本发明提供了一种增强型FLASH芯片和一种芯片封装方法，以解决设计复杂度高、设计周期长、设计成本高的问题。所述增强型FLASH芯片，包括：封装在一起的FLASH和应答保护单调计数器RPMC；其中，所述FLASH和所述RPMC分别包括各自...

本发明提供了一种快闪存储器，包括：存储阵列和与存储阵列连接的失效检测模块；所述失效检测模块检测存储阵列中是否存在失效存储单元，并选取冗余存储单元替换失效存储单元。本发明还提供了一种快闪存储器失效存储单元检测方法。本发明的快闪存储器及快闪...

本申请提供了一种存储单元的识别方法及一种灵敏放大器，以解决灵敏放大器的读速度慢的问题。所述方法包括：通过对存储单元和参考单元分别施加不同的读电压，增大存储单元支路和参考单元支路上的电流差；将所述参考单元支路上的电流镜像到存储单元的支路上...

本发明公开了一种串行I/O接口快闪存储器，包括：双向I/O接口、存储单元；所述双向I/O接口用于接收外部时钟信号和输入信号，在外部时钟信号的上升沿对所述输入信号采样，得到第一路据输入结果，在所述外部时钟信号的下降沿对所述输入信号采样，得...

本发明提供了一种串行接口快闪存储器，包括：输入接口、存储单元、输出接口；所述输入接口为双边沿触发器，用于接收外部时钟信号作为控制信号，接收输入信号作为待采样的数据，在外部时钟信号的上升沿和下降沿对输入信号采样，得到输入数据，保存进所述存...

本发明公开了一种串行接口快闪存储器，包括：输入接口、存储单元、输出接口；所述输出接口用于输出所述存储单元中的数据；所述输入接口用于接收外部时钟信号和输入信号，在外部时钟信号的上升沿对输入信号采样，得到第一路数据输入结果，在所述外部时钟信...

本发明提供了一种增强型Flash芯片和一种芯片封装方法，所述Flash芯片包括：封装在一起的FLASH和应答保护单调计数器RPMC；所述FLASH和所述RPMC各自还包括第一内部IO引脚和/或第二内部IO引脚；所述FLASH和/或RPM...

本发明提供了一种含有RPMC的增强型Flash芯片和一种含有RPMC的增强型Flash芯片封装方法，所述含有RPMC的增强型Flash芯片包括：封装在一起的Flash和应答保护单调计数器RPMC，以及，与所述RPMC相连的存储器芯片me...

本发明公开了一种半导体存储装置，包括：由多个存储单元构成的存储阵列，每个存储单元由一个浮栅结构的金属氧化物半导体MOS晶体管构成，每个浮栅结构的MOS晶体管包括栅极、源极和漏极，其中，位于同一行的每个浮栅结构的MOS晶体管的栅极共同连接...

本发明公开了一种闪存封装芯片，包含：基板；闪存（Flash）芯片；拓展芯片，与Flash芯片相互连接并封装在基板上。本发明的闪存封装芯片通过将单独的Flash芯片和拓展芯片进行封装，复杂度较低、设计和生产周期较短、成本较低；Flash芯...

本发明提供了一种增强型Flash芯片、一种封装方法和一种指令执行方法。所述增强型Flash芯片包括：封装在一起的多个FLASH和一个应答保护单调计数器RPMC；其中，各FLASH和所述RPMC分别包括各自独立的控制器、相同IO引脚和内部...

本发明公开了一种读电路的电流比较电路，包括：输出缓冲器，用于将输入端的电压与触发点进行比较，产生输出电压；存储器单元电路、参考单元电路；第一负载，包括一P型MOS管，源极连接高电平，漏极连接所述参考单元电路；第二负载，包括一P型MOS管...

本发明公开了一种读灵敏放大器比较电路，包括：存储器单元电路、钳位电路、第一、第二钳位电路、第一、第二电流转换电压电路；第一电流源产生电路，输出端连接所述第一钳位电路及存储器单元电路；第二电流源产生电路，输出端连接所述第二钳位电路及参考单...