【技术实现步骤摘要】
一种存储电路瞬态销密控制方法
本专利技术属于集成电路
，具体涉及一种特别适用于非易失性存储电路中全片数据瞬态擦除的存储电路瞬态销密控制方法。
技术介绍
对于常规的非易失性存储器而言，其功能通常可以划分为如下三类：读取、写入与擦除。擦除功能可进一步划分为软擦除与硬擦除。其中，软擦除是指在正常的写入时序条件下，依次在地址端与数据端输入特定的指令序列以启动擦除程序，经电荷泵升压，并选中全片所有的存储单元地址，最终对存储阵列中所有的单元执行数据擦除。硬擦除则是指由外部施加高电压于存储器的使能信号端以启用存储器的高压复用模块，从而在存储器内部生成硬件片擦信号，之后其擦除时序则与软擦除相同。由此可见，软擦除的启动需要由前级电路或芯片产生相应的指令信号并且需要遵循严格的时序关系。硬擦除虽然相对于软擦除在启动程序上进行了简化，但却需要高电压启动存储器内部的高压复用模块以执行全片擦除功能。显然，以上两种擦除方式均需要严苛的前提条件，这并不满足在某些特殊情况下用户需要利用常规高电压对存储器进行全片快速擦除的需要。因此，这就提出了在...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储电路瞬态销密控制方法，其特征在于，所述瞬态销密控制方法包括如下步骤：/nS1、当非易失性存储器的销密功能启动时，首先开启瞬态销密电压源，瞬态销密电压源产生一个常规高电平电压信号，该信号一路被传输至片内VCC端口用于供电，另一路传输至销密脉冲生成电路；/nS2、销密脉冲生成电路接收到该高电平电压信号时，生成一个具有足够脉冲宽度的销密脉冲信号，该销密脉冲信号通过含有用于保证端口闲置时处于零电位的下拉电阻的包括销密使能信号输入端的使能输入电路，被送至抗干扰电路，利用抗干扰电路过滤端口干扰以防止误操作发生；/nS3、销密脉冲信号被进一步传送至包括瞬态销密逻辑控制...
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储电路瞬态销密控制方法，其特征在于，所述瞬态销密控制方法包括如下步骤：
S1、当非易失性存储器的销密功能启动时，首先开启瞬态销密电压源，瞬态销密电压源产生一个常规高电平电压信号，该信号一路被传输至片内VCC端口用于供电，另一路传输至销密脉冲生成电路；
S2、销密脉冲生成电路接收到该高电平电压信号时，生成一个具有足够脉冲宽度的销密脉冲信号，该销密脉冲信号通过含有用于保证端口闲置时处于零电位的下拉电阻的包括销密使能信号输入端的使能输入电路，被送至抗干扰电路，利用抗干扰电路过滤端口干扰以防止误操作发生；
S3、销密脉冲信号被进一步传送至包括瞬态销密逻辑控制电路的逻辑控制电路，瞬态销密逻辑控制电路中的一路利用优先逻辑产生优先信号使销密功能优先执行，另一路生成硬件片擦信号，并经高压泵电路升压；
S4、优先信号与硬件片擦信号通过译码及升压电路进行译码与升压后，对存储阵列电路进行地址全选，最终执行全片的数据擦除。
2.如权利要求1所述的瞬态销密控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪波，赵桂林，王明阳，马祥春，梁军学，
申请(专利权)人：中国人民解放军九三二一六部队，
类型：发明
国别省市：北京;11
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