叠层体及其制造方法技术

一种叠层体，其特征在于，具有：基板，该基板的表面具有高宽比为1.5～100的凹凸；和导电膜，其以大致均匀的厚度叠层于所述凹凸的底、侧壁面和顶上，所述导电膜为选自ITO膜、FTO膜、SnO2膜、ATO膜、AZO膜、GZO膜、IZO膜和IGZO膜中的任一种。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】叠层体及其制造方法
本专利技术涉及叠层体及其制造方法。进一步具体而言，本专利技术涉及具有表面具有凹凸的基板、和以大致均匀的厚度叠层于该凹凸的底、侧壁面和顶上的导电膜的叠层体及其制造方法。本申请根据2011年8月10日于日本提出的特愿2011-175149号主张优先权，在此援引其内容。
技术介绍
作为透明导电膜，已知ITO（掺锡氧化铟）膜、FTO（掺氟氧化锡）膜、SnO2（二氧化锡）膜、ATO（掺锑氧化锡）膜、AZO（掺铝氧化锌）膜、GZO（掺镓氧化锌）膜、IZO（掺铟氧化锌）膜和IGZO（铟镓锌复合氧化物）膜等。在各种基板上制作这些透明导电膜而制得的产品，例如被用于平板显示器（液晶显示器、电致发光显示器等）、表面发热体、触摸屏、太阳能电池、半导体元件等。上述导电膜能够通过溅射法、CVD法（化学气相沉积法）、SPD法（喷雾热分解法）等方法制作。上述导电膜不仅需要在玻璃基板这样表面平坦的基板上成膜，而且也需要在表面具有凹凸的基板上成膜。在通过溅射法在表面具有凹凸的基板上叠层导电膜时，凹凸的平坦面和侧壁面的膜厚容易产生差别。因此，进行了使侧壁面倾斜（专利文献2）、或一边对基板施加偏置电压一边进行成膜（专利文献1）等的尝试。SPD法是使固相从喷雾到加热基板上的液相析出、作为薄膜沉积的成膜工艺。即，根据喷雾的原理，将原料溶液向经过加热的基板喷雾，通过溶剂的蒸发和随后的溶质的热分解·化学反应而形成薄膜。通过超声波振动进行溶液的雾化的方法为熔溶胶法。在专利文献3中公开了一种带透明导电膜的基体的制造方法，其特征在于，在具有曲面或凸凹形状的基体上直接或经由中间膜通过熔溶胶法形成透明导电膜。作为该基体，可以举出局部具有曲面或凹凸形状的片状基体（基板）、蜂窝状基体、纤维状基体、球状基体、发泡状基体。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平11-54457号公报专利文献2：日本特开2011-9307号公报专利文献3：日本特开2004-39269号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术的目的在于提供一种具有表面具有复杂形状的凹凸的基板、和以大致均匀的厚度叠层于该凹凸的底、侧壁面和顶上的导电膜的叠层体及其制造方法。用于解决技术问题的手段本专利技术包括以下内容。〔1〕一种叠层体，其具有基板和导电膜，上述基板的表面具有高宽比为1.5～100的凹凸；上述导电膜以大致均匀的厚度叠层于上述凹凸的底、侧壁面和顶上，上述导电膜为选自ITO膜、FTO膜、SnO2膜、ATO膜、AZO膜、GZO膜、IZO膜和IGZO膜中的任一种。〔2〕如〔1〕所述的叠层体，上述导电膜为ITO膜。〔3〕如〔1〕或〔2〕所述的叠层体，上述凹凸由针状凸起、柱状凸起、竖穴、细孔或槽构成。〔4〕如〔1〕～〔3〕中任一项所述的叠层体，上述导电膜的阶梯覆盖率为60～120%。〔5〕如〔1〕～〔4〕中任一项所述的叠层体，上述导电膜通过熔溶胶法得到。〔6〕一种〔2〕所述的叠层体的制造方法，包括：在表面具有高宽比为1.5～100的凹凸的基板上，使用含有式（I）：In(R1COCHCOR2)3（式（I）中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1～10的烷基或苯基）所示的铟化合物和式（II）：(R3)2Sn(OR4)2（式（II）中，R3表示碳原子数为1～10的烷基，R4表示碳原子数为1～10的烷基或碳原子数为1～10的酰基）所示的锡化合物的溶液，通过熔溶胶法制作ITO膜。〔7〕一种〔2〕所述的叠层体的制造方法，包括：将含有式（I）：In(R1COCHCOR2)3（式（I）中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1～10的烷基或苯基）所示的铟化合物和式（II）：(R3)2Sn(OR4)2（式（II）中，R3表示碳原子数为1～10的烷基，R4表示碳原子数为1～10的烷基或碳原子数为1～10的酰基）所示的锡化合物的溶液雾化，对表面具有高宽比为1.5～100的凹凸的基板进行加热，使上述雾化物与被加热的上述基板接触，在上述基板上使上述铟化合物和上述锡化合物热分解，制作ITO膜。〔8〕如〔6〕或〔7〕所述的制造方法，上述基板的加热温度为300～800℃。〔9〕如〔6〕～〔8〕中任一项所述的制造方法，上述凹凸由针状凸起、柱状凸起、竖穴、细孔或槽构成。〔10〕如〔6〕～〔9〕中任一项所述的制造方法，形成上述ITO膜使得阶梯覆盖率为60～120%。〔11〕如〔10〕所述的制造方法，进行成膜使得上述阶梯覆盖率为80～120%。专利技术效果根据本专利技术的制造方法，能够容易地获得具有表面具有复杂形状的凹凸的基板、和以大致均匀的厚度叠层于该凹凸的底、侧壁面和顶上的导电膜的叠层体。根据本专利技术的制造方法，例如，即使在高宽比大的接触孔等中也能够以大致均匀的厚度形成导电膜，因此，不会发生接触不良。本专利技术的叠层体能够用于平板显示器（液晶显示器、电致发光显示器等）、表面发热体、触摸屏、半导体元件等。附图说明图1是表示用于实施本专利技术的制造方法的装置的一个方式的示意结构的截面图。图2是表示用于实施本专利技术的制造方法的装置的另一个方式的示意结构的截面图。图3（a）是表示实施例1～3中使用的表面具有凹凸（由槽构成的凹凸）的基板的示意结构的立体图，（b）是其局部截面图。图4是将实施例1中获得的叠层体沿与槽的长度方向垂直的方向切开的面的电子照片。图5是实施例1中获得的叠层体的顶面的电子照片。图6是将实施例1中获得的叠层体沿与槽的长度方向垂直的方向切开的面的高倍率电子照片。图7是将实施例2中获得的叠层体沿与槽的长度方向垂直的方向切开的面的电子照片。图8是将实施例2中获得的叠层体沿与槽的长度方向垂直的方向切开的面的高倍率电子照片。图9是将实施例3中获得的叠层体沿与槽的长度方向垂直的方向切开的面的电子照片。图10是将实施例3中获得的叠层体沿与槽的长度方向垂直的方向切开的面的高倍率电子照片。图11（a）是表示在实施例4中使用的表面具有凹凸（由柱状凸起构成的凹凸）的基板的局部结构的立体图，（b）是其俯视图。图12是从实施例4中使用的基板上表面拍摄的电子照片。图13（a）是实施例4中获得的叠层体的俯视示意图，（b）是沿着图13（a）中的A-A线的截面的高倍率电子照片。图14是从侧面拍摄实施例5中使用的表面具有凹凸（由槽构成的凹凸）的基板的照片。图15（a）是将实施例5中获得的叠层体沿与槽的长度方向垂直的方向切开，拍摄切开后的面的一凸部的顶侧的高倍率电子照片，（b）是拍摄上述切割面的一凹部的底侧的高倍率电子照片。图16是从侧面拍摄实施例6中使用的表面具有凹凸（由槽构成的凹凸）的基板的照片。图17（a）是将实施例6中获得的叠层体沿与槽的长度方向垂直的方向切开，拍摄切开后的面的一凸部的顶侧的一部分的高倍率电子照片，（b）是拍摄上述切割面的一凹部的底侧的一部分的高倍率电子照片。图18（a）是将比较例1中获得的叠层体沿与槽的长度方向垂直的方向切开，拍摄切开后的面的一凸部的顶侧的高倍率电子照片，（b）是拍摄上述切割面的一凹部的底侧的高倍率电子照片。具体实施方式本专利技术的专利技术人发现：通过采用熔溶胶法在处于经过加热的状态的基板上进行成膜，能够对表面具有复杂形状的凹凸的基板以大致均匀的厚度形成导电膜，基于该见解进一步进行深入研究，完成了本专利技术。本专利技术的叠层体具有基板和叠本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层体，其特征在于，具有：基板，该基板的表面具有高宽比为1.5～100的凹凸；和导电膜，其以大致均匀的厚度叠层于所述凹凸的底、侧壁面和顶上，所述导电膜为选自ITO膜、FTO膜、SnO2膜、ATO膜、AZO膜、GZO膜、IZO膜和IGZO膜中的任一种。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.08.10 JP 2011-1751491.一种叠层体的制造方法，其特征在于，包括：将含有下述式(I)所示的铟化合物和下述式(II)所示的锡化合物的溶液雾化，对表面具有高宽比为1.5～100的凹凸的基板进行加热，使所述雾化后的溶液与被加热的所述基板接触，在所述基板上使所述铟化合物和所述锡化合物热分解，制作ITO膜，式(I)：In(R1COCHCOR2)3，式(I)中，R1和R2分别独立地表示碳原子数为1～10的烷基或苯基，式(II)：(R3)2Sn(OR4)2，式(II)中，R3表示碳原子数为1～10的烷基，R4表...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒井香太郎，瀬田康弘，小川一幸，
申请(专利权)人：日本曹达株式会社，
类型：
国别省市：