一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜制造技术

本实用新型专利技术涉及触摸屏导电膜技术领域，具体涉及一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体下表面的银纳米膜层、第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层，本实用新型专利技术通过设置银纳米膜层，利用纳米银的高渗透性和导电性，大大提高了银纳米膜层与树脂基体之间的结合力和本实用新型专利技术的导电性，本实用新型专利技术通过设置第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层，促使本实用新型专利技术的晶相结构逐步完善，ITO每次沉积后都会经历结晶过程，有效的促进了ITO层完善的结晶。综上，本实用新型专利技术制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及触摸屏导电膜
，具体涉及一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体下表面的银纳米膜层、第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层，本技术通过设置银纳米膜层，利用纳米银的高渗透性和导电性，大大提高了银纳米膜层与树脂基体之间的结合力和本技术的导电性，本技术通过设置第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层，促使本技术的晶相结构逐步完善，ITO每次沉积后都会经历结晶过程，有效的促进了ITO层完善的结晶。综上，本技术制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。【专利说明】一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜
本技术涉及触摸屏导电膜
，具体涉及一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜。
技术介绍
触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备，具有直观、简单、快捷的优点。触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用，比如手机、PDA、多媒体、公共信息查询系统等。触摸屏制作中常用到ITO导电膜，ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层得到的高技术产品。ITO (Indium TinOxides，铟锡金属氧化物)，作为一种典型的N型氧化物半导体被广泛地运用在手机、MP3、MP4、数码相机等领域。现有的ITO膜，ITO层与树脂基体结合力差，电阻率高、透过率差和化学稳定性差，不能满足生产要求。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种ITO层与树脂基体结合力好、电阻率低、透过率好和化学稳定性好的触摸屏用ITO导电膜。为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案:一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体下表面的银纳米膜层、第一 ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层。优选的，所述树脂基体为厚度比为4:1-2:1的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体和聚酰亚胺树脂基体压合而成，所述银纳米膜层沉积于聚酰亚胺树脂基体，银纳米膜层可更好的渗透到聚酰亚胺树脂基体，提高了银纳米膜层与聚酰亚胺树脂基体之间的结合力。优选的，所述树脂基体的厚度为100-150微米，银纳米膜层的厚度为40-60纳米，第一 ITO层的厚度为8-10纳米，第二 ITO层的厚度为6-8纳米，第三ITO层的厚度为4_6纳米，第四ITO层的厚度为2-4纳米。为了减少厚度对结晶的影响，将第一 ITO层、第二 ITO层、第三ITO层和第四ITO层的厚度依次减少，有利于结晶过程的进一步完善，更为优选的，所述树脂基体的厚度为120-150微米，所述银纳米膜层的厚度为45-55纳米，第一 ITO层的厚度为7-8纳米，第二 ITO层的厚度为6_7纳米，第三ITO层的厚度为4-5纳米，第四ITO层的厚度为2-3纳米。作为最佳方案，所述树脂基体的厚度为130微米，所述银纳米膜层的厚度为50纳米，第一 ITO层的厚度为9纳米，第二 ITO层的厚度为7纳米，第三ITO层的厚度为5纳米，第四ITO层的厚度为3纳米。优选的，所述树脂基体的上表面贴有保护膜层，保护ITO导电膜在生产过程中不被刮花(划伤)。本技术与现有技术相比较，有益效果在于:本技术通过设置银纳米膜层，利用纳米银的高渗透性和导电性，大大提高了银纳米膜层与树脂基体之间的结合力和本技术的导电性，本技术通过设置第一 ITO层、第二 ITO层、第三ITO层和第四ITO层，促使本技术的晶相结构逐步完善，ITO每次沉积后都会经历结晶过程，有效的促进了ITO层完善的结晶。综上，本技术制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。【专利附图】【附图说明】图1是本技术实施例1的结构示意图。图2是本技术实施例2和实施例3的结构示意图。附图标记I—聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体2-聚酰亚胺树脂基体3——第一 ITO 层4-第二 ITO 层5——第三ITO层6-第四 ITO 层7—银纳米膜层8—保护膜层。【具体实施方式】为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例和附图对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。实施例1。见图1，一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体下表面的银纳米膜层7、第一 ITO层3、第二 ITO层4、第三ITO层5和第四ITO层6，所述树脂基体的厚度为100微米，银纳米膜层7的厚度为40纳米，第一 ITO层3的厚度为8纳米，第二 ITO层4的厚度为6纳米，第三ITO层5的厚度为4纳米，第四ITO层6的厚度为2纳米。所述树脂基体为厚度比为4:1的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体I和聚酰亚胺树脂基体2压合而成，所述银纳米膜层7沉积于聚酰亚胺树脂基体2。—种结构改进的触摸屏用ITO导电膜的制备方法，它依次包括以下制备步骤:步骤A、将树脂基体放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空，将树脂基体运送至溅射室在常温下沉积银纳米膜层7，运送至冷却室冷却至室温；步骤B、树脂基体加热到200°C后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行沉积，得到第一 ITO层3后，运送至冷却室冷却至室温；步骤C、将溅射有第一 ITO层3的树脂基体加热到220°C后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行沉积，得到第二 ITO层4后，运送至冷却室冷却至室温；步骤D、将溅射有第二 ITO层4的树脂基体加热到230°C后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行，得到第三ITO层5后，运送至冷却室冷却至室温；步骤E、将溅射有第三ITO层5的树脂基体加热到240°C后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行，得到第四ITO层6后，运送至冷却室冷却至室温；步骤F、将步骤E中冷却后的基片放入卸载室，卸片，得到一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜。其中，所述磁控溅射设备所用的氧化铟靶材由重量百分含量为94.5%的氧化铟和重量百分含量为5.5%的氧化锡组成。其中，所述步骤B的冷却具体分为:第一阶段冷却:将溅射有第一 ITO层3的树脂基体以8°C /小时的速度冷却至150。。；保温:在150 C保温2小时；第二阶段冷却:然后以8°C /小时的速度冷却至室温。其中，所述步骤C的冷却具体分为:第一阶段冷却:将溅射有第二 ITO层4的树脂基体以7 V /小时的速度冷却至150。。； 保温:在150 C保温2小时；第二阶段冷却:然后以6°C /小时的速度冷却至室温。其中，所述步骤D的冷却具体分为:第一阶段冷却:将溅射有第三ITO层5的树脂基体以6°C /小时的速度冷却至150。。；保温:在150 C保温2小时；第二阶段冷却:然后以5°C /小时的速度冷却至室温。其中，所述步骤E的冷却具体分为:第一阶段冷却:将溅射有第四ITO层6的树脂基体以4°C /小时的速度冷却至150。。；保温:在150 C保温2小时；第二阶段冷却:然后以2V /小时的速度冷却至室温。实施例2。见图2，一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体下表面的银纳米膜层7、第一 ITO层3、第二 ITO层4、第三ITO层5和第四ITO层6，所述树脂基体的厚度为130微米，银纳米膜层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，其特征在于：包括树脂基体和依次沉积在树脂基体下表面的银纳米膜层、第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李林波，
申请(专利权)人：东莞市平波电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：