【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置，尤其是涉及一种具有条状接触结构的半导体装置。
技术介绍
1、标准单元是一组或多组的晶体管相互结构，用来提供布林逻辑功能(例如and、or、xor、xnor)或存储功能(触发器或锁存器)。随着先进制作工艺技术(例如鳍状晶体管finfet技术)的发展，标准单元布局的设计也有所不同。然而，缩小标准单元的所占面积对于集成电路的整体布局设计或/及电性表现上会有正面帮助，故如何通过标准单元中的布局设计来缩小标准单元所占面积为相关业界所努力的方向之一。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体装置，利用将栅极接触结构与条状接触结构相邻设置，由此达到缩小半导体装置尺寸的效果。
2、本专利技术的一实施例提供一种半导体装置，包括一基底、一隔离结构、一第一栅极结构、一第二栅极结构、一第一条状接触结构、一第一栅极接触结构以及一第二栅极接触结构。基底包括一第一主动区与一第二主动区，且第一主动区与第二主动区分别沿一第一方向延伸。隔离结构设置于第一主动区与第二主动区之间。第一栅极结构、第二栅极结构以及第一条状接触结构分别沿一第二方向延伸且设置于第一主动区、第二主动区以及隔离结构上。第一条状接触结构于第一方向上设置于第一栅极结构与第二栅极结构之间。第一栅极接触结构设置于第一栅极结构上且与第一栅极结构电连接。第二栅极接触结构设置于第二栅极结构上且与第二栅极结构电连接。第一栅极接触结构与第二栅极接触结构分别设置于第一条状接触结构于第一方向上的两相对侧，且第一栅极接触结构与
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第二方向与该第一方向正交。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构以及该第二栅极接触结构于该基底的一厚度方向上未与该第一主动区以及该第二主动区重叠。
5.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构以及该第二栅极接触结构设置于该隔离结构之上，且该第一主动区与该第二主动区之间未设置主动区。
6.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构于该第二方向上的该长度等于该第一栅极接触结构于该第一方向上的长度，且该第二栅极接触结构于该第二方向上的该长度等于该第二栅极接触结构于该第一方向上的长度。
7.如权利要求2所述的半导体装置，还包括：
8.如权利要求7所述的半导体装置，其中该第一导线的另一部分设置于该第二栅极接触结构上，该第一导线通过该第二开口与该第二栅极接触结构电连接，且该第一栅极结构通过该第一栅极接触结构、该第一导线以及该第二栅极接触结构而与该
9.如权利要求7所述的半导体装置，还包括：
10.如权利要求9所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构于该第二方向上的该长度以及该第二栅极接触结构于该第二方向上的该长度小于该第一导线与该第二导线于该第二方向上的节距。
11.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构与该第一条状接触结构于该第一方向上的距离以及该第二栅极接触结构与该第一条状接触结构于该第一方向上的距离小于或等于12纳米。
12.如权利要求1所述的半导体装置，其中设置于该第一主动区上的该第一栅极结构以及设置于该第一主动区上的该第二栅极结构包括第一晶体管的栅极，设置于该第二主动区上的该第一栅极结构以及设置于该第二主动区上的该第二栅极结构包括第二晶体管的栅极，且该第一晶体管的该栅极与该第二晶体管的该栅极电连接。
13.如权利要求12所述的半导体装置，其中该第一条状接触结构与该第一晶体管的第一源极/漏极区以及该第二晶体管的第一源极/漏极区电连接。
14.如权利要求13所述的半导体装置，还包括
15.如权利要求13所述的半导体装置，还包括
16.如权利要求12所述的半导体装置，其中该第一晶体管为反相器中的P型晶体管，而该第二晶体管为该反相器中的N型晶体管。
17.如权利要求16所述的半导体装置，其中该反相器为环形振荡器的一部分。
18.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构以及该第二栅极接触结构于该第一方向上错位排列设置。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第二方向与该第一方向正交。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构以及该第二栅极接触结构于该基底的一厚度方向上未与该第一主动区以及该第二主动区重叠。
5.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构以及该第二栅极接触结构设置于该隔离结构之上，且该第一主动区与该第二主动区之间未设置主动区。
6.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构于该第二方向上的该长度等于该第一栅极接触结构于该第一方向上的长度，且该第二栅极接触结构于该第二方向上的该长度等于该第二栅极接触结构于该第一方向上的长度。
7.如权利要求2所述的半导体装置，还包括：
8.如权利要求7所述的半导体装置，其中该第一导线的另一部分设置于该第二栅极接触结构上，该第一导线通过该第二开口与该第二栅极接触结构电连接，且该第一栅极结构通过该第一栅极接触结构、该第一导线以及该第二栅极接触结构而与该第二栅极结构电连接。
9.如权利要求7所述的半导体装置，还包括：
10.如权利要求9所述的半导体装置，其中该第一栅极接触结构于该第二方向上的该长度以及该第二栅极...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱中良，陈昱瑞，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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