存储器装置及非易失性存储器的控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器装置及非易失性存储器的控制方法。非易失性存储器区分为目标抹除区域及非选择区域。所述控制方法包括：抹除目标抹除区域中的目标存储单元。非选择区域是非易失性存储器中除了目标抹除区域以外的区域。抹除所述目标存储单元的步骤包括抹除操作、验证操作及未通过所述验证操作后所进行的抹除回圈。抹除回圈进行的次数为大于等于零的整数。所述控制方法还包括：刷新对非选择区域中的预定义部分，其中预定义部分的区域尺寸是基于抹除回圈进行的次数而决定。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及非易失性存储器的控制方法
本专利技术涉及一种存储器装置的控制技术，尤其涉及一种存储器装置及非易失性存储器的控制方法。
技术介绍
快取存储器是利用存储单元的临界电压Vt来存储数据。因此，为了对存储单元的临界电压Vt进行调整，便需对存储单元进行编程(programming)操作及抹除(erase)操作。反或(NOR)型快取存储器中每一区的P井(P-Well)层通常具备多个存储器区块(memoryblock)，例如将四个存储器区块设计在同一区P井层中。图1是经抹除存储单元与经编程存储单元在进行抹除时的临界电压分布示意图，图1的横轴表示存储单元的临界电压值，图1的纵轴表示存储单元在此临界电压值的数量。当要对指定的存储单元(例如其容量为4KB)进行抹除操作时，这些经抹除存储单元的临界电压值将会降低(如图1的存储单元临界电压分布110所示)。另一方面，因NOR型快取存储器在进行抹除操作时需要对P井层提供电压，位于同区P井层中每个存储单元也会受到抹除干扰，导致该区P井层中非进行抹除而是已经编程(programmed)存储单元(称为，已编程存储单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器的控制方法，所述非易失性存储器区分为目标抹除区域及非选择区域，所述控制方法包括：/n抹除所述目标抹除区域中的目标存储单元，其中所述非选择区域是所述非易失性存储器中除了所述目标抹除区域以外的区域，抹除所述目标存储单元的步骤包括抹除操作、验证操作及未通过所述验证操作后所进行的抹除回圈，且所述抹除回圈进行的次数为大于等于零的整数；以及/n刷新对所述非选择区域中的预定义部分，其中所述预定义部分的区域尺寸是基于所述抹除回圈进行的所述次数而决定。/n

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的控制方法，所述非易失性存储器区分为目标抹除区域及非选择区域，所述控制方法包括：
抹除所述目标抹除区域中的目标存储单元，其中所述非选择区域是所述非易失性存储器中除了所述目标抹除区域以外的区域，抹除所述目标存储单元的步骤包括抹除操作、验证操作及未通过所述验证操作后所进行的抹除回圈，且所述抹除回圈进行的次数为大于等于零的整数；以及
刷新对所述非选择区域中的预定义部分，其中所述预定义部分的区域尺寸是基于所述抹除回圈进行的所述次数而决定。


2.根据权利要求1所述的控制方法，其中所述非易失性存储器是反或闸型快取存储器装置。


3.根据权利要求1所述的控制方法，其中所述目标抹除区域与所述非选择区域位于所述非易失性存储器的同一个P井层中。


4.根据权利要求1所述的控制方法，其中经过抹除的所述目标存储单元具有不大于抹除验证电压的阈值电压，
并且，所述控制方法还包括：
在抹除所述目标抹除区域中的所述目标存储单元之后，对所述目标存储单元进行软编程操作，其中所述目标存储单元被设置为具有不小于软编程验证电压的阈值电压，并且所述软编程验证电压小于所述抹除验证电压。


5.根据权利要求1所述的控制方法，还包括：
在抹除所述目标抹除区域中的所述目标存储单元之前，对所述目标抹除区域进行预编程操作。


6.根据权利要求1所述的控制方法，其中在所述预定义部分所述抹除回圈进行的所述次数愈少时，所述区域尺寸占所述非易失性存储器的尺寸比例愈小；在所述预定义部分所述抹除回圈进行的所述次数愈多时，所述区域尺寸占所述非易失性存储器的尺寸比例愈大。


7.根据权利要求1所述的控制方法，当所述抹除回圈进行的所述次数为零时，所述预定义部分的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仲盟，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71