绝缘层上有硅的动态随机存取存储器及其制作方法技术

一种动态随机存取存储器绝缘层上有硅的结构和制作方法包括：一氧化埋层上覆盖有硅表层且在硅基底之上；多个场氧化区域，形成并延伸过该基底的硅表层，且与该硅氧化埋层接触；多个栅极氧化层、多个栅电极和多个源／漏极区；一渠沟，开放并穿过转换场效应晶体管的源／漏极区间；沉积一多晶硅层以排列渠沟，并对该多晶硅层构图以形成至少部分存储电容器的低电极；多个低电容电极，覆盖着一薄介电层；一掺杂多晶硅的高电容电极。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种动态随机存取存储器(DRAM)绝缘层上有硅(Silicon OnInsulator；SOI)的结构和工艺，特别是涉及一种改进的绝缘层上有硅的制造方法，以增加操作时的速度和软错免疫力(Soft-Error Immunity)。DRAM包含一个阵列的电荷存储电容器(Storage Capacitor)和一个对应阵列的转换场效应晶体管，在进行数据的读取与写入的操作时，此DRAM的转换场效应晶体管可以用作开关(Switch)，其一边耦合到电荷存储电容器，另一边则耦接到相关的位线(bit line)。一个典型的DRAM存储单元包含一个电荷存储电容器和一个转换场效应晶体管，该转换场效应晶体管有一与位线相接的源/漏极区和第二个相接于电荷存储电容器的电极的源/漏极区。为了获得高密度的DRAM，转换场效应晶体管和电荷存储电容器均制造得很小，并且很紧密地聚集在一起，邻近的DRAM存储单元也尽可能地靠近聚集，这些紧密相临的DRAM存储单元之间有侧面的绝缘结构，例如场氧化区域(FieldOxide Isolation Regions)。在相邻的场效应晶体管的源/漏极区间，这些场氧化绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种动态随机存取存储器绝缘层上有硅的结构，该结构包括： （ａ）一基底，具有硅表层，并覆盖着硅氧化埋层； （ｂ）一场绝缘区域，形成于该基底的表面，延伸过该基底的硅表层，并与该硅氧化埋层接触，为该硅表层上的有源器件区； （ｃ）一第一和第二源／漏极区，形成于该有源器件区之中，为该硅表层上的通道区； （ｄ）一栅极氧化层，形成在该通道区上； （ｅ）一栅极电极，在栅极氧化层上； （ｆ）一渠沟，形成于该第一和第二源／漏极区，通过硅表层且进入硅氧化埋层中； （ｇ）一低电容电极，延伸至该渠沟； （ｈ）一介电层，在该低电容电极上；以及 （ｉ）一高电容电极。

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器绝缘层上有硅的结构，该结构包括(a)一基底，具有硅表层，并覆盖着硅氧化埋层；(b)一场绝缘区域，形成于该基底的表面，延伸过该基底的硅表层，并与该硅氧化埋层接触，为该硅表层上的有源器件区；(c)一第一和第二源/漏极区，形成于该有源器件区之中，为该硅表层上的通道区；(d)一栅极氧化层，形成在该通道区上；(e)一栅极电极，在栅极氧化层上；(f)一渠沟，形成于该第一和第二源/漏极区，通过硅表层且进入硅氧化埋层中；(g)一低电容电极，延伸至该渠沟；(h)一介电层，在该低电容电极上；以及(i)一高电容电极。2.如权利要求1所述的结构，其中该低电容电极包含多晶系的第一层，连接于该第一源/漏极区和该硅氧化埋层。3.如权利要求2所述的结构，其中该低电容电极延伸过该硅氧化埋层和该多晶系的第一层，连接于该硅氧化埋层之下的基底。4.如权利要求3所述的结构，其中该低电容电极延伸进入在该硅氧化埋层之下的基底，深度至少约1000埃。5.如权利要求2所述的结构，其中该场绝缘区域包含硅氧化物。6.如权利要求2所述的结构，其中高电容电极包含多晶系的第二层。7.如权利要求6所述的结构，包括一绝缘薄膜，覆盖在栅极上，渠沟延伸过绝缘薄膜，而低电容电极延伸于该绝缘薄膜表面。8.一种动态随机存取存储器绝缘层上有硅的制作方法，该方法的步骤包括(a)提供一...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙世伟，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]