一种半导体装置，在载体基板（１１）背面所设的连接盘（１２ａ）上，形成熔点比突出电极（２４）还低的突出电极（１７），通过在比突出电极（２４）的熔点还低、比突出电极（１７）的熔点还高的温度下进行回流焊处理，可以使突出电极（１７）接合在母基板...

一种单片搬送装置和单片搬送方法，在搬送制造对象物的单片搬送装置（２０）中，具有传送带（４０）和多个台架（４１）；该传送带（４０）用于向搬送方向搬送制造对象物；该多个台架（４１）在传送送带（４０）上沿着利用传送带（４０）搬送制造对象物的搬...

一种制造对象物的制造装置及制造对象物的制造方法。制造对象物的制造装置（１０）用于搬送制造对象物、并由多个处理装置对制造对象物进行处理，设置有向处理装置（２３）、（１２３）搬送制造对象物的多个搬送装置（２０）、（１２０），配置在多个搬送装...

一种移载装置、搬送装置以及移载方法。移载装置（１）设置在具有支承搬送对象物（Ｗｆ）的支承机构（５１），沿着对搬送对象物（Ｗｆ）进行处理的处理装置（２３）、（２４）、（２６）、（２７）设置、规定支承机构（５１）移动方向的导向机构（５３），...

一种电子装置，具有：形成配线图案（２２）的基板（２０）；具有形成衬垫（１４）的第１面（１２）及其相反侧的第２面（１８），第２面（１８）相向于基板（２０）装载的芯片零件（１０）；形成于衬垫（１４）上的比衬垫１４更难以氧化的金属层（１５）；...

本发明公开了一种压电元件形成部件。其中，第一内部电极层和第二内部电极层交替层叠同时在两者之间夹入压电层。所述第一内部电极层至少暴露到所述衬底的第一端面，并且第二内部电极层至少暴露到所述衬底的与所述第一端面相对的第二端面。第一外部电极层形...

本发明的特征在于：具有分别形成成膜图案的多个成膜层、分别在上述多个成膜层之间形成的层间膜、在上述层间膜中平坦化的层间膜之下的成膜层上形成的多个层间膜下侧布线图案、为了将上述多个层间膜下侧布线图案与上述平坦化的层间膜的上层的成膜图案之间连...

一种器件，通过液滴喷出，在基板（Ｐ）上的布线图形区域（ＰＩ）中布线导电性膜（３１），在基板（Ｐ）上的布线图形区域（ＰＩ）的外侧（ＰＯ），通过液滴喷出形成与导电性膜（３１）电分离的第２导电性膜（３２）。根据本发明的器件，不产生膜厚不均，消...

一种电极膜的制造方法，是在基板上形成电极膜的电极膜制造方法，首先，在基板上将电极材料的初期结晶核形成为岛状，之后使初期结晶核生长，以形成电极材料的生长层。而且，形成初期结晶核时的基板温度比形成生长层时的基板温度高。

一种强电介质电容器的制造方法，首先，在基体上形成下部电极。然后，在下部电极上，形成由含有Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ及Ｎｂ的ＰＺＴＮ复合氧化物构成的强电介质膜，在强电介质膜上形成上部电极。然后，以覆盖下部电极、强电介质膜及上部电极的方式，形成保护膜...

防止层叠的半导体封装二次安装时位置偏离，并且抑制半导体封装之间的剥离。半导体封装ＰＫ１，ＰＫ２经突出电极１３彼此接合，在半导体封装ＰＫ１，ＰＫ２之间，不与半导体芯片３接触地在分别与突出电极１３接触的状态下在突出电极１３的周围设置树脂１５。

考虑封装的翘曲并提高三维安装时的连接可靠性。设定对应突出电极（２９ａ），（２９ｂ）分别设置的开口部（１３ａ），（１３ｂ）的开口直径使之从载体基板（１１）的中央部向外周部慢慢减小，同时设定分别对应突出电极（２９ａ），（２９ｂ）设置的开口部...

本发明提供一种电子部件的制造方法，该方法可再利用多余的导电性粒子，而且可将电子部件和对方侧基板可靠地电连接。该方法包括：在形成有电子部件（４０）的电极焊盘（４２）的晶片的有源面上形成在该电极焊盘（４２）的上方带有开口部的规定高度的掩模的...

一种半导体装置的制造方法，在包含电连接于集成电路（１２）上的焊点（１６）的半导体基板（１０）中形成与焊点（１６）电连接的布线层（２０）；覆盖布线层（２０）地形成树脂层（２２）；在树脂层（２２）与布线层（２０）交迭的区域中，通过第１方法形...

一种半导体装置，包括：含有电连接于集成电路（１２）上的焊点（１６）的半导体芯片（４０）；与焊点（１６）电连接的布线层（２０）；设置成接合在布线层（２０）的凹部（２６）上的外部端子（２８）；和形成有与凹部（２６）交迭的贯穿孔（２４）并设置...

一种半导体装置的制造方法，在包含电连接于集成电路（１２）上的焊点（１６）的半导体基板（１０）上，形成与焊点（１６）电连接的布线层（２０）；覆盖布线层（２０）地形成树脂层（２２）；在树脂层（２２）与布线层（２０）交迭的区域中，通过第１方法...

本发明确保散热性的同时，可以实现不同种类芯片的三维安装结构。半导体芯片（２３）用ＡＣＦ接合法安装在半导体封装ＰＫ１１的上，在其上面，叠层：用引线接合法连接叠层结构的半导体芯片（３３ａ）、（３３ｂ）的半导体封装ＰＫ１２，以半导体芯片（２３...

一种具有阻挡隔膜的密封结构，采用这种密封结构，可以在保证足以抵御水和氧气的阻挡特性以避免对发光层损坏的同时，减小显示装置的整体厚度。该密封结构包括，用于密封基底２上电子元件电子元件部分３的多层树脂隔膜１４ｂ，该隔膜由交替地在基底２上沉积...

利用蚀刻平板印刷技术与喷墨印刷技术相结合制作薄膜电路。提供了非常高分辨率的蚀刻平板印刷技术用于制作晶体管源电极和漏电极、部分互连和电路电极，可以使用高导电材料。利用喷墨印制技术形成半导体区、绝缘体区、栅电极、特别是横跨点互连的其它部分互...

在半导体基板（１０）上从第一面（２０）形成凹部（２２）。在凹部（２２）的底面以及内壁面上设置绝缘层（２８）。在绝缘层（２８）的内侧设置导电部（３０）。通过具有对半导体基板（１０）的蚀刻量大于对绝缘层（２８）的蚀刻量的性质的第一蚀刻剂，对...