一种具有正反结构的触摸屏导电膜制造技术

技术编号:9922307 阅读:66 留言:0更新日期:2014-04-14 19:26
本实用新型专利技术涉及触摸屏导电膜技术领域,具体涉及一种具有正反结构的触摸屏导电膜,通过在树脂基体的正面和反面分别设置第一氧化锌层和第二氧化锌层,使得本实用新型专利技术透光性好,在树脂基体正面设置第一ITO层、第二ITO层,在树脂基体反面设置第三ITO层和第四ITO层,使得ITO经过两次结晶过程,ITO层的结晶更加完善,使得本实用新型专利技术透光性好、电阻率低、化学稳定性好;第一二氧化硅层和第二二氧化硅层的硬度较高,具有很强耐磨性,可防止划伤;综上,本实用新型专利技术导电膜具有的正面和反面双层结构,不仅有效避免了单层导电膜在加工过程中出现产品的印刷和贴合良率较低的问题,而且使制得导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及触摸屏导电膜
,具体涉及一种具有正反结构的触摸屏导电膜,通过在树脂基体的正面和反面分别设置第一氧化锌层和第二氧化锌层,使得本技术透光性好,在树脂基体正面设置第一ITO层、第二ITO层,在树脂基体反面设置第三ITO层和第四ITO层,使得ITO经过两次结晶过程,ITO层的结晶更加完善,使得本技术透光性好、电阻率低、化学稳定性好;第一二氧化硅层和第二二氧化硅层的硬度较高,具有很强耐磨性,可防止划伤;综上,本技术导电膜具有的正面和反面双层结构,不仅有效避免了单层导电膜在加工过程中出现产品的印刷和贴合良率较低的问题,而且使制得导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。【专利说明】一种具有正反结构的触摸屏导电膜
本技术涉及触摸屏导电膜
,具体涉及一种具有正反结构的触摸屏导电膜。
技术介绍
触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备,具有直观、简单、快捷的优点。触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用,比如手机、PDA、多媒体、公共信息查询系统等。触摸屏制作中常用到ITO导电膜,ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法,在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层得到的高技术产品。ITO (Indium TinOxides,铟锡金属氧化物),作为一种典型的N型氧化物半导体被广泛地运用在手机、MP3、MP4、数码相机等领域。现有的ITO导电膜只在树脂基体的一个面上完成导电膜的制作,而触摸屏制造工艺需要上线和下线两层单面ITO导电膜,容易在加工过程中出现产品的印刷和贴合良率较低,不能满足正常生产要求。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术的不足,提供一种具有正反结构的触摸屏导电膜,可有效避免在加工过程中出现产品的印刷和贴合良率较低的问题。为了实现上述目的,本技术采用如下技术方案:一种具有正反结构的触摸屏导电膜,包括树脂基体,树脂基体的正面依次设有第一氧化锌层,第一 ITO层、第二 ITO层、第一二氧化娃层,树脂基体的反面依次设有第二氧化锌层,第三ITO层、第四ITO层、第二二氧化硅层。所述树脂基体的厚度为150-250微米,所述树脂基体为聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体。所述树脂基体的厚度为150-250微米,所述树脂基体由厚度比为1:3:1的第一聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体、聚亚胺树脂基体、第二聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体压合而成。所述第一氧化锌层和第二氧化锌层的厚度相等,第一 ITO层和第三ITO层的厚度相等,第二 ITO层和第四ITO层的厚度相等,第一二氧化硅层和第二二氧化硅层的厚度相坐寸O所述第一氧化锌层和第二氧化锌层的厚度均为50-100纳米;第一 ITO层和第三ITO层的厚度均为15-25纳米;第二 ITO层和第四ITO层的厚度均为8_15纳米;第一二氧化硅层和第二二氧化硅层的厚度均为50-100微米。本技术与现有技术相比较,有益效果在于:本技术通过在树脂基体的正面和反面分别设置第一氧化锌层和第二氧化锌层,使得本技术透光性好,在树脂基体的正面设置第一 ITO层、第二 ITO层,在树脂基体的反面设置第三ITO层和第四ITO层,使得ITO经过两次结晶过程,ITO层的结晶更加完善,使得本技术透光性好、电阻率低、化学稳定性好;第一二氧化硅层和第二二氧化硅层的硬度较高,具有很强的耐磨性,可防止本技术被划伤;综上,本技术的导电膜具有正面和反面双层结构,不仅有效避免了单层导电膜在加工过程中出现产品的印刷和贴合良率较低的问题,而且使制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。【专利附图】【附图说明】图1是本技术的结构示意图。附图标记I 树脂基体2——第一氧化锌层3-第一 ITO 层4——第二 ITO 层5——第一二氧化硅层6——第二氧化锌层7——第三ITO层8——第四ITO层9——第二二氧化硅层。【具体实施方式】为了便于本领域技术人员的理解,下面结合实施例和附图对本技术作进一步的说明,实施方式提及的内容并非对本技术的限定。实施例1。见图1,一种具有正反结构的触摸屏导电膜,包括树脂基体1,树脂基体I的正面依次设有第一氧化锌层2,第一 ITO层3、第二 ITO层4、第一二氧化娃层5,树脂基体I的反面依次设有第二氧化锌层6,第三ITO层7、第四ITO层8、第二二氧化硅层9。本技术通过在树脂基体I的正面和反面分别设置第一氧化锌层2和第二氧化锌层6,使得本技术透光性好,在树脂基体I的正面设置第一 ITO层3、第二 ITO层4,在树脂基体I的反面设置第三ITO层7和第四ITO层8,使得ITO经过两次结晶过程,ITO层的结晶更加完善,使得本技术透光性好、电阻率低、化学稳定性好;第一二氧化硅层5和第二二氧化硅层9的硬度较高,具有很强的耐磨性,可防止本技术被划伤;综上,本技术的导电膜具有正面和反面双层结构,不仅有效避免了单层导电膜在加工过程中出现产品的印刷和贴合良率较低的问题,而且使制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。所述树脂基体I的厚度为150-250微米,所述树脂基体I为聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体,在此范围内可满足加工需求。所述第一氧化锌层2和第二氧化锌层6的厚度相等,第一 ITO层3和第三ITO层7的厚度相等,第二 ITO层4和第四ITO层8的厚度相等,第一二氧化硅层5和第二二氧化硅层9的厚度相等,以方便后续的加工需求,当然,也可根据厂家的要求和产品的需要,设定为不同的厚度。所述第一氧化锌层2和第二氧化锌层6的厚度均为50-100纳米;第一 ITO层3和第三ITO层7的厚度均为15-25纳米;第二 ITO层4和第四ITO层8的厚度均为8_15纳米;第一二氧化硅层5和第二二氧化硅层9的厚度均为50-100微米,在此范围内可达到使用效果和成本的平衡,当然,在实际生产过程中,可根据厂家的要求和产品的需要,合理选择厚度,满足不同的需求。实施例2。本实施例与实施例1的不同之处在于:所述树脂基体I的厚度为150-250微米,所述树脂基体I由厚度比为1:3:1的第一聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体、聚亚胺树脂基体、第二聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体压合而成,通过这种夹心结构的设计,可充分发挥每种材料的特性,既能保持本技术的柔韧性,又能保证树脂基体I与第一氧化锌层2和第二氧化锌层6的结合力。最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本技术的技术方案,而非对本技术保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本技术作了详细地说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本技术技术方案的实质和范围。【权利要求】1.一种具有正反结构的触摸屏导电膜,其特征在于:包括树脂基体,树脂基体的正面依次设有第一氧化锌层,第一 ITO层、第二 ITO层、第一二氧化硅层,树脂基体的反面依次设有第二氧化锌层,第三ITO层、第四ITO层、第二二氧化硅层。2.根据权利要求1所述的一种具有正反结构的触摸屏导电膜,其特征在于:所述树脂基体的厚度为150-250微米,所述树脂基体为聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体。3.根据权利要求1所述的一种具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有正反结构的触摸屏导电膜,其特征在于:包括树脂基体,树脂基体的正面依次设有第一氧化锌层,第一ITO层、第二ITO层、第一二氧化硅层,树脂基体的反面依次设有第二氧化锌层,第三ITO层、第四ITO层、第二二氧化硅层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李林波
申请(专利权)人:东莞市平波电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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