公开了一种发光装置。该发光装置包括：主体，其具有腔；多个引线框架，其位于该腔内；发光芯片；第一模塑组件，其具有围绕发光芯片的第一金属氧化物材料；以及第二模塑组件，其具有在第一模塑组件和发光芯片上的第二金属氧化物材料，其中发光芯片包括位于发光结构下的反射电极层，其中第一模塑组件的上表面以预定曲率从发光芯片的上表面与反射电极层的侧面之间的区域延伸，并且其中第二模塑组件的下表面包括向第一模塑组件凸出的曲面。
【技术实现步骤摘要】
发光装置本申请要求2012年9月13日提交的韩国专利申请第10-2012-0101820号的优先权,其全部内容通过引用结合到本文中。
技术介绍
本专利技术实施例涉及发光装置和包括该发光装置的照明系统。发光装置，例如发光二极管(LED)，是将电能转化为光的半导体装置，并作为代替传统荧光灯和辉光灯的下一代光源而被广泛应用。由于LED通过使用半导体装置产生光，因此与通过加热钨产生光的辉光灯、或者通过激发通过高压放电产生的紫外线与荧光体物质碰撞产生光的荧光灯相比，LED可以表现低功耗。另外，由于LED通过使用半导体装置的电势差产生光，因此，与传统光源相比，LED在寿命、响应特性和环保要求方面具有优势。在这方面，已经进行了用LED取代传统光源的各种研究。LED被日益增多地用作照明装置的光源，该照明装置例如为室内和室外使用的各种灯、液晶显示器、电子标志牌、以及路灯。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种发光装置，其中，围绕发光芯片的、具有第一金属氧化物材料的第一模塑组件的上表面被布置得低于该发光芯片的上表面。本专利技术实施例提供一种发光装置，其包括围绕发光芯片的第一模塑组件以及布置在第一模塑组件上的第二模塑组件，其中，第二模塑组件的下表面包括朝第一模塑组件的方向凸出的曲面。本专利技术实施例提供一种发光装置，包括第一模塑组件，其从发光芯片的上表面和反射电极层之间的区域以预定曲率延伸。本专利技术实施例提供一种发光装置，其中，第一模塑组件和第二模塑组件之间的分界面存在于发光芯片与腔的侧面之间的区域内，并且分界面的最低点形成在从发光芯片的上表面的水平线段起、对应于发光芯片的厚度的30%或更多的深度处。本专利技术实施例提供一种发光装置，其包括:第一模塑组件，其具有围绕发光芯片的第一金属氧化物材料；以及第二模塑组件，其具有在第一模塑组件和发光芯片上的第二金属氧化物材料。本专利技术实施例提供一种包括发光装置的照明系统，该发光装置具有改进的光提取效率。根据本专利技术实施例的发光装置包括:主体，其具有腔；多个引线框架，其位于该腔内；发光芯片，其位于至少一个引线框架上；第一模塑组件，其围绕发光芯片，其中第一金属氧化物材料被添加到第一模塑组件；以及第二模塑组件，其位于第一模塑组件和发光芯片上，其中第二金属氧化物材料被添加到第二模塑组件，其中，发光芯片包括:发光结构，其包括多个化合物半导体层；以及反射电极层，其位于发光结构下，其中，第一模塑组件的上表面从发光芯片的上表面和反射电极层的侧面之间的区域以预定曲率延伸，并且其中对应于第一模塑组件的上表面的第二模塑组件的下表面包括曲面，该曲面向第一模塑组件凸出。根据本专利技术实施例的发光装置包括:主体，其具有腔；多个引线框架，其位于该腔内；发光芯片，其位于至少一个引线框架上；第一模塑组件，其围绕发光芯片，其中第一金属氧化物材料被添加到第一模塑组件；以及第二模塑组件，其位于第一模塑组件和发光芯片上，其中第二金属氧化物材料添加到第二模塑组件，其中，发光芯片包括:发光结构，其包括多个化合物半导体层；以及反射电极层，其位于发光结构下，其中，第一模塑组件的上表面被配置得低于发光芯片的上表面，并且其中，第一模塑组件的上表面的最高点和腔的下表面之间的间隔与第一模塑组件的上表面的最低点和腔的下表面之间的间隔的差在发光芯片的厚度的30%至70%的范围内。【附图说明】图1是根据第一实施例的发光装置的俯视图；图2是沿图1的A-A线的截面图；图3是图2的局部放大图；图4是沿图1的B-B线的截面图；图5是示出根据第二实施例的发光装置的侧截面图；图6是示出根据第三实施例的发光装置的侧截面图；图7是示出根据第四实施例的发光装置的侧截面图；图8是示出根据第五实施例的发光装置的侧截面图；图9是示出根据第六实施例的发光装置的侧截面图；图10是示出根据第七实施例的发光装置的侧截面图；图11至图13是示出根据第八实施例的发光装置的侧截面图；图14是示出根据实施例的发光装置的发光芯片的示例的图；图15是说明根据实施例和比较示例的具有模塑组件的发光装置的光通量和照度的表格；图16是图解根据实施例和比较示例的具有模塑组件的发光装置的方向特性的图；图17是图解根据实施例的发光装置的方向角的曲线图；图18是示出具有根据实施例的发光装置的显示设备的立体图；图19是示出根据实施例的显示设备的截面图；以及图20是示出具有根据实施例的发光装置的照明装置的分解立体图。【具体实施方式】在对实施例的描述中，应当理解，当基板、框架、片、层、或图案被称为在另一基板、另一框架、另一片、另一层、或另一图案“上”时，其可以是“直接地”或“间接地”在也可以存在的另一基板、另一框架、另一片、另一层、或另一图案上。相比之下，当一个部分被称为“直接地”在另一部分“上”时，不存在中间层。这样的层的位置已经在附图中进行了描述。出于说明的目的，附图中示出的元件的尺寸可能被夸大，并且元件的尺寸并不绝对地反映真实的尺寸。在下文中，参照附图和对实施例的描述，本领域技术人员将清楚地理解实施例。出于方便或清楚的目的，附图中示出的每一层的厚度和尺寸可能被夸大、省略、或示意性画出。另外，元件的尺寸并不绝对反应实际的尺寸。在所有附图中将对相同的元件采用相同的附图标记。在下文中，将参照附图描述根据实施例的发光装置。图1示出根据第一实施例的发光装置的俯视图，图2示出沿图1的A-A线得到的截面图，以及图3是沿图1的B-B线得到的截面图。参照图1至图3，发光装置10包括具有腔IlA的主体11、多个引线框架13和14、第一模塑组件15、第二模塑组件17和发光芯片19。主体11包括绝缘材料或导电材料。主体11可以包括树脂材料(例如PPA(聚邻苯二甲酰胺))、S1、金属材料、PSG (感光玻璃)、A1203、以及PCB (印刷电路板)中的至少一种。例如，主体11可以由树脂材料(例如PPA)、环氧树脂或硅形成。第一模塑组件15和第二模塑组件17可以由相同的材料形成，例如硅，但本专利技术实施例不限于此。当在俯视图中观看时，主体11可以被形成为多边形(例如三角形、矩形、或五边形)、圆形、或具有弯曲边缘的形状的结构。主体11可以包括多个侧面。例如，主体11可以包括四个侧面I至4。侧面I至4中的至少一个可以相对于主体11的下表面垂直或者倾斜。作为一个示例，对第一至第四侧面I至4进行描述，其中，第一侧面I和第二侧面2彼此相反，第三侧面3和第四侧面4与第一侧面I和第二侧面2毗邻并且彼此相反。第一侧面I和第二侧面2的宽度或长度可以与第三侧面3和第四侧面4的宽度或长度相等或不同，但本专利技术实施例不限于此。主体11可以包括打开的上部和具有杯子形状或凹陷形状的腔11A。引线框架13和14可以通过腔IIA的底部露出，腔IlA可以具有内侧面IA至4A。腔IlA的内侧面IA至4A分别与侧面I至4相对应。腔IlA的内侧面IA至4A中的至少一个可以相对于主体11的引线框架13和14的上表面垂直或倾斜，但本专利技术实施例不限于此。第一引线框架13从腔IlA的中心区域向第三内侧面3A的下方延伸。第二引线框架14与第一引线框架13相对应，并且向腔IlA内的第四内侧面4A的下方延伸。第一引线框架13和第二引线框架14可以包括槽和/或孔，并且可以具有在水平面上对齐的上表面和下表面。例本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，包括：主体，其具有腔；多个引线框架，其位于所述腔内；发光芯片，其位于至少一个所述引线框架上；第一模塑组件，其围绕所述发光芯片，其中第一金属氧化物材料被添加到所述第一模塑组件；以及第二模塑组件，其位于所述第一模塑组件和所述发光芯片上，其中第二金属氧化物材料被添加到所述第二模塑组件；其中，所述发光芯片包括：发光结构，其包括多个化合物半导体层；和反射电极层，其位于所述发光结构下；其中，所述第一模塑组件的上表面以预定曲率从所述发光芯片的上表面与所述反射电极层的侧面之间的区域延伸；并且，其中，所述第二模塑组件的对应于所述第一模塑组件的所述上表面的下表面包括向所述第一模塑组件凸出的曲面。
【技术特征摘要】
2012.09.13 KR 10-2012-01018201.一种发光装置，包括: 主体，其具有腔； 多个引线框架，其位于所述腔内； 发光芯片，其位于至少一个所述引线框架上； 第一模塑组件，其围绕所述发光芯片，其中第一金属氧化物材料被添加到所述第一模塑组件；以及 第二模塑组件，其位于所述第一模塑组件和所述发光芯片上，其中第二金属氧化物材料被添加到所述第二模塑组件； 其中，所述发光芯片包括: 发光结构，其包括多个化合物半导体层；和 反射电极层，其位于所述发光结构下； 其中，所述第一模塑组件的上表面以预定曲率从所述发光芯片的上表面与所述反射电极层的侧面之间的区域延伸；并且， 其中，所述第二模塑组件的对应于所述第一模塑组件的所述上表面的下表面包括向所述第一模塑组件凸出的曲面。2.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一模塑组件的所述上表面被布置在所述发光芯片与所述腔的内侧面之间。3.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一模塑组件的所述上表面从所述发光芯片的所述上表面延伸。4.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一模塑组件的所述上表面延伸至所述腔的内侧面。5.如权利要求4所述的发光装置，其中，所述腔的与所述第一模塑组件的所述上表面接触的内侧面的高度等于所述发光芯片的所述上表面的高度。6.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一模塑组件的所述上表面是向所述第一模塑组件的下表面凹陷的曲面，并且相对于从所述发光芯片的所述上表面延伸的水平线，该曲面的深度在所述发光芯片的厚度的30%至70%的范围内。7.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一模塑组件的所述上表面具有0.05mm至Imm范围内的曲率。8.如权利要求7所述的发光装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹汝赞，郑在桓，吴成株，金镇成，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：
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