【技术实现步骤摘要】
技术介绍
本专利技术涉及一种样品处理系统,尤其是包括一系列用来处理样品的处理设备的处理系统。具有SOI(Silicon On Insulator,硅绝缘技术)结构的衬底(SOI衬底)即为一种在绝缘层上形成一个单晶硅层的衬底。使用这种SOI衬底的器件有许多普通硅衬底所不能达到的优点,比如(1)由于介质隔离容易,可以提高集成度。(2)可以提高抗辐射性能。(3)由于杂散电容小,可以提高运算速度。(4)不需要井步骤。(5)可防止闩锁(latch-up)。(6)可以通过薄膜结构形成完全耗尽型的场效应晶体管(completelydepleted field effect transistor)。由于SOI结构具有上述各种优点,几十年来都在进行其制造方法的研究。作为一种SOI技术,SOS(Silicon On Sapphire,蓝宝石硅片)技术早已为人所知。在SOS技术中,以CVD(化学汽相淀积)方法使硅在单晶蓝宝石衬底上进行异质外延生长。这种SOS技术一度被认为是最为成熟的SOI技术。但是,这种SOS技术至今还没有投入实际应用,这是因为,例如在所述硅层和下层的蓝宝石衬底之间的界面中由于晶格失配而产生大量的结晶缺陷;组成所述蓝宝石衬底的铝混入所述硅层中;衬底昂贵;难以获得大面积产品。在所述SOS技术之后,出现了各种各样的SOI技术。对于这些SOI技术,试验了各种各样的方法以减少结晶缺陷、降低制造成本。这些方法包括向衬底中进行氧的离子注入从而形成一个氧化物埋层的方法;将两个大晶片通过一层氧化物膜接合起来,然后将其中一层晶片磨光或腐蚀,从而在所述氧化物膜上留下一薄层单晶硅的方法 ...
【技术保护点】
一种处理样品的处理系统,其包括:一系列用来操作或处理所述样品的处理设备;和一套传送装置,后者具有一个用来固定样品的固定部分,所述传送装置在水平面内直线移动所述固定部分,并使之绕一旋转轴旋转,从而使所述固定部分移近或远离所述旋转轴,从 而完成样品在所述系列处理设备之间的传送,其中,所述系列处理设备设置的位置适合于所述传送装置输送所述样品。
【技术特征摘要】
JP 1998-11-6 316576/19981.一种处理样品的处理系统,其包括一系列用来操作或处理所述样品的处理设备;和一套传送装置,后者具有一个用来固定样品的固定部分,所述传送装置在水平面内直线移动所述固定部分,并使之绕一旋转轴旋转,从而使所述固定部分移近或远离所述旋转轴,从而完成样品在所述系列处理设备之间的传送,其中,所述系列处理设备设置的位置适合于所述传送装置输送所述样品。2.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述系列处理设备设置在与所述旋转轴的移动范围基本上等距的位置上。3.如权利要求1或2所述的系统,其特征在于,所述传送装置具有一个水平驱动轴,并沿着水平驱动轴移动所述固定部分。4.如权利要求3所述的系统,其特征在于,所述系列处理设备中的某些处理设备设置在水平驱动轴的一侧的基本上平行于水平驱动轴的直线上。5.如权利要求4所述的系统,其特征在于,所述系列处理设备中剩下的处理设备设置在水平驱动轴另一侧的基本上平行于水平驱动轴的直线上。6.如权利要求5所述的系统,其特征在于,所述系列处理设备中剩下的处理设备中的某些处理设备设置在与水平驱动轴的一端和/或另一端相距预定距离的位置上。7.如权利要求5所述的系统,其特征在于,设置在水平驱动轴的一侧的所述处理设备包括一个用来操作所述样品或对之进行物理或化学处理的处理设备,并且,设置在水平驱动轴的另一侧的所述处理设备包括一个用来操纵所述样品的装料器或卸料器。8.如权利要求6所述的系统,其特征在于,设置在水平驱动轴的一侧的所述处理设备,以及设置在水平驱动轴的一端和/或另一端的处理设备,包括一个用来操作所述样品或对之进行物理或化学处理的处理设备,并且,设置在水平驱动轴的另一侧的所述处理设备包括一个用来操纵所述样品的装料器或卸料器。9.如权利要求1到8之任何一项所述的系统,其特征在于,所述要处理的样品是板状样品,所述传送装置以所述固定部分基本上水平地固定并输送该板状样品。10.如权利要求9所述的系统,其特征在于,所述系列处理设备中的每一个设备向所述传送装置的固定部分输送样品或由之接收样品,都在基本上水平的状态下进行。11.如权利要求9或10所述的系统,其特征在于,要处理的板状样品具有一个分割层,且所述系列处理设备包括至少一个分割设备,用来在所述分割层处分割所述板状样品。12.如权利要求11所述的系统,其特征在于,所述分割设备在将样品水平固定的情况下分割所述板状样品。13.如权利要求11所述的系统,其特征在于,所述分割设备在水平固定所述板状样品的情况下向所述分割层喷射液流以在该分割层处将所述板状样品分割。14.如权利要求11所述的系统,其特征在于,所述分割设备在水平固定并旋转所述板状样品的情况下向所...
【专利技术属性】
技术研发人员:柳田一隆,近江和明,坂口清文,
申请(专利权)人:佳能株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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