本发明提供了一种控制读操作的方法和装置。所述方法包括：在接收到读操作指令时，执行读操作指令对应的读操作，读操作包括：从存储单元中将数据读取到缓存区中的存储读取操作和从缓存中将数据通过I/O口读出的缓存读取操作，在执行当前次缓存读取操作期...

本发明实施例提供了一种非易失存储器读处理方法及装置，该方法包括：在对所述待处理存储块执行读操作时，确定选中的目标字线；其中，所述待处理存储块为：已经进行过大于预设次数的读操作的存储块；确定所述待处理存储块中边沿字线的导通阈值电压；其中，...

本发明提供了一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器。所述方法包括：接收第一读操作指令，执行对应的第一读操作，当第一读操作发生数据读取错误时，通过选通管检测隔离字线是否处于未被选通的状态，若隔离字线处于未被选通的状态，则...

本发明提供了一种控制读操作的方法和装置。所述方法包括：接收读操作指令，确定所需执行读操作的存储单元的地址所属的字线为目标字线，并判断目标字线是否属于边缘字线，若目标字线属于边缘字线，则通过边缘字线电荷泵调整针对目标字线的读验证电压，根据...

本发明实施例提供了一种非易失存储器擦除处理方法及装置，该方法包括：对待擦除存储块进行擦除状态验证；在所述待擦除存储块处于已擦除状态的情况下，不对所述待擦除存储块的施加擦除脉冲。本发明实施例在对非易失存储中的待擦除存储块进行擦除操作时，首...

本发明提供了一种控制擦除性能的方法和装置。所述方法包括：接收擦除操作指令，根据擦除操作指令，对存储单元执行第一次擦除验证操作，记录第一次擦除验证通过的存储单元的地址，根据记录的地址，对第一次擦除验证通过的存储单元执行擦除保护操作，对第一...

本发明实施例提供了一种非易失存储器写处理方法及装置，该方法包括：在对待处理存储块执行写操作时，确定所述待处理存储块的目标编程字线；确定所述目标编程字线的编程电压补偿量；对所述目标编程字线施加第一编程电压；所述第一编程电压为：预设编程电压...

本发明公开了一种非易失性存储器的编程方法及控制装置。所述方法包括：获取目标编程数量的待编程数据；对待编程数据进行编程校验；如果编程失败，则根据编程次数选取对应的编程模式进行编程。利用该方法，能够提升非易失性存储器的编程效率。

本发明提供了一种部分编程的方法和装置。所述方法包括：接收第一次部分编程操作指令，对对应于第一次部分编程操作指令的存储单元执行第一次编程验证操作，若第一次编程验证通过的存储单元的数量达到目标数量，则记录对应第一次编程验证通过时的编程操加压...

本发明实施例提供了一种非易失存储器写处理方法及装置，该方法包括：在对待处理存储块执行写操作时，确定所述待处理存储块的目标编程字线；对所述待处理存储块的目标编程字线施加第一编程电压；在所述目标编程字线未完成写操作的情况下，对所述目标编程字...

本发明提供了一种控制擦除操作的方法、装置以及Nand flash存储器。所述方法包括：接收擦除操作指令，确定所需执行擦除操作的存储单元的地址所属的字线为目标字线，并判断目标字线是否属于边缘字线，若属于边缘字线，通过电压检测单元检测目标字...

本发明实施例提供了一种非易失存储器处理方法及装置，该方法包括：在检测到所述非易失存储器中存在短路的字线的情况下，确定所述短路的字线的数量，以及所述短路的字线所对应的目标存储块；按照将预设数量的相邻字线合并为一个目标字线的方式，将所述目标...

本发明实施例公开了一种存储设备及其控制方法和控制装置，该存储设备包括存储模块，存储模块包括多个物理块，该控制方法包括：如果检测到至少两个物理块的擦除次数差值绝对值大于或等于第一擦除阈值，切换至磨损平衡模式；将第一物理块的数据和第二物理块...

本发明实施例公开了一种存储器及其控制方法和控制装置，存储器包括存储模块，存储模块包括多个物理块，该控制方法包括：如果检测到数据量达到第一数据阈值的第一物理块的块数量超过第一块阈值，切换至数据搬移模式，第一物理块中的数据以单层存储模式写入...

本发明实施例公开了一种存储设备及其控制方法和控制装置，该存储设备包括存储模块，存储模块包括多个物理块和事件队列，该控制方法包括：如果检测到物理块的擦除次数大于或等于第一擦除阈值，将磨损平衡操作添加到事件队列中；在操作空白阶段，如果检测到...

本发明公开了一种数据写入方法、装置及存储设备。该方法包括：获取写命令，判断写命令对应的待写入数据的数据量是否为存储设备一页所能容纳的数据量的整数倍，若否，读取存储设备中垃圾回收数据块中的至少部分有效数据，将写命令对应的待写入数据以及读取...

本发明公开了一种数据写入方法、装置及存储设备。该方法包括获取写命令，根据写命令将逻辑地址转换为物理地址，将写命令对应的待写入数据写入物理地址中，并在写最后一页数据时，执行数据管理操作。本发明实施例提供的技术方案可以将最后一页数据的写入与...

本发明实施例公开了一种垃圾数据回收方法、装置和存储设备。该垃圾数据回收方法包括：获取写入操作命令；获取垃圾回收指令；检测并确定所述垃圾回收指令对应的原始数据块中的无效数据占比；根据所述无效数据占比确定穿插交替写入比例，并以所述穿插交替写...

本发明公开了一种数据读取方法、装置及存储设备。该方法包括：接收没有预先定义长度的读命令，并获取没有预先定义长度的读命令中包含的起始逻辑地址，根据当前没有预先定义长度的读命令之前的N次没有预先定义长度的读命令读取的数据长度确定当前没有预先...

本发明实施例提供了一种非易失存储器读处理方法及装置，该方法包括：在对所述非易失存储器执行读处理的情况下，验证第一存储页的电平状态；在所述第一存储页的电平状态为低电平的情况下，从所述第一存储页中读取数据，且，根据第一预设跳变值跳变到第二存...