本发明公开一种高压半导体装置以及其制作方法，其中该高压半导体装置包括半导体基底、第一漂移区、栅极结构、第一子栅极结构、第一间隙壁结构、第二间隙壁结构以及第一绝缘结构。第一漂移区设置在半导体基底中。栅极结构设置在半导体基底上并与第一子栅极...

本发明公开一种硅

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法主要包括先形成第一金属间介电层于基底上，然后形成沟槽以及两个接触洞于第一金属间介电层内，形成一金属层于该两个接触洞以及沟槽内以形成一金属内连线以及一自旋轨道转矩式(spin...

本发明提供一种半导体结构及其制造方法。上述半导体结构包括以下构件。第一基底具有彼此相对的第一面与第二面。异质结双极晶体管器件位于第一基底上，且包括集电极、基极与发射极。第一互连线结构电连接至基极。第一互连线结构位于第一面上且延伸至第二面...

本发明公开一种静电放电保护装置，其包括半导体基底、栅极结构、源极掺杂区、漏极掺杂区、多个源极硅化物图案以及多个漏极硅化物图案。栅极结构设置在半导体基底上。源极掺杂区与漏极掺杂区设置在半导体基底中且分别位于栅极结构在第一方向上的两相对侧。...

本发明公开了一种底针扎式自旋轨道力矩磁性存储器及其制作方法，其中该底针扎式自旋轨道力矩磁性存储器包含一基底、一下电极层位于该基底上、一磁隧穿结位于该下电极层上、一自旋轨道力矩层位于该磁隧穿结上、一覆盖层位于该自旋轨道力矩层上、以及一注入...

本发明提出了一种自旋轨道力矩磁性存储器电路与其布局，其中该自旋轨道力矩磁性存储器电路包含一读取晶体管对，具有两个并联的读取晶体管、一写入晶体管对，具有两个并联的写入晶体管、一自旋轨道力矩磁性存储器单元，具有一磁隧穿结以及一自旋轨道力矩层...

本发明公开一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torque,SOT)层于该MTJ上，形成一金属间...

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法主要先提供一基底包含一高压区以及一低压区，形成多个第一鳍状结构于该高压区，再进行一氧化制作工艺以形成一栅极氧化层于该等第一鳍状结构上并接触该等第一鳍状结构。在本实施例中，栅...

本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置的制作方法包括下列步骤，在基底上形成第一金属间介电层。在第一金属间介电层上形成盖层。在基底上形成连接结构贯穿盖层与第一金属间介电层。在连接结构与盖层上形成磁性隧穿结堆叠。对磁性隧穿结堆...

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，先提供一基底包含一高压区以及一低压区，然后形成一基座于该高压区以及多个鳍状结构于该低压区，形成一第一绝缘层环绕该等鳍状结构，去除该基座、该第一绝缘层以及部分该等鳍状结构...

本发明公开一种功率元件及其制作方法，其中该功率元件包含：基底；离子阱，位于基底中；基体区，位于离子阱中；源极掺杂区，位于基体区中；漏极掺杂区，位于离子阱中；以及多个栅极，设置在源极掺杂区和漏极掺杂区之间的基底上。多个栅极包含与源极掺杂区...

本发明公开一种半导体元件，包含：基底；第一晶体管，设置于所述基底上；第二晶体管，设置在邻近所述第一晶体管的所述基底上；至少一层间介电层，覆盖所述第一晶体管与所述第二晶体管；第一应力诱发虚设金属图案，设置在所述至少一层间介电层上并位于所述...

本发明公开一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括基底、第一晶体管以及第二晶体管。基底包括高压区以及低压区。第一晶体管设置在高压区内，包括设置在基底的第一平面上的第一栅极介电层，以及设置在第一栅极介电层上的第一栅极电极，其中，第一栅极...

本发明公开一种中压电晶体晶体管及其制作方法，其中该中压晶体管的制作方法包含提供一基底，基底上定义有一栅极预定区，接着形成一掩模层仅覆盖部分的栅极预定区，然后进行一第一离子注入制作工艺，在掩模层的两侧的基底中注入掺质以形成两个第一浅掺杂区...

本发明公开一种裸片密封环结构，其主要包含一金属内连线结构设于一基底上，其中金属内连线结构又细部包含一金属间介电层设于基底上以及第一金属层设于金属间介电层内。更具体而言，第一金属层的第一边于俯视角度下包含一梳状部，第一金属层的第二边包含一...

本发明公开一种制作物理不可复制功能(physically unclonable function,PUF)元件的方法，其主要先定义一PUF单元区域于一基底上，再进行一步骤以形成一缺陷于该PUF单元区域上。其中形成缺陷的步骤又包含形成一浅...

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一金属间介电层于一基底上，然后形成一金属内连线于第一金属间介电层内，形成一下电极层以及一固定层于第一金属间介电层上，形成一牺牲层于该固定层上，图案化该牺牲层、该...

本发明公开一种高压晶体管及其制作方法，该制作方法包含提供一高压晶体管，高压晶体管包含一基底，一栅极结构设置在基底上，一源极漂移区和一漏极漂移区分别位于栅极结构两侧并且埋入于基底中，一源极设置于源极漂移区中，一漏极设置于漏极漂移区中，其中...

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件主要包含一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)设于一基底上，一第一间隙壁设于MTJ一侧以及一第二间隙壁设于MTJ另一侧，其中第一间隙壁及第二间隙...