佳能株式会社专利技术

佳能株式会社共有23670项专利

  • 本发明提供了低阴影、高能量转换效率、高尺寸自由度、和长时间使用时高可靠性的光伏元件,该光伏元件包括:具有产生光电动势的第一半导体结层的光伏层32;提供在光伏层的光入射一侧的电流收集电极34;并联的旁路二极管,其中旁路二极管形成在电流收集...
  • 一种配有可读和可写存储介质的太阳能电池组件或太阳能电池组件列,在所述存储介质中可写入所述太阳能电池组件的大量信息并可从所述存储介质中读出所需信息。一种包括所述太阳能电池组件或太阳能电池组件列的太阳能电池系统。一种用于监控所述太阳能电池组...
  • 半导体衬底制造工艺,包括:准备第1衬底的步骤,该衬底有经过氢退火的表面层部分;分离层的形成步骤,从表面层部分一侧把氢之类的离子注入第1衬底。从而形成分离层;相互键合第1硅衬底与第2硅衬底的键合步骤,使表面层部分位于内部,从而形成多层结构...
  • 本发明提供了一种光电元件,包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层,它们以面对面的方式结合在一起,其中,透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化,并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高...
  • 一种太阳能电池组件,它具有美观的外形,并在其受光表面上带有大容量信息。存储用于识别太阳能电池组件的存储信息(例如信息包括:日期,过程,额定值,收货地,I-V曲线数据和其它数据)的信息载体是不可见地安置在太阳能电池组件的受光表面侧上的(例...
  • 本发明提供一种制造半导体层的方法,将原料气体引入放电室中,对该室施加高频功率,通过放电分解原料气体,在室中的衬底上形成半导体层,它包括步骤:提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率;对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF...
  • 在由电流镜像电路驱动的光电转换器件中,电流镜像电路是由4个晶体管组成,例如,第一和第二PMOS晶体管和第一和第二NMOS晶体管。配置了一个阴极连到第二PMOS晶体管的漏极上并接收反向偏置的光电二极管。在光电二极管中产生的电子能阻止与光电...
  • 晶体硅层外延生长在表面具有多孔硅层的衬底上。通过液相外延进行外延生长时,硅材料溶入高温的熔融液中,然后把将进行外延的硅衬底浸入熔融液中。然后,其温度逐渐降低,由此从熔融液沉积的硅在硅衬底上外延生长。在这个外延中,主平面是(111)平面的...
  • 为了提供可用作适合制备高频晶体管的SOI衬底的半导体衬底,采用如下制备半导体衬底的方法,该方法具有将含有半导体层区的第一基板与第二基板键合的步骤和去除第一基板而在第二基板留下半导体层区的步骤,其中根据第二基板的成分,确定在键合气氛中p-...
  • 提供了一种计算机处理方法,用于设计光电电力产生系统的安装表面上的太阳能电池模块安装布局。太阳能电池模块的安装信息,根据有关太阳能电池模块的信息、有关安装表面的信息、以及有关太阳能电池模块的安装条件的信息,而得到自动计算,从而被装入安装表...
  • 为了实现多孔层的孔尺寸分布均匀,在硅基底材料的表面上形成包括原子台阶和台面的表面,在不消除该台阶和台面的情况下制成多孔,然后在其上形成非多孔的半导体单晶膜。
  • 一种半导体衬底的制造工艺,包括封闭多孔硅层的表面微孔,然后在多孔硅层上通过外延生长形成单晶层,在封闭之后外延生长之前,在高于封闭时的温度下进行中间热处理。这种工艺改善了具有通过外延生长形成的单晶层的半导体衬底的结晶质量,并且提高了用于键...
  • 本发明提供一种半导体衬底。该衬底包括在多孔层上形成的晶体缺陷较少的非多孔单晶层,并且提供制造该衬底的方法。制造衬底的方法包括在不包含硅型气体的气氛中,热处理多孔层的热处理步骤,和在多孔硅层上生长非多孔单晶硅层的步骤,其中,如此进行热处理...
  • 公开了一种具有非多孔单晶层的多孔硅层的晶体缺陷减少的半导体基片,及形成该基片的方法。该形成方法包括下列步骤:在不包含非多孔单晶层的源气体的气氛中对多孔硅层进行热处理,以及在多孔硅层上生长非多孔单晶层,其中的热处理步骤在一定条件下进行,使...
  • 在衬底上有多个薄膜晶体管和矩阵布线的半导体器件中,为了防止屏板制造过程中的静电破坏和提高生产率,通过电阻电连接矩阵布线。
  • 本发明提供了以高产率分离具有多孔层的粘合的基片叠的技术。涉及的分离设备有一对基片保持部从上下侧夹住粘合的基片叠且水平地保持其转动。由喷嘴喷出射流到基片叠的多孔层中,而于此多孔层将基片叠分离。另一分离设备则具有:一对基片保持部、将流体注入...
  • 淀积膜形成系统具有:至少一个真空容器;向真空容器输送膜形成用原料气体的装置;使原料气体成为等离子体的放电电极;以及供电导体,将高频功率施加至放电电极,该系统包括:接地屏蔽,在真空容器内围绕供电导体设置;和多个电介质材料部件,它们的至少部...
  • 本发明提供一种适用于制造SOI衬底的加工系统。加工系统包括:无向自动控制装置,用以传送由自动操作手保持的键合衬底叠片;以及配置在与无向自动控制装置的驱动轴大致等距离的位置的定中心设备、分离设备、翻转设备、和清洗/干燥设备。当自动操作手在...
  • 本发明是为了提供适合于制造例如SOI衬底的加工系统。加工系统包括,其上按大体上等角度间隔安装有用于保持键合衬底叠片的保持机械装置的转盘、用于使转盘在枢轴上转动预定角度以使由上述的保持机械装置保持的键合衬底叠片或分离的衬底移动到操作位置的...
  • 一种适合用来制造SOI衬底的处理系统,包括一个翻转设备(6130)、对中设备(6120)、清洗/干燥设备(6110)、装料器(6070)、卸料器(6080、6090、6100)和分割设备(6020)。该处理系统还具有一个传送装置,后者在...