用于存储器件中的数据擦除的方法和装置制造方法及图纸

本公开内容的各方面提供了一种用于存储器件中的数据擦除的方法。该方法包括：在存储单元串中的擦除操作期间，从存储单元串的主体部分提供第一擦除载流子。第一擦除载流子沿第一方向从存储单元串的源极侧流向存储单元串的漏极侧。此外，该方法包括：从存储单元串的漏极侧的结点提供第二擦除载流子。第二擦除载流子沿第二方向从存储单元串的漏极侧流向存储单元串的源极侧。然后，该方法包括：将第一擦除载流子和第二擦除载流子注入到存储单元串中的存储单元的电荷存储部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于存储器件中的数据擦除的方法和装置
技术介绍
半导体存储器件可以分为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件会在电源关闭时丢失数据。即使电源被断开，非易失性存储器件也可以保持存储的数据。为了实现较高的数据存储密度，半导体制造商开发了诸如三维(3D)NAND闪存技术等等之类的垂直器件技术。3DNAND闪存器件是一种类型的非易失性存储器件。
技术实现思路
本公开内容的各方面提供了一种用于存储器件中的数据擦除的方法。该方法包括：在用于重置在存储单元串中串联连接的存储单元的擦除操作期间，从所述存储单元串的主体部分提供第一擦除载流子。所述第一擦除载流子沿第一方向在所述存储单元串的源极侧与所述存储单元串的漏极侧之间流动。此外，该方法包括：在所述擦除操作期间，从所述存储单元串的所述漏极侧的结点提供第二擦除载流子。所述第二擦除载流子沿与所述第一方向相反的第二方向流动。然后，该方法包括：在所述擦除操作期间，将所述第一擦除载流子和所述第二擦除载流子注入到所述存储单元串中的所述存储单元的电荷存储部分。所注入的第一擦除载流子和第二擦除载流子被存储在所述存储单元的所述电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于存储器件中的数据擦除的方法，包括：/n在用于重置在存储单元串中串联连接的存储单元的擦除操作期间，从所述存储单元串的主体部分提供第一擦除载流子，所述第一擦除载流子沿第一方向，在所述存储单元串的源极侧与所述存储单元串的漏极侧之间流动；/n在所述擦除操作期间，从所述存储单元串的所述漏极侧的结点提供第二擦除载流子，所述第二擦除载流子沿与所述第一方向相反的第二方向流动；以及/n在所述擦除操作期间，将所述第一擦除载流子和所述第二擦除载流子注入到所述存储单元串中的所述存储单元的电荷存储部分，所注入的第一擦除载流子和第二擦除载流子被存储在所述存储单元的所述电荷存储部分中。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于存储器件中的数据擦除的方法，包括：
在用于重置在存储单元串中串联连接的存储单元的擦除操作期间，从所述存储单元串的主体部分提供第一擦除载流子，所述第一擦除载流子沿第一方向，在所述存储单元串的源极侧与所述存储单元串的漏极侧之间流动；
在所述擦除操作期间，从所述存储单元串的所述漏极侧的结点提供第二擦除载流子，所述第二擦除载流子沿与所述第一方向相反的第二方向流动；以及
在所述擦除操作期间，将所述第一擦除载流子和所述第二擦除载流子注入到所述存储单元串中的所述存储单元的电荷存储部分，所注入的第一擦除载流子和第二擦除载流子被存储在所述存储单元的所述电荷存储部分中。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一擦除载流子和所述第二擦除载流子是空穴。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，提供所述第一擦除载流子包括：
在所述存储单元串的所述源极侧浮置源极端子；以及
向与所述存储单元串的所述主体部分相对应的P型阱施加正电压，所述正电压使所述第一擦除载流子沿所述第一方向流动。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，提供所述第二擦除载流子包括：
相对于所述存储单元串中的第一选择晶体管的漏极端子，对所述第一选择晶体管的栅极端子进行负偏置，所述负偏置导致在所述存储单元串的所述漏极侧的P-N结处，由于在所述P-N结处的带间隧穿而产生所述第二擦除载流子。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一选择晶体管是至所述存储单元串的所述漏极侧的最近选择晶体管，并且所述方法还包括：
相对于所述存储单元串中的与所述第一选择晶体管相邻设置的第二选择晶体管的漏极端子，对所述第二选择晶体管的栅极端子进行负偏置。


6.根据权利要求5所述的方法，还包括：
向在所述存储单元串的所述漏极侧的漏极端子施加擦除电压；
在所述第一选择晶体管的所述栅极端子上，施加低于所述擦除电压的第一电压；以及
在所述第二选择晶体管的所述栅极端子上，施加低于所述第一电压的第二电压。


7.根据权利要求3所述的方法，还包括：
相对于在所述存储单元串的所述源极侧的第一选择晶体管的源极/漏极端子，对所述第一选择晶体管的栅极端子进行负偏置，所述负偏置导致在所述存储单元串的所述源极侧的P-N结处，由于在所述P-N结处的带间隧穿而产生额外的擦除载流子。


8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一选择晶体管是至所述存储单元串的所述源极侧的最近选择晶体管，并且所述方法还包括：
相对于所述存储单元串中的与所述第一选择晶体管相邻设置的第二选择晶体管的漏极端子，对所述第二选择晶体管的栅极端子进行负偏置。


9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
施加第一电压，所述第一电压低于向所述存储单元串的所述P型阱施加的所述正电压；以及
在所述第二选择晶体管的所述栅极端子上，施加低于所述第一电压的第二电压。


10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一擦除载流子和所述第二擦除载流子是在同一擦除周期中提供的。


11.一种半导体存储器件，包括：
存储单元阵列，其至少包括存储单元串，所述存储单元串具有在所述存储单元串中串联连接的存储单元；以及
外围电路，其包括控制电路，所述控制电路被配置为使所述外围电路进行以下操作：
在用于重置在存储单元串中串联连接的存储单元的擦除操...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘磊，周文犀，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42