本发明实施例公开了一种数据存储方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：分别创建干净空间链表以及用户空间链表，其中，所述干净空间链表用于记录没有存储数据的物理存储空间，所述用户空间链表用于记录已经存储数据的物理存储空间；当接收到数据...

本发明实施例公开了一种数据写入方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：当接收到数据写入指令时，判断待存储数据的大小是否达到一个存储块的数据容量；若待存储数据的大小达到一个存储块的数据容量，则以存储块为映射单元对所述待存储数据进行写...

本发明实施例公开了一种测试结果记录方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：对测试存储块进行PEC编程‑擦除循环测试；当所有的测试存储块均完成对应的PEC测试时，对所述测试存储块进行读取操作，得到读数据；将所述读数据与编程源数据进行...

本发明实施例公开了一种中断处理方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：当检测到中断时，跳转进入所述中断对应的中断处理函数；在所述中断处理函数中读取中断控制寄存器的值；将读取的所述中断控制寄存器的值赋值给预设的全局变量，并退出所述中...

本发明实施例公开了一种数据存储方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：当接收到数据存储指令时，判断待存储数据的大小是否达到第一设定值；若待存储数据的大小没有达到第一设定值，则将所述待存储数据存储至第一存储块，否则，将所述待存储数据...

本发明实施例公开了一种数据存储方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：当接收到数据存储指令时，判断目标簇中是否已经存储有数据；若所述目标簇中已经存储有数据，则判断所述目标簇中已经存储的数据量是否达到设定值；若所述目标簇中已经存储的...

本发明提供了一种NOR flash存储器中存储单元修复的方法和装置，所述方法包括：访问存储单元，对比访问存储单元的字线地址与故障存储单元的字线地址，以及，获取故障存储单元字线的修复使能位，若访问存储单元的字线地址与故障存储单元的字线地址...

本发明提供一种非易失性存储器的编程方法和装置，非易失性存储器的编程方法包括：接收编程指令，根据编程指令中的地址信息获取存储区域内存储的存储单元的第一编程电压档位；验证需要编程的存储单元是否达到编程需求；如果验证未通过，则根据第一编程电压...

本发明提供一种非易失性存储器的编程方法和装置，包括：接收编程指令，根据编程指令中的地址信息获取存储区域内存储的存储单元的第一编程验证电压档位；使用与第一编程验证电压档位对应的第一编程验证电压对存储单元进行编程验证；如果验证未通过，则对存...

本发明提供了一种NOR flash存储器读数据的方法和装置。所述方法包括：接收暂停编程指令，暂时停止编程操作，根据接收的擦除操作指令执行擦除操作，接收暂停擦除指令，暂时停止擦除操作，在编程操作和擦除操作同时暂时停止期间，接收到读操作指令...

本发明提供了一种NOR flash存储器擦除的方法和装置。所述方法包括：接收暂停编程指令，根据暂停编程指令，暂时停止编程操作的进程，通过控制单元记录编程操作对应的存储单元的地址，接收擦除操作指令，判断所需执行擦除操作的存储单元的地址是否...

本发明提供了一种控制擦除性能的方法以及装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：温度传感器、时钟频率发生器、擦除操作状态机以及擦除存储单元，所述擦除操作状态机包括：计数器，所述方法包括：通过擦除操作...

本发明提供一种非易失性存储器的擦除方法和装置，包括：接收擦除指令，根据擦除指令中的地址信息获取存储区域内存储的存储单元的第一擦除验证电压档位；使用与第一擦除验证电压档位对应的第一擦除验证电压对存储单元进行擦除验证；如果验证未通过，则对存...

本发明提供了一种控制擦除性能的方法以及装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：温度传感器、时钟频率发生器、擦除操作状态机以及擦除存储单元，所述擦除操作状态机包括：计数器，所述方法包括：所述擦除操作...

本发明提供了一种控制擦除性能的方法以及装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：擦除循环次数检测单元、时钟频率发生器、擦除操作状态机以及擦除存储单元，所述擦除操作状态机包括：计数器，所述方法包括：所...

本发明提供了一种控制擦除性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：擦除验证开关、擦除操作状态机以及擦除存储单元，所述方法包括：所述擦除操作状态机接收擦除操作指令，根据擦除操作指令执行擦除...

本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：编程验证开关、编程操作状态机以及编程存储单元，所述方法包括：所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作...

本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：温度传感器、时钟频率发生器、编程操作状态机以及编程存储单元，所述编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：所述编程操作状...

本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，NOR flash存储器包括：编程循环次数检测单元、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：编程操作状态...

本发明提供了一种控制NOR flash存储器性能的方法和装置。所述方法包括：判断所述源漏互换开关的状态，接收编程操作指令，若源漏互换开关的状态为打开，调整编程验证电压为第一目标电压，根据调整后的第一目标电压，执行编程操作指令。本发明提供...