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绝缘层上有硅的动态随机存取存储器及其制作方法技术
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文档序号:3221472
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一种动态随机存取存储器绝缘层上有硅的结构和制作方法包括:一氧化埋层上覆盖有硅表层且在硅基底之上;多个场氧化区域,形成并延伸过该基底的硅表层,且与该硅氧化埋层接触;多个栅极氧化层、多个栅电极和多个源/漏极区;一渠沟,开放并穿过转换场效应晶体管...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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