【技术实现步骤摘要】
一种非易失性存储器的擦除方法和装置
本专利技术涉及数据存储
，特别是涉及一种非易失性存储器的擦除方法和装置。
技术介绍
非易失性存储器是指断电以后，存储器内的信息仍然可以保存的存储芯片，非易失性存储器由浮栅晶体管构成，对存储器中的每个存储单元而言浮栅晶体管中的浮栅层中存储的电荷量决定了存储单元的阈值电压，而存储单元的阈值电压决定了存储单元中存储的数据是0，还是1。现有技术中，对非易失性存储器中的存储单元进行擦除操作，擦除操作需要将该存储单元的阈值电压擦除到擦除验证电压之下，但是被擦除的存储单元的阈值电压会随着擦除次数的增加而降低，随着擦除次数的增加，在相同条件下，把单元擦除到相同的阈值电压范围，所需的时间会越来越长，甚至擦除不到擦除验证电压之下，降低了擦除的性能。
技术实现思路
本专利技术提供了一种非易失性存储器的擦除方法和装置，以解决现有技术中非易失性存储器的性能随擦写次数的增加而逐渐下降后造成擦除时间长，擦除效率低的问题。为了解决上述问题，本专利技术实施例的第一方面，提供...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，包括：/n接收擦除指令，所述擦除指令中包含需要对所述非易失性存储器内的存储单元进行擦除操作的地址信息；/n根据所述地址信息，获取与所述存储单元对应的第一擦除验证电压档位；/n根据所述第一擦除验证电压档位，获取与所述第一擦除验证电压档位对应的第一擦除验证电压，使用所述第一擦除验证电压对所述存储单元进行擦除验证；/n若验证未通过，则对所述存储单元进行擦除操作，并将验证次数加1获得新的验证次数；/n根据所述新的验证次数，确定第二擦除验证电压档位，所述第二擦除验证电压档位是下次对所述存储单元进行擦除操作时使用的擦除验证电压档位。/n
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，包括：
接收擦除指令，所述擦除指令中包含需要对所述非易失性存储器内的存储单元进行擦除操作的地址信息；
根据所述地址信息，获取与所述存储单元对应的第一擦除验证电压档位；
根据所述第一擦除验证电压档位，获取与所述第一擦除验证电压档位对应的第一擦除验证电压，使用所述第一擦除验证电压对所述存储单元进行擦除验证；
若验证未通过，则对所述存储单元进行擦除操作，并将验证次数加1获得新的验证次数；
根据所述新的验证次数，确定第二擦除验证电压档位，所述第二擦除验证电压档位是下次对所述存储单元进行擦除操作时使用的擦除验证电压档位。
2.根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于，在所述对所述存储单元进行擦除操作，并将验证次数加1获得新的验证次数之后，还包括：
若所述新的验证次数小于预设的第一验证次数，则重复执行所述根据所述第一擦除验证电压档位，获取与所述第一擦除验证电压档位对应的第一擦除验证电压，使用所述第一擦除验证电压对所述存储单元进行擦除验证，所述第一验证次数为最大验证次数；
若验证通过，则根据所述新的验证次数，确定所述第二擦除验证电压档位。
3.根据权利要2所述的擦除方法，其特征在于，所述根据所述新的验证次数，确定所述第二擦除验证电压档位，包括：
若所述新的验证次数大于预设的第二验证次数且小于等于所述第一验证次数，则将所述第一擦除验证电压档位加N，得到所述第二擦除验证电压档位，其中N为正整数；或者，
若所述新的验证次数小于等于所述第二验证次数，则将所述第一擦除验证电压档位确定为所述第二擦除验证电压档位。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的擦除方法，其特征在于，在所述接收擦除指令之前，还包括：
在所述非易失性存储器内设置存储区域，所述存储区域用于存储所述非易失性存储器中的存储单元的第一擦除验证电压档位。
5.根据权利要求4所述的擦除方法，其特征在于，在所述根据所述新的验证次数，确定第二擦除验证电压档位之后，还包括：
将所述第二擦除验证电压档位作为第一擦除验证电压档位存储在所述存储区域。
6.一种非易失性存储器的擦除方...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘言言，许梦，付永庆，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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