本发明提供对生产率的提高有利的技术。处理装置具备：在对基板进行处理的处理空间中支撑所述基板的基板支撑部；包含具有开口部的顶盖部并将所述处理空间从外部空间分隔的第1分隔构件；和第2分隔构件，其被安装于所述第1分隔构件，以便闭塞所述开口部并...

一种基板处理装置，用于以电浆处理基板，包括：容器，包括形成处理所述基板的处理空间的第一容器部件，以及第二容器部件，第二容器部件形成其中生成电浆的电浆生成空间，并且在第二容器部件安装在第一容器部件上的状态下，所述电浆生成空间与所述处理空间...

本发明提供一种制造设备，该制造设备即使在一个多层薄膜中存在由同一类型的膜形成的多个层的情况下也能够执行所谓的连续基板传送并能够提高生产量。根据本发明的一个实施方式，制造设备设置有：传送室（12）；各自设置有一个溅射阴极的三个溅射沉积室（...

提供一种用于利用溅射法来在α-Al2O3基板上外延生长高质量的III族氮化物半导体薄膜的外延膜形成方法。在根据本发明实施方式的外延膜形成方法中，在配置于溅射设备(1)的配备有加热器电极(104)和偏置电极(103)的基板保持件(111)...

本发明提供了如下基板热处理设备：该基板热处理设备能够在减少由于高温时的热膨胀引起的组成构件的破损的情况下高速、均匀地加热基板。本发明的一个实施方式为对基板进行热处理的基板热处理设备，并且包括：能够支撑基板的外周环（4）；连接环（6）；升...

本发明提供一种磁控溅射装置，该磁控溅射装置配置有磁铁单元，该磁铁单元能够沿着安装靶的阴极的背面侧往复移动，该磁控溅射装置的特征在于：所述磁铁单元具有：内侧磁铁，由永磁铁构成，将一个极性的磁极面朝向所述阴极侧；外侧磁铁，以包围所述内侧磁铁...

本发明提供一种等离子体处理设备，其能够通过校正等离子体密度分布的不均匀来使基板处理均匀。该设备具有下面的结构：利用等离子体处理基板，减压容器设置有围绕容器的外周所配置的环形天线，由电源容器和处理容器形成减压容器，其中，将基板置于处理容器...

本发明提供溅射设备，在具有在平坦基板表面上形成具有均匀厚度的多层膜的功能的同时，该溅射设备能够确保在整个浮雕结构上，即使在形成有浮雕结构的基板上，也能够均匀地形成沉积在浮雕结构的壁面或侧面部上的膜。根据本发明一个实施例的溅射设备包括用于...

本发明提供一种输送装置，其具有：齿条、第一小齿轮、以及第二小齿轮；该齿条设置在能够进退移动的托架，在任何部分齿顶的形状都相同；该第一小齿轮与所述齿条啮合；该第二小齿轮在与所述第一小齿轮相比更靠所述托架的前进方向侧的位置与所述齿条啮合，所...

包括第一基片保持器和第二基片保持器（该第一基片保持器和第二基片保持器能够各自保持基片）的基片输送设备，包括：第一驱动臂，该第一驱动臂有第一和第二端部部分，并可随着第一驱动轴的旋转而旋转；第二驱动臂，该第二驱动臂有与第一端部部分间隔开第一...

一种溅射方法，在基板(21)的处理面上形成磁场、使用高放电电力并通过斜入射溅射对磁性膜进行成膜的情况下，能够形成膜厚或表面电阻的面内分布的均匀性良好的膜。溅射装置(1)具备：基板保持架(22)，其保持基板(21)，使基板能够绕与基板处理...

提供一种外延膜形成方法，使用该方法可以借助于溅射法生产由第III族氮化物半导体形成的+c-极性外延膜，还提供一种适用于该外延膜形成方法的真空处理设备。例如，溅射法用于在使用加热器(103)加热至任意温度的α-Al2O3基板(107)上外...

本发明提供了一种具有低RA但高MR比的磁阻效应元件的制造方法以及制造设备。通过在成膜成所述MgO层的室内设置的构件（第一成膜室21内部的成膜室内壁37、遮护板36的内壁、隔板22和遮挡体等）的表面上附着有对氧和水等氧化性气体的吸气效果大...

本发明提供一种能够抑制微粒产生的输送装置。输送装置包括腔室；基板支承体，支承基板，并能够沿着腔室内的路径移动；第1磁齿条，具有呈直线排列于基板支承体的多个齿条磁铁；第1磁小齿轮，具有多个小齿轮磁铁，配置于第1磁齿条的侧方，与第1磁齿条磁...

本发明公开了一种用于电子装置的制造方法，包括：第一步骤，使得基板保持器运动成接近第一屏蔽部件以使得形成于第一屏蔽部件上并具有环形形状的第一凸出部分和具有环形形状并形成于第二屏蔽部件上的第二凸出部分定位在以非接触状态相互接合的位置处，该第...

本发明公开了一种溅射设备，它防止沉积薄膜粘附在排气腔室上，且抑制颗粒的产生。溅射设备（1）包括：闸板容纳单元（23），该闸板容纳单元（23）可拆卸地布置于排气腔室（8）中，并容纳闸板（19）；以及屏蔽部件（40a、40b），该屏蔽部件至...

本发明提供一种能够抑制粒子的产生、构造物对基板处理造成的影响，改善基板温度控制性，进而对应于量产装置易于拆卸基板的基板托架。用于保持基板的基板托架具备托架主体、和包括载置基板的基板载置部的基板载置板，所述托架主体包括以使所述基板的应处理...

提供一种通过氧化金属层(例如，镁层)形成金属氧化物层(例如，氧化镁层)的方法。所述方法可制造具有更高磁阻比的磁阻元件。所提供的方法包括：制备具有第一铁磁性层形成于其上的基板的步骤；在所述第一铁磁性层顶部制作隧道势垒层的步骤，和在所述隧道...

公开了一种平均自由程测量装置、真空计和平均自由程测量方法，使得能够直接测量带电粒子的平均自由程。具体地，所公开的平均自由程测量装置配置有：离子源，用于产生离子；集电体(24a)，用于检测具有第一飞行距离(L1)的第一带电粒子的数量，其中...

本发明提供一种成膜设备，其能够减少成膜时薄膜材料粒子到包括在基板托盘中的保持机构的附着。在本发明的实施方式中，溅射室(16)包括：基板托盘(18)，其具有底部夹板(31)和侧部夹板(19)；移动机构，其使侧部夹板(19)的位置在基板上成...