【技术实现步骤摘要】
快闪存储器储存装置及其操作方法
本专利技术涉及一种存储器储存装置及其操作方法，尤其涉及一种快闪存储器储存装置及其操作方法。
技术介绍
对快闪存储器储存装置而言，循环(cycling)操作容易在其漏极接面产生界面态，并且在其穿隧氧化层产生氧化物陷阱。一般而言，循环操作包括抹除操作及程序化(program)操作。快闪存储器晶胞经过多次的循环操作通常容易会被劣化，例如存储器区块的可靠度会下降，或者抹除时间及程序化时间会增加，亦即操作速度变慢。此外，在经过多次的循环操作之后，晶胞中的部分比特也会因为过早磨损而不符合规范。这些磨损的比特难以在测试阶段加以剔除。因此，若能取得存储器晶胞阵列中包括多个存储器区块的各井区域的抹除次数，将有助于在后续应用或制作过程中，评估快闪存储器储存装置的性能。
技术实现思路
本专利技术提供一种快闪存储器储存装置及其操作方法，可记录其中的井区域的抹除次数。本专利技术的快闪存储器储存装置包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个井区域。各井区域包括多个存储器区块以...
【技术保护点】
1.一种快闪存储器储存装置，包括：/n存储器晶胞阵列，包括多个井区域，各所述井区域包括多个存储器区块以及记录区块；以及/n存储器控制电路，耦接至所述存储器晶胞阵列，用以对各所述井区域的所述多个存储器区块进行抹除操作，并且将各所述井区域的抹除次数记录在各自的所述记录区块中。/n
【技术特征摘要】
1.一种快闪存储器储存装置，包括：
存储器晶胞阵列，包括多个井区域，各所述井区域包括多个存储器区块以及记录区块；以及
存储器控制电路，耦接至所述存储器晶胞阵列，用以对各所述井区域的所述多个存储器区块进行抹除操作，并且将各所述井区域的抹除次数记录在各自的所述记录区块中。
2.根据权利要求1所述的快闪存储器储存装置，其中所述记录区块包括多个记录列，用以储存所述抹除次数的数据，以及各所述记录列包括多个字节。
3.根据权利要求2所述的快闪存储器储存装置，其中所述存储器控制电路从所述记录区块的第一个记录列开始，依序将所述抹除次数的数据记录至所述记录区块的最后一个记录列。
4.根据权利要求3所述的快闪存储器储存装置，其中所述存储器控制电路从各所述字节中的最低有效位开始，依序将所述抹除次数的数据记录至各所述字节的最高有效位。
5.根据权利要求2所述的快闪存储器储存装置，其中各所述记录列所记录的所述抹除次数具有上限值，所述多个记录列包括第一记录列以及第二记录列，当所述第一记录列所记录的所述抹除次数已达所述第一记录列的上限值时，所述存储器控制电路利用所述第二记录列来记录所述第一记录列所记录的所述抹除次数，直到所述第二记录列所记录的所述抹除次数达到所述第二记录列的所述上限值。
6.根据权利要求5所述的快闪存储器储存装置，其中当所述第一记录列所记录的所述抹除次数已达所述第一记录列的上限值时，所述存储器控制电路在一抹除期间对所述第一记录列进行所述抹除操作。
7.根据权利要求6所述的快闪存储器储存装置，其中所述存储器控制电路在所述抹除期间在对所述多个存储器区块进行所述抹除操作的同时，一并对所述第一记录列进行所述抹除操作。
8.根据权利要求5所述的快闪存储器储存装置，其中所述第二记录列是所述第一记录列在所述记录区块中的下一个记录列。
9.根据权利要求6所述的快闪存储器储存装置，其中在所述第一记录列进行所述抹除操作之后，所述存储器控制电路重新将所述抹除次数的数据储存在被抹除的所述第一记录列。
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【专利技术属性】
技术研发人员：林宏学，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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