后形成一金属内连线于该金属间介电层内，形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于该金属内连...

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为：首先形成一第一半导体层以及一绝缘层于一基底上，然后去除该绝缘层以及该第一半导体层以形成多个开口，形成一第二半导体层于该等开口内，再图案化该第二半导体层、该绝缘层以及该第...

本发明公开一种半导体装置及其制作方法，其中该半导体装置包括具有主动区域和绝缘区域的增强型高电子迁移率晶体管。增强型高电子迁移率晶体管包括基板、III‑V族主体层、III‑V族阻障层以及凹槽。III‑V族主体层会被设置于基板之上。III‑...

本发明公开一种电阻式存储器装置以及其制作方法，其中该电阻式存储器装置包括一介电层、一通孔连接结构、一堆叠结构以及一绝缘结构。通孔连接结构设置在介电层中，而堆叠结构设置在通孔连接结构与介电层上。绝缘结构在一垂直方向上贯穿堆叠结构且将堆叠结...

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其为半导体元件，主要包含：一基底具有一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)区域以及一逻辑区域；一金属间介电层设于该基底上；一第一金属内连线设于该金属间介电层内并...

本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，主要先形成一沟道层于基底上，然后形成一第一阻障层于该沟道层上，形成一P型...

本发明提供一种存储器结构及其制造方法。上述存储器结构包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第一栅极、第二栅极、第一电荷存储结构与第二电荷存储结构。第一掺杂区位于衬底中。第二掺杂区位于衬底中。第一栅极位于第一掺杂区上。第二栅极位于第二掺杂区上...

本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，首先形成一第一阻障层于一基底上，然后形成一P型半导体层于该第一阻障层上，...

本发明公开一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于基底上，其中该MTJ包含一固定层设于该基底上、一阻障层设于该固定层上以及一自由层设于该阻障层上，且该自由层包...

本发明公开一种自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其包含一字线，一第二源极/漏极掺杂区和一第四源极/漏极掺杂区设置于字线的同一侧，一第一导电线接触第二源极/漏极掺杂区，一第二导电线接触第四源极/漏极掺杂区，其中第二导电线包含一第三金...

本发明公开一种半导体结构以及其制作方法，其中该半导体结构包括一半导体基底、一第一栅极结构以及一第一间隙子结构。半导体基底包括一第一主动结构，且第一栅极结构设置在第一主动结构上。第一栅极结构包括一第一栅极氧化物层以及一第一高介电常数介电层...

一种帮浦健康度分析方法及应用其的帮浦健康度分析装置。帮浦健康度分析方法包括以下步骤。获得一标准帮浦的一标准震动曲线。对标准震动曲线从一时域转换至一频域，以获得一第一频率分布曲线。获得一样本帮浦的一样本震动曲线。对样本震动曲线从时域转换至...

本发明公开一种掩模图案光学转移的最适化方法，包括下述步骤：首先，进行投影光学模拟，以获取对应于一虚拟掩模图案的较佳光瞳配置方案。接着，进行位置扫描，变更较佳光瞳配置方案，产生多个调整光瞳配置方案。进行掩模图案转移模拟，以获取对应于虚拟掩...

本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包括一基底、一沟道层，设置在该基底上、一势垒层，设置在该沟道层上、一栅极结构，设置在该势垒层上、一栅极间隔物，设置在该栅极结构上，以及一栅极接触，设置在该栅极间隔物上。其中该栅极接触包括分别位于该栅极间...

本发明实施例提供一种半导体器件，包括：衬底、第一源极/漏极区与第二源极/漏极区以及栅极结构。衬底具有附加的基体部与鳍突出于所述衬底的顶面，其中所述鳍跨过所述附加的基体部。第一源极/漏极区与第二源极/漏极区在所述鳍中。栅极结构跨过所述鳍，...

本发明公开一种半导体装置，其包括基底、隔离结构、第一栅极结构、第二栅极结构、第一条状接触结构、第一栅极接触结构与第二栅极接触结构。基底包括第一主动区与第二主动区分别沿第一方向延伸。第一栅极结构、第二栅极结构与第一条状接触结构分别沿第二方...