一种触摸屏用ITO导电膜制造技术

本实用新型专利技术涉及触摸屏导电膜技术领域，具体涉及一种触摸屏用ITO导电膜，它包括100-150微米的树脂基体和依次沉积在树脂基体的8-10纳米的第一ITO层、6-8纳米的第二ITO层、4-6纳米的第三ITO层和2-4纳米的第四ITO层，本实用新型专利技术通过设置第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层，促使晶相结构逐步完善，ITO每次沉积后都会经历结晶过程，有效的促进了ITO层完善的结晶。本实用新型专利技术为了减少厚度对结晶的影响，将第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层的厚度依次减少，有利于结晶过程的进一步完善，本实用新型专利技术制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及触摸屏导电膜
，具体涉及一种触摸屏用ITO导电膜，它包括100-150微米的树脂基体和依次沉积在树脂基体的8-10纳米的第一ITO层、6-8纳米的第二ITO层、4-6纳米的第三ITO层和2-4纳米的第四ITO层，本技术通过设置第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层，促使晶相结构逐步完善，ITO每次沉积后都会经历结晶过程，有效的促进了ITO层完善的结晶。本技术为了减少厚度对结晶的影响，将第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层的厚度依次减少，有利于结晶过程的进一步完善，本技术制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。【专利说明】—种触摸屏用j TO导电膜
本技术涉及触摸屏导电膜
，具体涉及一种触摸屏用ITO导电膜。
技术介绍
触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备，具有直观、简单、快捷的优点。触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用，比如手机、PDA、多媒体、公共信息查询系统等。触摸屏制作中常用到ITO导电膜，ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层得到的高技术产品。ITO (Indium TinOxides，铟锡金属氧化物)，作为一种典型的N型氧化物半导体被广泛地运用在手机、MP3、MP4、数码相机等领域。现有的ITO膜，电阻率高、透过率差和化学稳定性差，不能满足生产要求。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种电阻率低、透过率好和化学稳定性好的触摸屏用ITO导电膜。为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案:一种触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体的第一 ITO层、第二 ITO层、第三ITO层和第四ITO层，所述树脂基体的厚度为100-150微米，第一 ITO层的厚度为8-10纳米、第二 ITO层的厚度为6-8纳米、第三ITO层的厚度为4-6纳米和第四ITO层的厚度为2_4纳米。优选的，所述树脂基体的厚度为120-150微米，第一 ITO层的厚度为8_9纳米、第二ITO层的厚度为6-7纳米、第三ITO层的厚度为4-5纳米和第四ITO层的厚度为2_3纳米。更为优选的，所述树脂基体的厚度为100微米，第一 ITO层的厚度为10纳米、第二ITO层的厚度为8纳米、第三ITO层的厚度为6纳米和第四ITO层的厚度为4纳米。其中，所述树脂基体为聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体。或者是，所述树脂基体为厚度比为3:1的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体和聚亚胺树脂基体压合而成。优选的，所述树脂基体和第一 ITO层间还沉积有20-30纳米的三氧化二铝光学层。本技术与现有技术相比较，有益效果在于:本技术通过设置第一 ITO层、第二 ITO层、第三ITO层和第四ITO层，促使本技术的晶相结构逐步完善，ITO每次沉积后都会经历结晶过程，有效的促进了 ITO层完善的结晶。本技术为了减少厚度对结晶的影响，将第一 ITO层、第二 ITO层、第三ITO层和第四ITO层的厚度依次减少，有利于结晶过程的进一步完善，本技术制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。【专利附图】【附图说明】图1是本技术实施例1的结构示意图。图2是本技术实施例2的结构示意图。图3是本技术实施例3的结构示意图。附图标记I—聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体2——聚亚胺树脂基体3-第一 ITO 层4-第二 ITO 层5——第三ITO层6——第四ITO层7—三氧化二铝光学层。【具体实施方式】为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例和附图对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。实施例1。见图1，一种触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体的第一ITO层3、第二 ITO层4、第三ITO层5和第四ITO层6，所述树脂基体的厚度为100微米，第一 ITO层3的厚度为8纳米、第二 ITO层4的厚度为6纳米、第三ITO层5的厚度为4纳米和第四ITO层6的厚度为2纳米。其中，所述树脂基体为聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体I。—种触摸屏用ITO导电膜的制备方法，它依次包括以下制备步骤:步骤A、将树脂基片放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空；步骤B、树脂基片加热到200°C后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一 ITO层3后，运送至冷却室冷却至室温；步骤C、将溅射有第一 ITO层3的树脂基片加热到220°C后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二 ITO层4后，运送至冷却室冷却至室温；步骤D、将溅射有第二 ITO层4的树脂基片加热到230°C后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第三次沉积，得到第三ITO层5后，运送至冷却室冷却至室温；步骤E、将溅射有三ITO层的树脂基片加热到240°C后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第四次沉积，得到第四ITO层6后，运送至冷却室冷却至室温；步骤F、将步骤E中冷却后的基片放入卸载室，卸片，得到一种触摸屏用ITO导电膜。其中，所述磁控溅射设备所用的氧化铟靶材由重量百分含量为94.5%的氧化铟和重量百分含量为5.5%的氧化锡组成。其中，所述步骤B的冷却具体分为:第一阶段冷却:将溅射有第一 ITO层3的树脂基片以8°C /小时的速度冷却至150。。；保温:在150 C保温2小时；第二阶段冷却:然后以8°C /小时的速度冷却至室温。其中，所述步骤C的冷却具体分为:第一阶段冷却:将溅射有第二 ITO层4的树脂基片以TC /小时的速度冷却至150。。； 保温:在150 C保温2小时；第二阶段冷却:然后以6°C /小时的速度冷却至室温。其中，所述步骤D的冷却具体分为:第一阶段冷却:将溅射有第三ITO层5的树脂基片以6°C /小时的速度冷却至150。。；保温:在150 C保温2小时；第二阶段冷却:然后以5°C /小时的速度冷却至室温。其中，所述步骤E的冷却具体分为:第一阶段冷却:将溅射有第四ITO层6的树脂基片以4°C /小时的速度冷却至150。。；保温:在150 C保温2小时；第二阶段冷却:然后以2V /小时的速度冷却至室温。实施例2。见图2，一种触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体的第一ITO层3、第二 ITO层4、第三ITO层5和第四ITO层6，所述树脂基体的厚度为130微米，第一 ITO层3的厚度为9纳米、第二 ITO层4的厚度为7纳米、第三ITO层5的厚度为5纳米和第四ITO层6的厚度为3纳米。所述树脂基体为厚度比为3:1的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体I和聚亚胺树脂基体2压合而成。一种触摸屏用ITO导电膜的制备方法，它依次包括以下制备步骤:步骤A、将树脂基片放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空；步骤B、树脂基片加热到210°C后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一 ITO层3后，运送至冷却室冷却至室温；步骤C、将溅射有第一 ITO层3的树脂基片加热到220°C后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二 ITO层4后，运送至冷却室冷却至室温；步骤D、将溅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触摸屏用ITO导电膜，其特征在于： 包括树脂基体和依次沉积在树脂基体的第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层，所述树脂基体的厚度为100‑150微米，第一ITO层的厚度为8‑10纳米、第二ITO层的厚度为6‑8纳米、第三ITO层的厚度为4‑6纳米和第四ITO层的厚度为2‑4纳米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李林波，
申请(专利权)人：东莞市平波电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44