一种非易失存储器读处理方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种非易失存储器读处理方法及装置，该方法包括：在对所述非易失存储器执行读处理的情况下，验证第一存储页的电平状态；在所述第一存储页的电平状态为低电平的情况下，从所述第一存储页中读取数据，且，根据第一预设跳变值跳变到第二存储页，以验证所述第二存储页的电平状态；其中，所述第二存储页的第二存储地址为：所述第一存储页的第一存储地址与所述第一预设跳变值的和；所述第一预设跳变值为自然数。本发明专利技术实施例因为第一预设跳变值可以是任意的自然数，因此，使得本发明专利技术实施例的读处理方法中，可以灵活适应不同的读取方式，因此不会造成无效验证，能够有效提升读处理的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种非易失存储器读处理方法及装置
本专利技术涉及存储器处理
，特别是涉及一种非易失存储器读处理方法及装置。
技术介绍
随着各种电子装置及嵌入式系统等的发展，非易失性存储器件得到较多发展。示例的，以非易失性存储器NAND闪存(NANDFlashMemory)为例，NAND闪存通过对Memorycell(存储单元)进行读写擦操作来存储数据，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛使用到电子产品中。在非易失存储器进行读操作时，通常是以存储页(page)为单位进行读取，读操作可以包括两个阶段，第一个阶段验证page的电平状态，在确定page为低电平状态后，进入第二阶段，第二阶段为从该page中读取数据的阶段。现有技术中，为了提升读处理的效率，通常采用cacheread(高速缓存存储器读处理)的方式进行，示例的，如图1所示，在cacheread模式中，在第一阶段当验证出其中一个page电平为低电平后，在第二阶段从该page中读取数据的同时，并行执行验证与该page相邻的下一个page的电平状态的操作，以上述的其中一个page的地址为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失存储器读处理方法，其特征在于，所述方法包括：/n在对所述非易失存储器执行读处理的情况下，验证第一存储页的电平状态；/n在所述第一存储页的电平状态为低电平的情况下，从所述第一存储页中读取数据，且，根据第一预设跳变值跳变到第二存储页，以验证所述第二存储页的电平状态；其中，所述第二存储页的第二存储地址为：所述第一存储页的第一存储地址与所述第一预设跳变值的和；所述第一预设跳变值为自然数。/n

【技术特征摘要】
1.一种非易失存储器读处理方法，其特征在于，所述方法包括：
在对所述非易失存储器执行读处理的情况下，验证第一存储页的电平状态；
在所述第一存储页的电平状态为低电平的情况下，从所述第一存储页中读取数据，且，根据第一预设跳变值跳变到第二存储页，以验证所述第二存储页的电平状态；其中，所述第二存储页的第二存储地址为：所述第一存储页的第一存储地址与所述第一预设跳变值的和；所述第一预设跳变值为自然数。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一存储页为低电平的情况下，从所述第一存储页中读取数据，且，根据第一预设跳变值跳变到第二存储页，以验证所述第二存储页的电平状态之前，还包括：
接收第一跳变指令；其中，所述第一跳变指令包括：所述第一预设跳变值。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一存储页为低电平的情况下，从所述第一存储页中读取数据，且，根据第一预设跳变值跳变到第二存储页，以验证所述第二存储页的电平状态之后，还包括：
在所述第二存储页的电平状态为低电平的情况下，从所述第二存储页中读取数据，且，根据第一预设跳变值跳变到第三存储页，以验证所述第三存储页的电平状态；其中，所述第三存储页的第三存储地址为：所述第二存储地址与所述第一预设跳变值的和。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一存储页为低电平的情况下，从所述第一存储页中读取数据，且，根据第一预设跳变值跳变到第二存储页，以验证所述第二存储页的电平状态之后，还包括：
接收第二跳变指令；其中，所述第二跳变指令包括：所述第二预设跳变值；所述第二预设跳变值为自然数。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述接收第二跳变指令之后，还包括：
在所述第二存储页的电平状态为低电平的情况下，从所述第二存储页中...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓伟，卜婧婧，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，西安格易安创集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11