本发明提供一种串列式多室基板处理设备，其具有简单的构造，能够降低膜剥离导致的粒子的影响，且能够安装多个处理室。在本发明的一个实施方式中，传送机器手的无关节的臂(4)布置在能够抽气的第一处理室(1)内，其中臂(4)具有基板保持部(4a)且...

本发明公开了一种热处理设备，包括：真空容器；基片台，该基片台保持安装在其上的基片；加热单元，用于加热基片；以及排气单元，用于使得真空容器抽真空；包括：第一反射器，该第一反射器覆盖排气装置的排气口的上部部分，同时与排气口间隔开；以及第二反...

本发明提供一种能够在成膜处理之后在维持高真空度的状态下仅急速地加热和急速地冷却基板的真空加热/冷却装置。根据本发明的实施方式的真空加热/冷却装置包括真空室(1)、发出加热光的卤素灯(2)、用于允许加热光进入真空室(1)的石英窗(3)、具...

本发明提供一种等离子体处理装置以及器件的制造方法。等离子体处理装置降低由在放电容器中产生的等离子体引起的损坏，从而使放电容器的更换周期延长。等离子体处理装置(1)包括：处理室(2)，其用于划分出处理空间；放电容器(3)，其一端以面对处理...

公开一种基板的处理方法，该方法能够防止当将基板退火时在结晶性碳化硅(SiC)基板中出现表面粗糙。还公开一种碳化硅(SiC)基板的制造方法。基板的处理方法的实施方案包括以下步骤：用等离子体照射单晶碳化硅(SiC)基板(1)；和在高温下加热...

本发明公开了一种旋转接头以及溅射装置。旋转接头具备：具有插通孔，且具有用于从外部导入流体的导入口的筐体、插通于筐体的插通孔，能够相对于旋转轴相对于筐体相对旋转的轴体单元、被设置在沿旋转轴方向形成在轴体单元内、且用于与导入口连通的第一轴体...

本发明提供一种能够在使等离子体密度均一的状态下容易地调节等离子体密度分布的等离子体处理装置和等离子体处理方法以及包括待处理基板的元件的制造方法。在本发明的实施方式中，真空容器(1)的内部被具有连通孔的栅格(4)分成等离子体产生室(2)和...

提供基板保持件收纳装置、基板处理设备以及使用该基板保持件收纳装置的基板保持件移动方法，该基板保持件收纳装置能够减少占地面积。该装置包括：可动台（Ａ），其在板厚方向上并排地保持多个基板保持件并且前后移动；可动台（Ｂ），其与可动台（Ａ）平行...

本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：保持器，该保持器将要进行处理的物体保持在真空腔室中，同时与该物体电连接；第一卷取部分，该第一卷取部分设置成卷取导电板，并在等离子体处理时设置为与物体不同的电势；以及第二卷取部分，该第二卷取部分设置...

本发明提供几乎不受由恢复处理引起的遮蔽板的大小和形状的改变影响的膜形成设备和膜形成设备用的校准方法。该膜形成设备包括包围真空室中在相互面对的处理对象基板和靶材之间的溅射空间的遮蔽板，并通过使至少一种活性气体和膜形成材料相互反应来在处理对...

本发明提供一种成膜装置和使用该成膜装置的基板的制造方法。在通过供给气体而对在真空腔室（７）内连续地进行输送的基板（１）进行成膜的成膜装置中，能够在两处成膜区域（１４ａ、１４ｂ）中同时以均匀的流动容易地供给气体，从而能够高效率地进行均匀性...

以简单的机构避免由于齿条和小齿轮的相位错位而引起齿尖彼此碰撞，从而使齿条和小齿轮顺畅地啮合。齿条－小齿轮机构设有固定于载置台（２０）的齿条（１６）和连结于驱动源（１３）的多个小齿轮（１７），所述载置台用于搭载被搬运物并在搬运轨道上移动，...

提供一种等离子体处理装置、磁电阻元件的制造装置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序，针对大口径基板，改进磁性薄膜的易磁化轴的偏差。等离子体处理装置（１）具备：基板保持件（１１），其支承基板（１０）；磁体保持件（３１），其在基板保持件周围...

一种溅射装置配备有：基板保持器（２２），在基板的待处理面的面方向上可旋转地保持基板（２１）；基板侧磁体（３０），在基板（２１）的待处理面处形成磁场，并且被布置在基板（２１）周边；阴极（４１），用于产生放电的功率被施加到该阴极（４１），并...

一种ＭｇＯ类磁性隧道结（ＭＴＪ）器件，其大体上包括铁磁性参照层、ＭｇＯ隧道势垒和铁磁性自由层。ＭｇＯ隧道势垒的微结构是无定形或具有不良（００１）面外织构的微晶，所述ＭｇＯ隧道势垒是通过其后为氧化处理的金属Ｍｇ沉积或反应性溅射制备的。在本...

提供一种溅射设备和一种使用该溅射设备的多层膜形成方法，所述溅射设备通过有效地使用靶以高生产率和较少的螺旋形状形成多层膜。多层膜溅射设备的实施方式包括：能转动的阴极单元（３０），所述阴极单元（３０）具有相对于转动中心被配置于同一圆周上的阴...

一种溅射装置以及溅射方法，在基板（２１）的处理面上形成磁场、使用高放电电力并通过斜入射溅射对磁性膜进行成膜的情况下，能够形成膜厚或表面电阻的面内分布的均匀性良好的膜。溅射装置（１）具备：基板保持架（２２），其保持基板（２１），使基板能够...

各自都具有制冷器的多个真空泵连接到共同的压缩机。多个真空泵中的至少一个被操作以重复包括其中当气缸的内部由于阀的操作而从低压状态转变到高压状态时处于低压状态中的气体被绝热地压缩的处理以及其中位移器通过被绝热地压缩的气体的处理的操作。多个真...

各包括冷冻机的多个真空排气泵与共用的压缩机连接。多个真空排气泵中的至少一个被运转以便重复包含如下步骤的动作，所述动作包括：通过冷冻机的阀的动作，汽缸的内部从低压状态转变到高压状态从而低压状态的气体被绝热压缩的步骤；以及移气器使绝热压缩的...

本发明提供了具有比以往更高的ＭＲ比的磁阻元件的制造方法。该磁阻元件的制造方法包括如下工序：在基板上进行磁化固定层、磁化自由层和位于该磁化固定层与该磁化自由层之间的隧道阻碍层的成膜的工序，在该磁阻元件的制造方法中，直径小于基板直径、含有氧...