【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于在高压环境下处理物体的基板处理装置。
技术介绍
1、一般，在进行半导体器件的制造工艺的过程中，对半导体基板进行各种处理。这种处理，例如有氧化、氮化、硅化、离子注入及化学气相沉积(cvd：chemical vapordeposition)工艺等。还有氢或氘热处理工艺，用以改善半导体器件的界面性能。
2、用于处理的气体以高于大气压的高压供给至腔室，并作用于半导体基板。在所述气体泄漏时，不仅污染周围，还会发生着火等问题。
3、随着处理工艺的温度升高，这样的着火风险更大。当处理温度高于气体的自燃温度时，因泄漏而着火的危险会变得更大。
技术实现思路
1、技术问题
2、本专利技术的一目的在于，提供一种高压基板处理装置，其即使在高温下执行处理工艺，在执行工艺的过程中其结构上能预防因气体泄漏而发生着火的危险。
3、解决问题的手段
4、为了实现所述课题，根据本专利技术的一侧面的高压基板处理装置，其中，可以包括：第一腔室，其被形成为容纳待处理的物体；第二腔室，其被形成为以围绕所述第一腔室的状态加热所述第一腔室；第三腔室，具备配置成围绕所述第二腔室的一部分的第3-1腔室、以及配置成围绕所述第二腔室的另一部分的第3-2腔室；以及供气模块，其被构成为向所述第一腔室内以第一压力供给用于处理所述物体的工艺气体，在所述第二腔室和所述第一腔室之间的空间以与所述第一压力相关地设定的第二压力供给保护气体，并且，为了阻止外部空气流入所述第三
5、此处，所述第3-1腔室和所述第3-2腔室可以被形成为占据相互独立的区域。
6、此处，所述第三压力可以是比所述第一压力及所述第二压力更偏向于所述外部的压力的值。
7、此处，还包括控制模块，用于控制所述供气模块的运行，所述控制模块可以控制所述供气模块以按照不同的标准向所述第3-1腔室和所述第3-2腔室供给所述防御气体。
8、此处，还包括感测模块，所述感测模块，具备：用于感测所述第3-1腔室内的环境的第一传感器、以及用于感测所述第3-2腔室内的环境的第二传感器，所述控制模块可根据所述感测模块的感测结果来控制所述供气模块。
9、此处，所述第一传感器包括压力计，所述控制模块可以控制所述供气模块，使得当所述压力计感测到的所述第3-1腔室的压力小于设定压力时，注入所述防御气体，使所述第3-1腔室达到所述设定压力。
10、此处，所述第二传感器包括气体感测器，所述控制模块可以控制所述供气模块，使得当所述气体感测器感测到所述第3-2腔室的氧气浓度超过设定氧气浓度时，投入所述防御气体，使所述第3-2腔室达到所述设定氧气浓度。
11、此处，还包括：排气模块，其与所述第3-1腔室相连通；以及控制模块，其被构成为控制所述排气模块，所述控制模块可以控制所述排气模块，使得在所述第一腔室对所述物体进行正常处理时，以防供给至所述第3-1腔室的所述防御气体被排放。
12、此处，还包括：感测模块，配置在所述第3-1腔室内；排气模块，与所述第一腔室、所述第二腔室及所述第3-1腔室相连通；以及控制模块，其被构成为控制所述排气模块，所述控制模块可以控制所述排气模块，使得当根据所述感测模块的感测结果判断发生了气体泄漏时，对所述第一腔室、所述第二腔室及所述第3-1腔室中的至少一个进行排气。
13、此处，所述控制模块可以控制所述供气模块，使得当所述第3-1腔室排气时，向所述第3-1腔室供给所述防御气体以稀释所述工艺气体。
14、此处，所述供气模块，可以包括：气体调整供给器，其被构成为对所述防御气体调整流量后供给至所述第3-1腔室；以及紧急开闭供给器，其被构成为当所述第3-1腔室进行排气时，以最大设定流量向所述第3-1腔室供给所述防御气体。
15、此处，所述感测模块包括压力计及气体感测器中的至少一个，所述控制模块，当所述压力计感测到的所述第3-1腔室的压力超过设定压力或者所述气体感测器感测到所述工艺气体时，可以判断发生了气体泄漏。
16、此处，所述物体可以包括半导体基板，所述工艺气体可以包括氢气、氘气、氟气、氨气及氯气中的至少一种，所述保护气体和所述防御气体中的至少一个可以包括惰性气体。
17、根据本专利技术的另一侧面的高压基板处理装置，其中，可以包括：第一腔室，其被形成为容纳待处理的物体；第二腔室，其被配置为围绕所述第一腔室；第三腔室，其被配置为围绕所述第二腔室；供气模块，其被构成为向所述第一腔室内以第一压力供给用于处理所述物体的工艺气体，在所述第二腔室和所述第一腔室之间的空间以与所述第一压力相关地设定的第二压力供给保护气体，并且，为了阻止外部空气流入所述第三腔室内，向所述第3腔室和所述第2腔室之间的空间以高于所述第三腔室的外部的压力的第三压力供给防御气体；以及加热模块，被构成为配置在所述第二腔室内，以高于所述工艺气体的燃点的温度加热所述工艺气体。
18、此处，所述第三压力可以是低于所述第一压力及所述第二压力，并且，比所述第一压力及所述第二压力更偏向于所述外部的压力的值。
19、此处，还包括控制模块，用于控制所述供气模块，所述第三腔室，包括：第三上部腔室，其被配置成围绕所述第二腔室的上部；以及第三下部腔室，其被配置成围绕所述第二腔室的下部，所述控制模块可以控制所述供气模块以按照不同的标准向所述第三下部腔室供给所述防御气体。
20、此处，还包括感测模块，所述感测模块，具备：用于感测所述第三上部腔室内的环境的第一传感器、以及用于感测所述第三下部腔室内的环境的第二传感器，所述控制模块可根据所述感测模块的感测结果来控制所述供气模块。
21、此处，所述第一传感器包括压力计，所述控制模块可以控制所述供气模块，使得当所述压力计感测到的所述第三上部腔室的压力小于设定压力时，投入所述防御气体，使所述第三上部腔室达到所述设定压力。
22、此处，所述第二传感器包括气体感测器，所述控制模块可以控制所述供气模块，使得当所述气体感测器感测到所述第三下部腔室的氧气浓度超过设定氧气浓度时，投入所述防御气体，使所述第三下部腔室达到所述设定氧气浓度。
23、此处，所述第三上部腔室和所述第三下部腔室可以被形成为占据相互独立的区域。
24、此处，还包括：排气模块，其与所述第三腔室相连通；以及控制模块，其被构成为控制所述排气模块，所述控制模块可以控制所述排气模块，使得在所述第一腔室对所述物体进行正常处理时，以防供给至所述第三腔室的所述防御气体被排放。
25、此处，还包括：感测模块，配置在所述第三腔室内；排气模块，与所述第一腔室、所述第二腔室及所述第三腔室相连通；以及控制模块，其被构成为控制所述排气模块，所述控制模块可以控制所述排本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高压基板处理装置，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，所述第3-1腔室和所述第3-2腔室被形成为占据相互独立的区域。
3.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，所述第三压力比所述第一压力及所述第二压力更是偏向于所述外部的压力的值。
4.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，还包括控制模块，用于控制所述供气模块的运行，
5.根据权利要求4所述的高压基板处理装置，其中，还包括感测模块，所述感测模块，具备：用于感测所述第3-1腔室内的环境的第一传感器、以及用于感测所述第3-2腔室内的环境的第二传感器，
6.根据权利要求5所述的高压基板处理装置，其中，所述第一传感器包括压力计，
7.根据权利要求5所述的高压基板处理装置，其中，所述第二传感器包括气体感测器，
8.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，还包括：
9.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，还包括：
10.根据权利要求9所述的高压基板处理装置，其中，所述控制模块控制
11.根据权利要求10所述的高压基板处理装置，其中，所述供气模块，包括：
12.根据权利要求9所述的高压基板处理装置，其中，所述感测模块包括压力计及气体感测器中的至少一个，
13.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，所述物体包括半导体基板，
14.一种高压基板处理装置，其中，包括：
15.根据权利要求14所述的高压基板处理装置，其中，所述第三压力低于所述第一压力及所述第二压力，并且，比所述第一压力及所述第二压力更是偏向于所述外部的压力的值。
16.根据权利要求14所述的高压基板处理装置，其中，还包括控制模块，用于控制所述供气模块，
17.根据权利要求16所述的高压基板处理装置，其中，还包括感测模块，所述感测模块，具备：用于感测所述第三上部腔室内的环境的第一传感器、以及用于感测所述第三下部腔室内的环境的第二传感器，
18.根据权利要求17所述的高压基板处理装置，其中，所述第一传感器包括压力计，
19.根据权利要求17所述的高压基板处理装置，其中，所述第二传感器包括气体感测器，
20.根据权利要求16所述的高压基板处理装置，其中，所述第三上部腔室和所述第三下部腔室被形成为占据相互独立的区域。
21.根据权利要求14所述的高压基板处理装置，其中，还包括：
22.根据权利要求14所述的高压基板处理装置，其中，还包括：
23.根据权利要求22所述的高压基板处理装置，其中，所述控制模块控制所述供气模块，使得当所述第三腔室排气时，向所述第三腔室供给所述防御气体以稀释所述工艺气体。
24.根据权利要求23所述的高压基板处理装置，其中，所述供气模块，包括：
25.根据权利要求22所述的高压基板处理装置，其中，所述感测模块包括压力计及气体感测器中的至少一个，
26.根据权利要求14所述的高压基板处理装置，其中，所述物体包括半导体基板，
...【技术特征摘要】
1.一种高压基板处理装置，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，所述第3-1腔室和所述第3-2腔室被形成为占据相互独立的区域。
3.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，所述第三压力比所述第一压力及所述第二压力更是偏向于所述外部的压力的值。
4.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，还包括控制模块，用于控制所述供气模块的运行，
5.根据权利要求4所述的高压基板处理装置，其中，还包括感测模块，所述感测模块，具备：用于感测所述第3-1腔室内的环境的第一传感器、以及用于感测所述第3-2腔室内的环境的第二传感器，
6.根据权利要求5所述的高压基板处理装置，其中，所述第一传感器包括压力计，
7.根据权利要求5所述的高压基板处理装置，其中，所述第二传感器包括气体感测器，
8.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，还包括：
9.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，还包括：
10.根据权利要求9所述的高压基板处理装置，其中，所述控制模块控制所述供气模块，使得当所述第3-1腔室排气时，向所述第3-1腔室供给所述防御气体以稀释所述工艺气体。
11.根据权利要求10所述的高压基板处理装置，其中，所述供气模块，包括：
12.根据权利要求9所述的高压基板处理装置，其中，所述感测模块包括压力计及气体感测器中的至少一个，
13.根据权利要求1所述的高压基板处理装置，其中，所述物体包括半导体基板，
14.一种高压基板处理装置...
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