具有电容器的半导体存储器件制造技术

一种具有电容器的半导体存储器件，包括一基底、一形成在该基底上的转移晶体管与一与转移晶体管有漏极和源极区之一电连接的存储电容器。存储电容器包含一类树干状导电层、至少一第一类树枝状导电层、一第二类树枝状导电层、一介电层与一上导电层，其中类树干状导电层电连接到漏极和源极区之一，而类树枝状导电层的一末端连接在类树干状导电层的上表面上，构成存储电容器的一存储电极，而上导电层则构成一相对电极。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有电容器的半导体存储器件，特别是涉及一种动态随机存取存储器(DRAM)的一存储单元(Memory Cell)结构，其包含一转移晶体管(Transfer Transistor)和一树型(tree-type)存储电容器。附图说明图1是一DRAM器件的一存储单元的电路示意图。如图所示，一个存储单元是由一转移晶体管T和一存储电容器C组成。转移晶体管T的源极连接到一对应的位线BL，漏极连接到存储电容器C的一存储电极6(storageelectrode)，而栅极则连接到一对应的字线WL。存储电容器C的一相对电极8(opposed electrode)连接到一固定电压源，而在存储电极6和相对电极8之间则设置一介电膜层7。在传统DRAM的存储容量少于1Mb时，在集成电路制作工艺中，主要是利用二维空间的电容器来实现，亦即泛称的平板型电容器(planartypecapacitor)。一平板型电容器需占用半导体基底的一相当大的面积来储存电荷，故并不适合应用于高度的集成化。高度集成化的DRAM，例如大于4Mb的存储容量时，需要利用三维空间的电容器来实现，例如所谓的叠层型(stack本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有电容器的半导体存储器件包括：一基底；一转移晶体管，形成在该基底上，并包括漏极和源极区；以及一存储电容器，电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，该存储电容器包括一类树干状导电层，具有一底部，电连接到该转移晶体管的该 漏极和源极区之一上，该类树干状导电层又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向，从该底部延伸出一段距离后，再以大致水平的方向往四周延伸出，至少一类树枝状导电层，具有一似Ｌ形的剖面，该类树枝状导电层的一末端连接在该类树干状导电层的上表面上，该 类树干状导电层和类树枝状导电层构成该存储电容器的一存储电极，一介电层，形成在该类树干状导电层和类树枝...

【技术特征摘要】
1.一种具有电容器的半导体存储器件包括一基底；一转移晶体管，形成在该基底上，并包括漏极和源极区；以及一存储电容器，电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，该存储电容器包括一类树干状导电层，具有一底部，电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，该类树干状导电层又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向，从该底部延伸出一段距离后，再以大致水平的方向往四周延伸出，至少一类树枝状导电层，具有一似L形的剖面，该类树枝状导电层的一末端连接在该类树干状导电层的上表面上，该类树干状导电层和类树枝状导电层构成该存储电容器的一存储电极，一介电层，形成在该类树干状导电层和类树枝状导电层暴露出的表面上；以及一上导电层，形成在该在介电层上，以构成该存储电容器的一相对电极。2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该类树干状导电层具有一似T型的剖面。3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该类树干状导电层具有一似U型的剖面。4.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中该类树枝状导电层的该末端连接在该类树干状导电层的上表面上。5.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中该类树枝状导电层的该末端连接在该类树干状导电层的上表面上。6.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该类树枝状导电层大致上呈中空筒状。7.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该存储电容器包括两个大致平行的类树枝状导电层，每一个均具有一似L形的剖面，且其一末端均连接在该类树干状导电层的上表面上。8.一种具有电容器的半导体存储器件包括一基底；一转移晶体管，形成在该基底上，并包括漏极和源极区；以及一存储电容器，电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，该存储电容器包括一类树干状导电层，具有一底部，电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，该类树干状导电层又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向，从该底部延伸出一段距离后，再以大致水平方向往四周延伸出，至少一第一类树枝状...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵芳庆，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]