一种含静电电容元件的半导体装置及其制造方法，该装置含有由半导体基体上形成的Ａ１区域和在该Ａ１区域表面上形成的Ａ１氧化膜，及将该Ａ１氧化膜夹在中间而与上述Ａ１区域相对的电极构成的电容器；其方法包括两个工序，即通过利用烷基铝氢化物的气体和氢...

一种用于半导体元件直接与半导体元件的半导体区域相连的电极的形状基本上做成方形柱状。当与所说的电极内的半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为Ｌ，另一边为Ｗ，基本上与所说的表面垂直相交的方向的长度为Ｈ时，Ｌ、Ｗ、Ｈ满足Ｌ＞Ｈ＞Ｗ的关系式。

一种元件隔离及金属布线优于现有技术的半导体器件，其元件隔离结构包括形成在掺杂衬底上的元件区域、元件隔离区，以及形成在半导体基体表面上及其背面的金属布线。所述元件隔离区内形成有与金属布线相连、沿纵向延伸的金属淀积层，所述半导体基体借助于与...

半导体器件，包括具有由半导体形成的源和漏区、栅绝缘膜和栅电极区的晶体管，所述源、漏、栅绝缘膜和栅电极沿基片的主表面并列设置，其中至少一部分隐埋在该基片内。根据本发明，能够使ＭＯＳ晶体管的面积小且表面平坦，从而能得到高速且高可靠的ＭＯＳ晶...

本发明提供了一种半导体器件，它具有无任何多余面积的所需的最小元件构成的很少的功能元件。因此，能明显地减小所占面积，并具有第一导电型（例如Ｐ阱）的第一半导体区，和形成在第一半导体区上或下的，具有与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体区（...

一种肖特基结半导体器件，包括由ｎ型半导体构成的第一半导体区；由电阻高于所述第一半导体区的ｎ型半导体构成的第二半导体区；设在所述第二半导体区附近并且上面带孔的绝缘膜；设在所述孔内的电极区；以及设在所述绝缘膜与所述电极区之间接合处的由ｐ型半...

一种含有双极晶体管的半导体器件，设置含有第１导电型的第１半导体区与第１导电型的比前述第１半导区还高的电阻率的第２半导体区的收集区、含有第２导电型的半导体区的基区以及含有第１导电型半导体区的发射区。在该收集区的上述第２半导体区层内，设置了...

一种通过绝缘膜在导电性基底表面上形成导电性薄膜的半导体器件的对准方法，其特征在于包括：在所述绝缘膜上至少形成两个露出所述基底表面的开孔的步骤；在所述开孔内选择地沉积导电材料，在所述开孔中至少一个内形成台阶差的步骤；以及至少在所述绝缘膜上...

本发明为一种半导体部件的制造方法，其特征在于：在多孔单晶半导体区域上形成配置了非多孔单晶半导体区域的部件；在上述的非多孔单晶半导体表面贴以由绝缘物质构成的部件的表面，进行表面贴合之后，用腐蚀法把上述的多孔单晶半导体区域除掉。

本发明是关于多孔硅腐蚀液，使用该腐蚀液的腐蚀方法以及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法，其优点在于，提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液，该腐蚀液可以是氢氟酸；制作半导体基片的制造...

半导体基体材料的制作方法，其特征为具有以下工序：使硅基体形成多孔性后，在该多孔性硅基体上形成非多孔性硅单晶层的工序；通过上述非多孔性硅单晶层将上述多孔性硅基体和绝缘性基体贴合起来的一次贴合式序；在上述一次贴合工序后，用化学腐蚀法将上述多...

一种半导体基体材料的制作方法，包括步骤：使硅基体形成多孔性，在其上以第一种温度形成非多孔性硅单晶层，将该非多孔性硅单晶层表面贴合在表面上有绝缘物的另一基体上，用化学腐蚀方法腐蚀该贴合的基础上多孔性硅而除去多孔性硅，以高于第一温度的第二温...

多孔硅腐蚀液，使用该腐蚀液的腐蚀方法及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法，其优点，提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅，并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液，该腐蚀液可以是氢氟酸。制作半导体基片的制造方法包括如下工序：...

一种直接与半导体元件的半导体区域相连的电极，其形状基本为方柱形。将与所述电极与半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为Ｌ，另一边定义为Ｗ，基本上与所述表面垂直相交方向上的长度定义为Ｈ，则使Ｌ、Ｗ、Ｈ满足Ｌ＞Ｈ＞Ｗ的关系式。

提供一种粘合衬底及其制造工艺，以解决包含在易于使粘合衬底引起诸如破裂、分离和翘曲等麻烦的热处理中出现的问题。使在多孔半导体衬底上外延生长的单晶半导体粘合到一绝缘基片上，通过腐蚀、研磨、或二者之结合去掉该半导体衬底，不进行热处理，即使有，...

本发明试图提供一种稳定持久高产的制造光电换能器方法，其具有高转换效率和高可靠性便于长期耐用，其特征在于，制造光电换能器的方法，其具有在导电基片上形成功能薄膜，它包括用含水的清洗液对导电基片提供超声清洗，使导电基片表面与净化水接触，并形成...

本发明用来制造高效和低损耗的光电池，本发明也用连续地卷装进出法在大面积无不均匀现象高速均匀地加工这种光电池。用ＲＦ等离子ＣＶＤ法形成ｉ－型半导体层的顶部电池，用微波等离子ＣＶＤ法形成中间电池和／或底部电池，用等离子掺杂形成在入射光侧的掺...

本发明是所提出的太阳电池模块包括：（ａ）一个光电件，（ｂ）一个透明树脂填料层，（ｃ）一个透明表面层，（ｄ）一个加强件。透明树脂填料层和透明表面层依次配置在光电件的受光面上，而加强件配置在光电件的背面上。透明表面层是一个由诸如乙烯－四氟乙...

一种光电转换装置，包括一个由一个基底、一个光电转换层以及至少一对配置在所述基底上的电极组成的光电转换元件、一个由含氟聚物树脂构成的透明的树脂层；以及一个透明的表面层，所述的透明的树脂层被设置在所述光电转换元件层和所述的透明表面层之间，其...

一种以透光树脂密封的半导体，至少其光电转换器的入射光面用有机聚合物树脂层密封，该树脂包括乙烯和不饱和脂肪酸酯的共聚物。这种以透光树脂密封的半导体的表面层具有好的耐热性、吸水率低，即使在潮湿的场合也不析出游离酸。因而防止半导体在高湿度环境...