储器电容器的制造方法：在衬底上形成第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层与第一多晶硅层；形成光刻胶层限定电容器外框；蚀刻第一多晶硅层与第二氧化层至氮化硅层；去光刻胶层；硅衬底上方淀积第三氧化层并蚀刻至氮化硅层；蚀刻第一氧化层露出硅衬底并在其上...

一种半导体元件电容器的制造方法，其主要是利用自动对准制作工艺形成冠状的电容器下电极结构，克服现有技术的设计规则、光源解析度对尺寸大小的限制，并解决对准误差的问题，还利用在冠状多晶硅层结构上沉积一半球颗粒多晶硅层，藉以增加电容器下电极的表...

一种在半导体基底上进行离子注入的方法，包括步骤：在基底的至少一部分表面上形成一第一表面层，其中第一表面层的厚度最小比一厚度值ｔ小１０％，该厚度值ｔ这样确定：在晶格再生长方向之间选择一所需角度θ；决定离子注入于基底的距离Ｒｐ的一个突起范围...

一种光刻蚀刻制作工艺，适用于一基底上，其步骤如下，首先在基底上形成欲图案化的材料层，再在此材料层上形成氮氧化硅层，此氮氧化硅层的厚度至少大于８００埃。接着于此氮氧化硅层上形成图案化的光致抗蚀剂层，再以此光致抗蚀剂层为掩模除去暴露出的氮氧...

一种集成抗反射层与自行对准硅化物块的方法，至少包含：提供至少可分为检测器区域与晶体管区域的衬底其中检测器区域至少包含掺杂区而晶体管区域至少包含由栅极、源极与漏极所形成的晶体管；形成复合层在衬底上，此复合层同时覆盖掺杂区与晶体管，并且是用...

本发明关于一种形成电容器的方法，包含射频等离子体清洗步骤，以除去原始氧化层或金属氧化物。等离子体清洗步骤是使用至少含氟原子气体或含氟原子气体作为清洗气体，然后活化此清洗气体形成等离子体清洗气体，再将此等离子体清洗气体与电容器的电极表面接...

一种降低内连线之间的电容的方法与构造，其是在每一金属内连线上依次形成一氧化物层及一第一阻挡层，之后沉积一第一内金属电介质层在第一阻挡层上，并以化学机械研磨法研磨第一内金属电介质层至第一阻挡层，再经回蚀刻至氧化物层的厚度之间，接着在具有氧...

本发明提供一种降低一半导体晶片上的金属导线电致迁移现象的方法。该方法是首先于该半导体晶片表面以及一金属层表面形成一缓冲层，然后进行一离子注入制作工艺，将离子注入该金属层上的缓冲层内。最后进行一热制作工艺，将该离子趋入于该金属层内的晶界间...

一种选择性半球形硅晶粒制作工艺，适用于一基底，此基底上形成有一多晶硅电容器下电极，而此多晶硅电容器下电极上形成有一原生氧化层。此制作工艺的步骤如下：首先，以一卤化物为反应气体，对此基底进行一等离子反应，使得多晶硅电容器下电极上的原生氧化...

一种形成栅极的方法，此栅极是一多晶硅化金属栅极。此方法至少包括提供一栅极氧化层在一衬底上。然后，沉积一多晶硅层在栅极氧化层上。接着，进行一氮化工艺形成一粘合层在多晶硅层的表面上。之后，再依序地沉积一阻挡层和一金属硅化物层在粘合层上。最后...

一种多晶硅化钨栅极的制造方法，适用于一基底上，其步骤如下：首先于基底上形成一栅氧化层，再将基底移入可用来作多晶硅沉积的一设备中，然后进行第一多晶硅沉积程序与第二多晶硅沉积程序，以先后于栅氧化层上沉积第一多晶硅层与第二多晶硅层。接着于第二...

一种化学机械研磨异常探测装置包括：电动机；逆变器；控制电路，控制逆变器输出的交流电流及工作与否；转速传感器，将电动机的转速转换为转速信号并输出至控制电路；电流探测器，检测电动机的交流电流，并且输出电流信号至中继控制器，中继控制器因此向机...

一种双重金属镶嵌结构的制造方法包括：提供一基底，基底上具有一绝缘层，绝缘层中具有一双重金属镶嵌式开口，在此开口中覆盖衬层与金属层，再覆盖一层顶盖层，以金属层研磨液或顶盖层研磨液进行顶盖层的化学机械研磨，将双重金属镶嵌式开口以外上方的顶盖...

一种具有低掺杂漏极结构的互补式金属氧化物半导体的制造方法，其在栅极侧壁未形成间隙壁的情形下，形成覆满基底的一扩散层。接着于ＮＭＯＳ有源区上的扩散层中掺杂一ｎ型离子，并于ＰＭＯＳ有源区上的扩散层中掺杂一ｐ型离子。接下来进行一退火步骤，以使...

一种电容器的连线结构的制造方法，先提供已形成电容器的基底，电容器由金属下电极板、介电层及金属上电极板所构成，其中金属下电极板与基底电连接。在基底与金属上电极板上覆盖旋涂式介电层，使基底上方旋涂式介电层的厚度大于金属上电极板上方的旋涂式介...

一种自行对准位线接触窗与节点接触窗制造方法，其主要特征如下：其一，将周边ＭＯＳ之间隙壁蚀刻步骤移至其本身的源极／漏极区离子注入步骤之前，而共用同一光致抗蚀剂层为掩模。其二，同时形成自行对准位线（节点）接触窗开口与周边ＭＯＳ栅极上方的周边...

一种改善光致抗蚀剂图案侧边轮廓的方法，在定义光致抗蚀剂的曝光显影步骤之后，在温度处于该光致抗蚀剂的玻态转换温度之下进行硬烤步骤，以使光致抗蚀剂得以回流整型，以避免顶凸角的产生，降低掩模误差因素，并提高了关键尺寸的均匀度。该硬烤步骤又可以...

一种在亲水性介电材质上形成低介电常数材质的方法，包括提供一基底，基底上已形成有一低介电常数介电层及在此低介电常数介电层上形成有一亲水性介电层。形成一ＨＭＤＳ［（（ＣＨ↓［３］）↓［３］Ｓｉ）↓［２］ＮＨ］附着层于此亲水性介电层上。在此Ｈ...

一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法，包括在基底上形成覆盖住晶体管的第一绝缘层；形成穿过该绝缘层并与漏和源极之一连接的第一导电层；形成柱状层及其侧壁的第二导电层；在各导电层上交替形成第一和第二膜层；在第二膜层上方形成第二绝缘层；形成...

揭示了一种以镶嵌工艺形成选通晶体管的方法。至少包括在衬底上提供栅极介电层；在栅极介电层上依次形成第一栅极层和第一氧化硅层；蚀刻第一氧化硅层至暴露出第一栅极层的部分以形成开口；在开口内在第一氧化硅层的侧壁上形成第一间隙壁，并在开口内填入第...