蚀刻液及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种蚀刻液及其制备方法与应用。本发明专利技术提供的透明导电膜用蚀刻液，包括如下各组分：式I所示磺酸类化合物、草酸、甲叉膦酸盐类络合物和水。该透明导电膜刻蚀液在触摸屏生产工艺中用尤其适用于蚀刻ITO膜，在蚀刻过程中完全不产生蚀刻残渣，有效抑制有效起泡，没有大量泡沫产生，且能够在温和的工作条件下对无定形ITO膜高效且高精度地进行蚀刻，蚀刻效率和精度均可满足现有要求，具有重要的应用价值。式I。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种蚀刻液及其制备方法与应用。本专利技术提供的透明导电膜用蚀刻液，包括如下各组分：式I所示磺酸类化合物、草酸、甲叉膦酸盐类络合物和水。该透明导电膜刻蚀液在触摸屏生产工艺中用尤其适用于蚀刻ITO膜，在蚀刻过程中完全不产生蚀刻残渣，有效抑制有效起泡，没有大量泡沫产生，且能够在温和的工作条件下对无定形ITO膜高效且高精度地进行蚀刻，蚀刻效率和精度均可满足现有要求，具有重要的应用价值。式I。【专利说明】蚀刻液及其制备方法与应用
本专利技术涉及一种蚀刻液及其制备方法与应用。
技术介绍
透明电极目前最常用的材料就是氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ΙΤ0)导电膜。由于ITO导电膜具有低电阻率，高可见光透过率、高红外反射、对衬底具有很好的附着性、抗擦伤等诸多优良的物理性能以及良好的化学稳定性等特点，因此被广泛应用于各类触摸屏上。ITO膜是利用例如溅射法等成膜方法制作在玻璃等基板上，形成氧化铟锡层，然后在氧化铟锡层上覆涂光刻胶，接着通过曝光和显影，形成所需图案，再将ITO膜同作为掩膜的光致抗蚀剂一起用蚀刻液进行蚀刻(湿法蚀刻)，然后将剩余的光致抗蚀剂剥离除去，即可在基板上形成透明的电极图案。氧化铟锡层通常具有卓越的耐化学品性能，而随着触摸屏设备的便携性，精细化，对其蚀刻的精细度越来越高，所以为得到更加精细的电极图案对蚀刻过程的要求也是越来越闻。常见用于湿法蚀刻的蚀刻液有:三氯化铁-水体系，如美国专利US5456795，虽然蚀刻速度很快，但是对不必蚀刻的侧面，蚀刻量大；草酸-水体系，如日本特开2006-21033号公报，其常温蚀刻时，速率相对缓慢，升温条件下，对光刻胶有影响求，需要较高的能耗，另外草酸蚀刻生成的草酸盐其水溶性较低，容易在管道，阀门等设`备管路系统中沉积，引起堵塞。盐酸-硝酸体系，如韩国专利公开第97-54585号，该体系即是王水体系，其刻蚀过程过于剧烈，控制性太差；碘酸-水体系，如美国专利US5340491，该体系对温度较为敏感，稳定性太差，不易贮运，生产工艺中操作繁复；磷酸-水体系，如日本特开2000-31111号公报，但该体系蚀刻时有大量残渣，附着与ITO表面，容易引起蚀刻面的不平整光滑由于上述原因，随着触摸屏高精度的需求，目前对一种能够已高加工精度蚀刻触摸屏像素电极的蚀刻液的需求大大增加，为了解决上述问题，上述几种常见体系中，有加入表面活性剂或其他混酸混配得到的蚀刻液，但是在解决产生残渣、泡沫引起的蚀刻精度差，蚀刻面粗糙等缺陷问题与高效的蚀刻效率两方面兼顾上，还没有特别有效的方法。在这种情况下，迫切希望开发出一种不产生蚀刻残渣和抑制起泡的ITO膜高效蚀刻液。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种蚀刻液及其制备方法与应用。本专利技术提供的蚀刻液组合物，包括如下各组分:式I所示磺酸类化合物、草酸、甲叉膦酸盐类络合物和水；【权利要求】1.一种蚀刻液组合物，包括如下各组分:式I所示磺酸类化合物、草酸、甲叉膦酸盐类络合物和水； 2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于:所述蚀刻液组合物由所述式I所示磺酸类化合物、草酸、甲叉膦酸盐类络合物和水组成。3.根据权利要求1或2所述的组合物，其特征在于:所述甲叉膦酸盐类络合物选自式II所示氨基三甲叉膦酸四钠、式III所示乙二胺四甲叉膦酸五钠和式IV所示二乙烯三胺五甲叉膦酸七钠中的至少一种； 4.根据权利要求1-3任一所述的组合物，其特征在于:所述式I所示磺酸类化合物为乙二磺酸。5.根据权利要求1-4任一所述的组合物，其特征在于:所述水为去离子水，所述水中的总金属离子浓度不大于500纳克/升，具体为不大于50纳克/升。6.根据权利要求1-5任一所述的组合物，其特征在于:所述蚀刻液组合物为由如下各质量百分含量的组分组成: 式I所示磺酸类化合物:0.5-10% ； 草酸:1-15% ； 甲叉膦酸盐类络合物:0.1-5% ； 余量为水。7.根据权利要求6所述的组合物，其特征在于:所述蚀刻液组合物为由如下各质量百分含量的组分组成: 式I所示磺酸类化合物:1-5% ； 草酸:2_8% ； 甲叉膦酸盐类络合物:0.5-3% ； 余量为水。8.一种制备权利要求1-7任一所述蚀刻液组合物的方法，包括如下步骤:将权利要求1-7任一所述各组分于20-30°C混匀，得到所述蚀刻液组合物。9.权利要求1-7任一所述蚀刻液组合物在蚀刻导电膜中的应用。10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于:所述导电膜为ITO膜。【文档编号】C03C15/00GK103755147SQ201410015519【公开日】2014年4月30日 申请日期:2014年1月14日 优先权日:2014年1月14日 【专利技术者】梁晓, 唐洪, 田博 申请人:清华大学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁晓，唐洪，田博，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：