一种控制编程性能的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，NOR flash存储器包括：编程循环次数检测单元、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证操作，验证不通过则根据循环次数，调整时间，根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明专利技术在执行编程加压操作时，NOR flash存储器根据循环次数，调整单次编程加压操作的时间，完成编程加压操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。

【技术实现步骤摘要】
一种控制编程性能的方法和装置
本专利技术涉及存储领域，尤其涉及一种控制编程性能的方法和装置。
技术介绍
目前NORflash存储器采用沟道载流子热电子注入的方式实现编程操作，研究结果表明编程时所加电压的时间越长，对NORflash存储器的存储单元的编程效果就越好。参照图1，示出了现有NORflash存储器编程原理示意图，编程操作是通过热电子注入方式利用高电场加速得到的热电子注入浮栅层，从而改变浮栅层的阈值达到编程的效应，为了形成导电沟道，需要给漏端(D)加一个正压，为了使电子到达浮栅层，需要给栅端(G)加一个正压，源端(S)和衬底接地，研究表明，编程加压的时间增加，电子达到浮栅的数量越理想，编程的成功率越大。目前编程操作过程中，编程操作状态机中控制编程加压时间的计数器的最大值及时钟频率发生器(CLK发生器)的频率，在出厂时是确定好的，然而，随着编程擦除次数的增加，由于各种缺陷的存在，单次编程成功的概率有所下降，芯片完成整体编程操作的时间就会越来越长，编程性能越来越差，甚至最终无法完成编程任务。
技术实现思路
本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制编程性能的方法，其特征在于，所述方法应用于NOR flash存储器，所述NORflash存储器包括：编程循环次数检测单元、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，所述编程操作状态机包括：计数器，所述编程循环次数检测单元与所述时钟频率发生器连接，所述编程操作状态机分别与所述时钟频率发生器和所述编程存储单元连接，所述方法包括：/n通过所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，所述待编程数据为所需写入所述编程存储单元的数据；/n根据所述编程操作指令和待编程数据，通过所述编程操作状态机执行编程验证操作，所述编程验证操作为验证所述待编程数据是否与所述编程存储单元中已存储数据一致...

【技术特征摘要】
1.一种控制编程性能的方法，其特征在于，所述方法应用于NORflash存储器，所述NORflash存储器包括：编程循环次数检测单元、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，所述编程操作状态机包括：计数器，所述编程循环次数检测单元与所述时钟频率发生器连接，所述编程操作状态机分别与所述时钟频率发生器和所述编程存储单元连接，所述方法包括：
通过所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，所述待编程数据为所需写入所述编程存储单元的数据；
根据所述编程操作指令和待编程数据，通过所述编程操作状态机执行编程验证操作，所述编程验证操作为验证所述待编程数据是否与所述编程存储单元中已存储数据一致的操作，若一致则验证通过，若不一致则验证不通过；
若验证不通过，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作，所述编程加压操作为对所述编程存储单元持续施加预设电压值的操作，所述持续施加预设电压值的时间为所述计数器的最大值与所述时钟频率发生器的周期的乘积；
其中，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作，包括：
所述NORflash存储器接收所述编程循环次数检测单元发送的所述编程验证与所述编程加压的循环次数，所述循环次数为完成所述编程操作指令对应的编程操作需要执行所述编程验证操作和所述编程加压操作的次数，每一次循环次数对应一次所述编程验证操作和一次所述编程加压操作；
根据所述循环次数，通过所述编程操作状态机调整所述时间；
根据调整后的时间，通过所述编程操作状态机完成本次循环次数对应的所述编程加压操作；
通过所述编程操作状态机完成本次循环次数对应的所述编程加压操作后，所述编程循环次数检测单元将所述循环次数加一，所述编程操作状态机继续执行下一次循环次数对应的所述编程验证操作。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述循环次数，通过所述编程操作状态机调整所述时间，包括：
所述NORflash存储器调用循环次数区间段与所述时钟频率发生器的产生频率的关系表，其中，循环次数越高的区间段对应的时钟频率发生器的产生频率越慢；
所述NORflash存储器根据所述循环次数与所述关系表，调整所述时钟频率发生器的产生频率；
根据所述调整后的所述时钟频率发生器的产生频率，通过所述编程操作状态机调整所述时间。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述NORflash存储器根据所述循环次数与所述关系表，调整所述时钟频率发生器的产生频率，包括：
所述NORflash存储器根据所述循环次数，从所述循环次数区间段中确定所述循环次数所属的目标循环次数区间段；
所述NORflash存储器从所述关系表中查找对应于目标循环次数区间段的目标频率值；
所述NORflash存储器将所述时钟频率发生器的产生频率调整为所述目标频率值。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据调整后的时间，通过所述编程操作状态机完成本次循环次数对应的所述编程加压操作，包括：
通过所述编程操作状态机判断所述计数器的计数值是否达到其最大值；
若所述计数器未达到其最大值，通过所述编程操作状态机在调整后的时间内持续执行本次循环次数对应的所述编程加压操作；
若所述计数器达到其最大值，通过所述编程操作状态机结束本次循环次数对应的所述编程加压操作。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述编程操作状态机完成本次循环次数对应的所述编程加压操作后，所述编程循环次数检测单元将所述循环次数加一，所述编程操作状态机继续执行下一次循环次数对应的所述编程验证操作，包括：
通过所述编程操作状态机完成本次循环次数对应的所述编程加压操作后，所述编程操作状态机判断所述循环次数是否达到第一预设值；
若所述循环次数达到所述第一预设值，通过所述编程操作状态机结束所述编程操作指令对应的编程操作；
若所述循环次数未达到所述第一预设值，通过所述编程操作状态机继续执行下一次循环次数对应的所述编程验证操作。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘言言，许梦，付永庆，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11