一种数据写入方法、装置及存储设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种数据写入方法、装置及存储设备。该方法包括获取写命令，根据写命令将逻辑地址转换为物理地址，将写命令对应的待写入数据写入物理地址中，并在写最后一页数据时，执行数据管理操作。本发明专利技术实施例提供的技术方案可以将最后一页数据的写入与数据管理操作并行，从而提高写访问速度。

【技术实现步骤摘要】
一种数据写入方法、装置及存储设备
本专利技术实施例涉及存储器
，尤其涉及一种数据写入方法、装置及存储设备。
技术介绍
NANDflash是闪存的一种，具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。其中，访问速度是衡量基于NANDflash的存储设备的性能的一个重要指标。在基于NANDflash的存储设备中，主要包含几个部分：前端模块，转换层和后端模块。前端模块和后端模块主要与数据传输相关，转换层主要实现逻辑地址到物理地址的转换以及映射表管理。现有技术中，通常将地址转换以及映射表管理与数据传输串行设置。但是，由于地址转换以及映射表管理占用了不少的一部分时间，故而对NANDflash存储设备总体的访问速度产生影响。
技术实现思路
本专利技术提供一种数据写入方法、装置及存储设备，以实现提高写访问速度。第一方面，本专利技术实施例提供了一种数据写入方法，该方法包括：获取写命令；根据写命令将逻辑地址转换为物理地址；将写命令对应的待写入数据写入物理地址中，并在写最后一页数据时，执行数据管理操作。可选的，根据写命令将逻辑地址转换为物理地址，包括：根据预设地址转换量以及写命令中包含的起始逻辑地址将逻辑地址转换为物理地址。可选的，在将写命令对应的待写入数据写入物理地址中，并在写最后一页数据时，执行数据管理操作之后还包括：判断本次待写入数据的写入操作是否结束；若是，判断当前已写入数据的数据量是否与写命令中包含的预设待写入数据量相同；若否，执行下一次根据写命令将逻辑地址转换为物理地址的操作，其中，将前一次根据写命令将逻辑地址转换为物理地址的操作中最后转换的一个逻辑地址加1后作为下一次根据写命令将逻辑地址转换为物理地址的操作的起始逻辑地址。可选的，在将写命令对应的待写入数据写入物理地址中，并在写最后一页数据时，执行数据管理操作之后还包括：判断当前已转换的逻辑地址对应的待写入数据的数量是否小于写命令中包含的预设待写入数据量；若是，执行下一次根据写命令将逻辑地址转换为物理地址的操作；其中，将前一次根据写命令将逻辑地址转换为物理地址的操作中最后转换的一个逻辑地址加1后作为下一次根据写命令将逻辑地址转换为物理地址的操作的起始逻辑地址；判断本次待写入数据的写入操作是否结束；若是，将写命令对应的待写入数据写入下一次根据写命令将逻辑地址转换的物理地址中，并在写最后一页数据时，执行数据管理操作，直至当前已转换的逻辑地址的总数等于写命令中包含的预设待写入数据量。可选的，数据管理操作包括：执行更新地址映射表的操作。可选的，将写命令对应的待写入数据写入物理地址中，并在写最后一页数据时，执行数据管理操作包括：将写命令对应的待写入数据写入物理地址中；实时计算预设地址转换量对应的待写入数据的数量和本次待写入数据的写入操作过程中当前已写入数据的数量的差值；在差值等于存储设备一页所能容纳的数据量时，确定为开始写最后一页数据；在写最后一页数据时执行数据管理操作。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种数据写入装置，该装置包括：写命令获取模块、地址转换模块以及数据写入和数据管理模块；写命令获取模块，用于获取写命令；地址转换模块，用于根据写命令将逻辑地址转换为物理地址；数据写入和数据管理模块，用于将写命令对应的待写入数据写入物理地址中，并在写最后一页数据时，执行数据管理操作。可选的，地址转换模块，具体用于根据预设地址转换量以及写命令中包含的起始逻辑地址将逻辑地址转换为物理地址。可选的，数据管理操作执行模块包括写入子模块、差值计算子模块、写最后一页数据确定子模块以及数据管理操作执行子模块；写入子模块，用于将写命令对应的待写入数据写入物理地址中；差值计算子模块，用于实时计算预设地址转换量对应的待写入数据的数量和本次待写入数据的写入操作过程中当前已写入数据的数量的差值；写最后一页数据确定子模块，用于在差值等于存储设备一页所能容纳的数据量时，确定为开始写最后一页数据；数据管理操作执行子模块，用于在写最后一页数据时执行数据管理操作。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种存储设备，包括本专利技术任意实施例所述的数据写入装置。本专利技术实施例提供的数据写入方法，通过在写最后一页数据的同时，进行数据管理操作，从而缩短整个写访问的工作时间，解决现有技术中由于数据写入与数据管理串行带来的写访问速度较慢的问题，实现提高写访问速度的效果。附图说明图1是本专利技术实施例一提供的一种数据写入方法的流程图；图2是本专利技术实施例二提供的一种数据写入方法的流程图；图3是本专利技术实施例三提供的一种数据写入方法的流程图；图4是本专利技术实施例四提供的一种数据写入装置的结构框图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1是本专利技术实施例一提供的一种数据写入方法的流程图。本实施例可适用于存储设备进行数据写入的情况，该方法可以由本专利技术实施例中的数据写入装置来执行，该装置可以通过软件和/或硬件的方式实现，并一般可以集成在存储设备中，本专利技术实施例的方法具体包括如下步骤：S110、获取写命令。其中，存储设备可以是基于NANDflash存储器的存储设备，该NANDflash存储设备包括前端层、转换层、后端层、数据管理缓冲器和数据缓冲器，后端层包括至少一个NANDflash存储器。前端层用于与主机进行通讯，例如，接收主机发送的控制指令，控制指令包括读命令、写命令和擦除命令；转换层用于根据控制指令进行软件操作，软件操作包括但不限于逻辑地址到物理地址的转换、地址映射表管理、损耗均衡管理和坏块管理；后端层用于根据控制指令对NANDflash存储器进行读、写或擦除操作；数据缓冲器设置在前端层和后端层之间，NANDflash存储设备的前端层在接收到主机发送的待写入数据之后，将待写入数据先传输至数据缓冲器，后端层再从数据缓冲器中取出待写入数据并写入NANDflash存储器中；数据管理缓冲器可以为随机存取存储器(randomaccessmemory，RAM)，通常情况下，在将待写入数据写入NANDflash存储器之后，待写入数据对应的地址映射表需要更新，一般先在RAM中修改地址映射表，然后再将修改完成的地址映射表保存到NANDflash存储器中。具体的，前端层接收主机发送的写命令，并将该写命令中包含的起始逻辑地址和预设待写入数据量解读出来。S120、根据写命令将逻辑地址转换为物理地址。可选的，根据写命令将逻辑地址转换为物理地址，包括：根据预设地址转换量以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种数据写入方法，其特征在于，包括：/n获取写命令；/n根据所述写命令将逻辑地址转换为物理地址；/n将所述写命令对应的待写入数据写入所述物理地址中，并在写最后一页数据时，执行数据管理操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种数据写入方法，其特征在于，包括：
获取写命令；
根据所述写命令将逻辑地址转换为物理地址；
将所述写命令对应的待写入数据写入所述物理地址中，并在写最后一页数据时，执行数据管理操作。


2.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，所述根据所述写命令将逻辑地址转换为物理地址，包括：
根据预设地址转换量以及所述写命令中包含的起始逻辑地址将逻辑地址转换为物理地址。


3.根据权利要求2所述的数据写入方法，其特征在于，在将所述写命令对应的待写入数据写入所述物理地址中，并在写最后一页数据时，执行数据管理操作之后还包括：
判断本次待写入数据的写入操作是否结束；
若是，判断当前已写入数据的数据量是否与所述写命令中包含的预设待写入数据量相同；
若否，执行下一次根据所述写命令将逻辑地址转换为物理地址的操作，其中，将前一次根据所述写命令将逻辑地址转换为物理地址的操作中最后转换的一个逻辑地址加1后作为下一次根据所述写命令将逻辑地址转换为物理地址的操作的起始逻辑地址。


4.根据权利要求2所述的数据写入方法，其特征在于，在将所述写命令对应的待写入数据写入所述物理地址中，并在写最后一页数据时，执行数据管理操作之后还包括：
判断当前已转换的逻辑地址对应的待写入数据的数量是否小于所述写命令中包含的预设待写入数据量；
若是，执行下一次根据所述写命令将逻辑地址转换为物理地址的操作；其中，将前一次根据所述写命令将逻辑地址转换为物理地址的操作中最后转换的一个逻辑地址加1后作为下一次根据所述写命令将逻辑地址转换为物理地址的操作的起始逻辑地址；
判断本次待写入数据的写入操作是否结束；
若是，将所述写命令对应的待写入数据写入下一次根据所述写命令将逻辑地址转换的所述物理地址中，并在写最后一页数据时，执行数据管理操作，直至当前已转换的逻辑地址的总数等于所述写命令中包含的预设待写入数据量。


5.根据权利要求1所述的数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈诚，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11