【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于向高压处理装置的腔室供给气体或从该腔室排出气体的气箱组件。
技术介绍
1、一般，在进行半导体器件的制造工艺的过程中，对半导体基板进行各种处理。这种处理，例如有氧化、氮化、硅化、离子注入及化学气相沉积(cvd：chemical vapordeposition)工艺等。还有氢或氘热处理工艺，用以改善半导体器件的界面性能。
2、用于处理的气体以高压供给至腔室，并作用于半导体基板。气体由气箱供给到腔室，并从腔室排出。
3、若在供气和排气过程中发生气体泄漏，则会发生不仅污染周围，还会发生因着火引起火灾等问题。随着处理工艺的温度升高，尤其排出的气体温度也升高，所以，气箱内着火的风险也增高。当处理温度高于气体的自燃温度时，因泄漏而着火的危险会变得更大。
技术实现思路
1、技术问题
2、本专利技术的一目的在于，提供一种用于高压处理装置的气箱组件，其即使在高温下执行处理工艺，在执行工艺的过程中其结构上能预防在气箱内因气体泄漏而发生着火的危险。
3、解决问题的手段
4、为了实现所述课题，根据本专利技术的一侧面的用于高压处理装置的气箱组件，其中，可以包括：壳体，具备内部空间；供给模块，被构成为配置在所述内部空间内，用于向高压处理装置的腔室供给工艺气体；排气模块，被构成为用于排出处理所述腔室中的物体之后产生的气体；以及填充模块，被构成为用于向所述内部空间以高于所述壳体的外部压力的压力填充保护气体，从而，阻止外部空气流入所述内
5、此处，根据所述保护气体的填充而在所述内部空间产生的压力可以为比供给所述工艺气体而在所述腔室产生的压力更偏向所述外部压力的值。
6、此处，根据所述保护气体的填充而在所述内部空间产生的压力可以为低于流在所述供给模块内的所述工艺气体的压力的值。
7、此处，还包括：感测模块，用于感测所述内部空间的环境；以及控制模块，被构成为用于控制所述填充模块，所述控制模块可根据所述感测模块的感测结果来控制所述填充模块。
8、此处，所述感测模块包括压力计，所述控制模块可以控制所述填充模块，使得当所述压力计感测到的所述内部空间的压力小于设定压力时，填充所述保护气体，使所述内部空间达到所述设定压力。
9、此处，还包括：感测模块，用于感测所述内部空间的环境；排放模块，被构成为用于排出所述内部空间的气体；以及控制模块，被构成为用于控制所述排放模块，所述控制模块可以被构成为当根据所述感测模块的感测结果判断从所述供给模块和所述排气模块中的至少一个到所述内部空间已发生气体泄漏时，使所述排放模块运行。
10、此处，所述控制模块可以控制所述填充模块，使得在排出所述内部空间的气体的过程中，向所述内部空间填充所述保护气体以稀释所述气体。
11、此处，所述填充模块可以包括气体调整填充器，所述气体调整填充器被构成为将所述保护气体调整流量填充到所述内部空间。
12、此处，所述填充模块可以包括紧急开闭填充器，所述紧急开闭填充器被构成为在所述气体的排放过程中以最大设定流量向所述内部空间内充入所述保护气体。
13、此处，所述感测模块包括压力计及气体感测器中的至少一个，所述控制模块，当所述压力计感测到的所述内部空间的压力超过设定压力或者所述气体感测器感测到所述工艺气体时，可以判断为发生了所述气体泄漏。
14、此处，还包括：感测模块，用于感测所述内部空间的环境；流入模块，被构成为将所述外部空气流入所述内部空间；以及控制模块，被构成为用于控制所述流入模块，所述控制模块可根据通过所述感测模块感测到的所述内部空间的氧气浓度来运行所述流入模块，以控制所述内部空间的氧气浓度达到设定氧气浓度。
15、此处，所述物体可以包括半导体基板，所述工艺气体可以包括氢气、氘气、氟气、氨气及氯气中的至少一种，所述保护气体可以包括惰性气体。
16、根据本专利技术的另一侧面的用于高压处理装置的气箱组件，可以包括：壳体，具备内部空间；排气模块，配置在所述内部空间，用于排出在高压处理装置的腔室中以高于所述处理工艺气体的燃点的温度处理物体时产生的气体；以及填充模块，被构成为将保护气体以高于所述壳体的外部压力的压力充入所述内部空间，从而，阻止外部空气流入所述内部空间。
17、此处，还包括：感测模块，用于感测所述内部空间的环境；排放模块，被构成为用于排放所述内部空间的气体；以及控制模块，被构成为用于控制所述排放模块，所述控制模块可以被构成为当根据所述感测模块的感测结果判断为已发生从所述排气模块到所述内部空间的气体泄漏时，使所述排放模块运行。
18、此处，还包括：感测模块，用于感测所述内部空间的环境；流入模块，被构成为将所述外部空气流入至所述内部空间；以及控制模块，被构成为用于控制所述流入模块，所述控制模块可根据通过所述感测模块感测到的所述内部空间的氧气浓度来运行所述流入模块，以控制所述内部空间的氧气浓度达到设定氧气浓度。
19、专利技术效果
20、根据如上所述构成的本专利技术的用于高压处理装置的气箱组件，用于将工艺气体供给至处理腔室的供给模块和用于从腔室中排出处理后气体的排气模块安装在壳体的内部空间，并具备填充模块以高于壳体的外部压力的压力向内部空间填充保护气体，因此，外部空气不会流入内部空间。结果，即使工艺气体从供给模块或排气模块泄漏到内部空间中，也可以在结构上消除泄漏的工艺气体与外部空气(氧气)相遇而着火的可能性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于高压处理装置的气箱组件，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，根据所述保护气体的填充而在所述内部空间产生的压力为比供给所述工艺气体而在所述腔室产生的压力更偏向所述外部压力的值。
3.根据权利要求1所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，根据所述保护气体的填充而在所述内部空间产生的压力为低于流在所述供给模块内的所述工艺气体的压力的值。
4.根据权利要求1所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，还包括：
5.根据权利要求4所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，所述感测模块包括压力计，
6.根据权利要求1所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，还包括：
7.根据权利要求6所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，所述控制模块控制所述填充模块，使得在排出所述内部空间的气体的过程中，向所述内部空间填充所述保护气体以稀释所述气体。
8.根据权利要求7所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，所述填充模块包括气体调整填充器，所述气体调整填充器被构成为将所述保护气体调整
9.根据权利要求7所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，所述填充模块包括紧急开闭填充器，所述紧急开闭填充器被构成为在所述气体的排放过程中以最大设定流量向所述内部空间内充入所述保护气体。
10.根据权利要求6所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，所述感测模块包括压力计及气体感测器中的至少一个，
11.根据权利要求1所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，还包括：
12.根据权利要求1所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，所述物体包括半导体基板，
13.一种用于高压处理装置的气箱组件，其中，包括：
14.根据权利要求13所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，还包括：
15.根据权利要求13所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于高压处理装置的气箱组件，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，根据所述保护气体的填充而在所述内部空间产生的压力为比供给所述工艺气体而在所述腔室产生的压力更偏向所述外部压力的值。
3.根据权利要求1所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，根据所述保护气体的填充而在所述内部空间产生的压力为低于流在所述供给模块内的所述工艺气体的压力的值。
4.根据权利要求1所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，还包括：
5.根据权利要求4所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，所述感测模块包括压力计，
6.根据权利要求1所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，还包括：
7.根据权利要求6所述的用于高压处理装置的气箱组件，其中，所述控制模块控制所述填充模块，使得在排出所述内部空间的气体的过程中，向所述内部空间填充所述保护气体以稀释所述气体。
8.根据权利要求...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。