阵列基板及其制作方法及应用该阵列基板的液晶显示面板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制作方法及应用该阵列基板的液晶显示面板，该阵列基板包括：一第一基板（32）、形成于所述第一基板（32）上的栅极线、形成于所述第一基板（32）上的数据线（34）、形成于所述第一基板（32）上的薄膜晶体管阵列、形成于所述薄膜晶体管阵列上的像素电极（36）、形成于所述像素电极（36）、数据线（34）与薄膜晶体管阵列上的第一钝化层（38）、形成于所述第一钝化层（38）上的黑色矩阵（42）、以及形成于所述黑色矩阵（42）与第一钝化层（38）上的公共电极（44）。本发明专利技术将黑色矩阵形成于阵列基板上，减小了公共电极与栅极线、数据线之间的寄生电容，有利于提高公共电极上电压的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种阵列基板及其制作方法及应用该阵列基板的液晶显示面板，该阵列基板包括：一第一基板（32）、形成于所述第一基板（32）上的栅极线、形成于所述第一基板（32）上的数据线（34）、形成于所述第一基板（32）上的薄膜晶体管阵列、形成于所述薄膜晶体管阵列上的像素电极（36）、形成于所述像素电极（36）、数据线（34）与薄膜晶体管阵列上的第一钝化层（38）、形成于所述第一钝化层（38）上的黑色矩阵（42）、以及形成于所述黑色矩阵（42）与第一钝化层（38）上的公共电极（44）。本专利技术将黑色矩阵形成于阵列基板上，减小了公共电极与栅极线、数据线之间的寄生电容，有利于提高公共电极上电压的均匀性。【专利说明】阵列基板及其制作方法及应用该阵列基板的液晶显示面板
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法及应用该阵列基板的显不面板。
技术介绍
液晶显示装置(Liquid Crystal Display, LCD)具有机身薄、省电、无福射等众多优点，得到了广泛的应用，并随着液晶显示装置产业的发展，其要求性能也越来越高，如高分辨率、高亮度、广视角、低功耗等性能，且其相应的技术也持续被开发出来。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩色滤光膜(Color Filter, CF)基板、薄膜晶体管(ThinFilm Transistor, TFT)基板、夹于彩色滤光膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LiquidCrystal, LC)材料及密封胶框(Sealant)组成,其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(薄膜晶体管基板与彩色滤光膜基板贴合)及后段模组组装制程(驱动电路(1C)与印刷电路板压合)。就目前主流市场上的液晶显示面板而言，可分为三大类，分别是TN (扭曲向列)/STN (超级扭曲向列)，IPS (板内切换)/FFS (边缘切换)及VA (垂直配向)型。边缘切换显示面板在视角方面比扭曲向列显示面板优秀，以及在液晶透过效率方面比板内切换显示面板优秀，因此不仅在小型设备上的应用(application)，在中、大型的监视器、电视机上的适用范围也越来越广。边缘切换型显示面板是利用公共电极(COM ΙΤ0)和像素电极(Pixel ΙΤ0)间的边缘电场(fringe electric field)现象驱动液晶。为了消除直流残留带来的残影,一般采用交流模式进行驱动。这种交流变化主要是通过公共电极上的电压来实现的，因此公共电极上电压的均匀性直接影响到画面的显示质量。如果公共电极上的电压不均匀，屏幕画面就会出现绿斑(Greenish)及闪烁(Flicker)等现象。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板，利用形成其上的黑色矩阵来减小公共电极与栅极线、数据线之间的寄生电容，有利于提高公共电极上电压的均匀性，及改善了屏幕画面的绿斑及闪烁现象。本专利技术的另一目的在于提供一种阵列基板的制作方法，制作简单快捷，利用该方法制作的阵列基板有利于改善液晶显示面板的显示质量。本专利技术的又一目的在于提供一种液晶显示面板，将黑色矩阵形成于阵列基板上，减小了公共电极与栅极线、数据线之间的寄生电容，有利于提高公共电极上电压的均匀性，及改善了屏幕画面的绿斑及闪烁现象，改善了屏幕画面的绿斑及闪烁现象。为实现上述目的，本专利技术提供一种阵列基板，包括:一第一基板、形成于所述第一基板上的栅极线、形成于所述第一基板上的数据线、形成于所述第一基板上的薄膜晶体管阵列、形成于所述薄膜晶体管阵列上的像素电极、形成于所述像素电极与薄膜晶体管阵列上的第一钝化层、形成于所述第一钝化层上的黑色矩阵、以及形成于所述黑色矩阵与第一钝化层上的公共电极。所述薄膜晶体管阵列包括:形成于所述第一基板上的栅极、形成于所述第一基板与栅极上的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的半导体层、形成于所述半导体层上的源/漏极，所述栅极由铬、钥、铝及铜形成，所述栅极绝缘层通过等离子体增强化学气相沉积法由硅沉积而成，所述半导体层由氢化非晶硅沉积而形成。 所述像素电极与公共电极分别为一透明导电层，所述像素电极与公共电极均由氧化铟锡或氧化铟锌制成，所述第一基板为玻璃基板或塑料基板。所述栅极绝缘层的厚度为2000?5000A，所述栅极的厚度为2000?5000A，所述半导体层的厚度为2000?4000人，所述第一钝化层的厚度为100?6000人，所述源/漏极的厚度为1000?6000人，所述像素电极的厚度为100?1000人，所述公共电极的厚度为100?1000A，所述黑色矩阵的厚度为0.2?1.0um。本专利技术还提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤:步骤1、提供一第一基板；步骤2、在所述第一基板上形成栅极线、数据线及薄膜晶体管阵列；步骤3、在所述薄膜晶体管阵列上形成像素电极；步骤4、在所述像素电极、数据线与薄膜晶体管阵列上沉积形成第一钝化层；步骤5、在所述第一钝化层上形成黑色矩阵；步骤6、在所述黑色矩阵与第一钝化层上形成公共电极。所述步骤2包括以下步骤:步骤21、在所述第一基板上形成第一金属层，并对该第一金属层按预定图案进行第一光刻制程，以形成栅极与栅极线；步骤22、通过等离子增强化学气相沉积法在所述第一基板及栅极与栅极线上沉积硅以形成栅极绝缘层；步骤23、通过等离子增强化学气相沉积法在所述栅极绝缘层上沉积氢化非晶硅以形成半导体层，并按预定图案对该半导体层进行第二光刻制程；步骤24、在所述半导体层与栅极绝缘层上形成第二金属层，并按预定图案对该第二金属层进行第三光刻制程，以形成源/漏极与数据线，进而形成薄膜晶体管阵列。所述步骤3中在所述薄膜晶体管阵列上形成一透明导电层，并按预定图案对该透明导电层进行第四光刻制程，以形成像素电极；所述步骤4中通过等离子增强化学气相沉积法在所述像素电极、数据线与薄膜晶体管阵列上沉积形成一保护膜，并按预定图案对该保护膜进行第五光刻制程，以形成第一钝化层；所述步骤5中通过涂覆制程在所述第一钝化层上形成一定厚度的黑色矩阵，并对该黑色矩阵进行第六光刻制程；所述步骤6中在所述黑色矩阵与第一钝化层上形成一透明导电层，并按预定图案对该透明导电层进行第七光刻制程，以形成公共电极。所述第一基板为玻璃基板或塑料基板，所述栅极绝缘层的厚度为2000?5000A，所述栅极的厚度为2000?5000A，所述第一钝化层的厚度为2000?5000人，所述半导体层的厚度为100?6000A，所述源/漏极的厚度为1000?6000人，所述像素电极的厚度为100?1000A，所述公共电极的厚度为100?1000A，所述黑色矩阵的厚度为0.2 ?1.0um。本专利技术还提供一种液晶显示面板，包括:一阵列基板、一彩色滤光片基板、以及密封于阵列基板与彩色滤光片基板之间的液晶材料；所述阵列基板包括:一第一基板、形成于所述第一基板上的栅极线、形成于所述第一基板上的数据线、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：一第一基板（32）、形成于所述第一基板（32）上的栅极线、形成于所述第一基板（32）上的数据线（34）、形成于所述第一基板（32）上的薄膜晶体管阵列、形成于所述薄膜晶体管阵列上的像素电极（36）、形成于所述像素电极（36）、数据线（34）与薄膜晶体管阵列上的第一钝化层（38）、形成于所述第一钝化层（38）上的黑色矩阵（42）、以及形成于所述黑色矩阵（42）与第一钝化层（38）上的公共电极（44）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44