本发明公开一种半导体元件，其主要包含一基底包含主动区、第一栅极线沿着第一方向延伸于该主动区上、第一栅极线延伸部设于第一栅极线旁并设于主动区外、第二栅极线沿着该第一方向延伸于主动区上并设于第一栅极线旁以及第二栅极线延伸部设于第二栅极线旁并...

本发明提供一种图案化工艺，其包括以下步骤。在衬底上形成材料层。使用压印模仁对所述材料层进行压印工艺，以形成具有多个图案部分的图案化材料层。在相邻的所述图案部分之间形成硬掩模层。使用所述硬掩模层作为蚀刻掩模来进行蚀刻工艺，以移除所述图案部...

本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，主要包含形成一缓冲层于基底上，形成一阻障层于缓冲层上，形成一P型半导体层...

本发明提供一种氮化镓器件以及高电子迁移率晶体管的制造方法。所述氮化镓器件包括基板、设置于基板上的信道层、设置于信道层上的势垒层、设置于势垒层上的盖层、设置于盖层上的栅极、源极与漏极以及多个欧姆坝体。源极与漏极形成于所述盖层和所述势垒层中...

本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，主要先形成一缓冲层于基底上，形成一阻障层于该缓冲层上，形成一P型半导体层...

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器组件及其形成方法，其中该磁阻式随机存取存储器(MRAM)组件包括：底电极、磁性隧穿结(MTJ)结构、第一自旋轨道扭矩(SOT)层、顶盖层、第二SOT层、刻蚀停止层以及上金属导线层。磁性隧穿结结构配置在底...

本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一基底；一缓冲层，位于所述基底上；一氮化镓通道层，位于所述缓冲层上；一氮化铝镓层，位于所述氮化镓通道层上；一栅极凹陷，位于所述氮化铝镓层中；一源极区域和一漏极区域...

本发明公开一种制作半导体元件的方法，其主要包括先形成一下电极于基底上，然后形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于该下电极上，再形成一遮盖层于该MTJ上，其中形成遮盖层的步骤又包含下列步骤：(...

本发明公开一种半导体元件以及制作半导体元件的方法。该制作半导体元件的方法主要包括先形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torque,SOT)层于基底上，然后形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction...

本发明提供一种磁性存储器及其制造方法。上述磁性存储器包括衬底、自旋轨道力矩层、磁性隧道结堆叠、第一保护层与第二保护层。自旋轨道力矩层位于衬底上方。磁性隧道结堆叠位于自旋轨道力矩层上。第一保护层与第二保护层位于磁性隧道结堆叠的侧壁上。第一...

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其中半导体元件主要包含一基底，一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)区域以及一逻辑区域设于基底上，一MTJ设于该MTJ区域上以及一第一金属内连线设于该MTJ上...

本发明公开一种磁隧穿结器件的制造方法，包括以下步骤。形成第一介层窗于第一介电层中。形成第一电极层于所述第一介电层与所述第一介层窗上。形成磁隧穿结堆叠层于所述第一电极层上。形成图案化的第二电极层于所述磁隧穿结堆叠层上。以所述图案化的第二电...

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法为，主要先形成一第一金属内连线于一基底上，然后形成一停止层于第一金属内连线上，去除停止层以形成一第一开口，形成一电迁移增进层于第一开口内，再形成一第二金属内连线于电迁移增进层...

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一第一衬垫层于该MTJ上，形成一第二衬垫层于该第一衬垫层上，...

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法，其中该磁阻式随机存取存储器结构包含一磁性隧穿结、一第一自旋轨道转矩元件、一导电层和一第二自旋轨道转矩元件由下至上依序堆叠，一保护层设置于第二自旋轨道转矩元件上，保护层覆盖并接触第二自旋...

本发明公开一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括元件基板，包含元件结构层以及埋入介电层，其中所述埋入介电层是设置在所述元件结构层的半导体层上。金属层设置在所述埋入介电层上且被第一内层介电层环绕。所述金属层的一区域有多个开口，其中所...

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存储器包括下电极层，位于一基底上方、磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方、以及上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方，其中该上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中氮成分的比例从该上电极层...

本发明公开一种半导体装置及其制作方法，其中该半导体装置包括一基板、一鳍状结构、一栅极结构以及一第一阱。鳍状结构设置于基板之上。栅极结构设置于基板之上。鳍状结构的一延伸方向交叉于栅极结构的一延伸方向。第一阱设置于栅极结构之下，对应于半导体...

本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含衬底；缓冲层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述缓冲层上；以及栅极结构，位于所述势垒层上，其中，所述栅极结构包含盖层和位于所述盖层上方的栅极，所述盖层包含位于其侧壁...

本发明公开一种半导体器件及其制作方法，其中该半导体器件包括：衬底，具有第一导电型；第一重掺杂区，位于所述衬底中并且具有第二导电型；第二重掺杂区，位于所述衬底中，与所述第一重掺杂区隔开并且具有所述第二导电型；沟道区，位于所述第一重掺杂区和...