本发明专利技术提供一种阵列基板、显示面板及其显示方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的触控面板的显示面板小的问题。本发明专利技术的阵列基板包括形成在基底上的数据线和栅线，所述数据线和所述栅线交叉绝缘设置，并限定出多个像素单元，在至少部分像素单元中设置有触控单元。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种阵列基板、显示面板及其显示方法、显示装置，属于显示
，其可解决现有的触控面板的显示面板小的问题。本专利技术的阵列基板包括形成在基底上的数据线和栅线，所述数据线和所述栅线交叉绝缘设置，并限定出多个像素单元，在至少部分像素单元中设置有触控单元。【专利说明】阵列基板、显示面板及其显示方法、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板、显示面板及其显示方法、显示装置。
技术介绍
目前，在计算机、PAD及手机等电子产品中，鼠标、键盘、感应面板以及触摸屏等输入设备正被大量使用。尤其是触摸屏，由于易操作性和不断降低的成本，变的越来越受欢迎。相对于将触摸面板设置在液晶面板上使用的原有方法(如:传统式和0GS),将触摸面板功能与液晶面板一体化的研究日渐盛行。触摸面板和液晶面板的一体化包括“In-cell”方法和“On-cell”方法。In-cell是指将触摸面板功能嵌入到液晶面板的像素单元中的方法。On-cell是指将触摸面板功能嵌入到彩膜基板和偏光片之间的方法。将原本外置的触摸面板部件与液晶面板实现一体化，可以实现面板的薄型化和轻量化。另外，在将触摸面板外置于液晶的原方式中，液晶和触摸面板之间存在物理空间，因此，在液晶面板的上面和触摸面板的下面之间会反射外来光线等，导致在室外明亮的环境下的可视性降低。如果外置的触摸面板部件能实现一体化，便可抑制在室外的可视性降低现象。In-cell技术因难以确保成品率和显示性能，实用化未能取得进展。其原因在于，需要在TFT阵列基板上的每个像素单元内部嵌入触摸传感器。为此，必须使用复杂的半导体制造工艺，这成为提高成品率的绊脚石。另外，在像素内嵌入触摸传感器，可用于显示的面积部分便会减少，这又是导致画质劣化的主要原因。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题包括，针对现有的盒内触控显示面板存在的上述问题，提供一种显示面积相对增大的阵列基板、显示面板及其显示方法、显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括形成在基底上的数据线和栅线，所述数据线和所述栅线交叉绝缘设置，并限定出多个像素单元，其中，在至少部分像素单元中设置有触控单元。优选的是，每相邻的两行所述像素单元中，其中一行所述像素单元中设置有所述触控单元。进一步优选的是，所述阵列基板还包括:感应线和信号线，所述栅线包括依次排列的第一栅线、第二栅线、第三栅线，每个所述像素单元包括存储电容、第一薄膜晶体管，每个所述触控单元包括:第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第三栅线连接，源极与相应的所述数据线连接，漏极与所述第二薄膜晶体管的源极、所述第三薄膜晶体管的漏极以及存储电容的一个极片连接；所述第二薄膜晶体管的栅极与第一栅线连接，漏极与所述信号线连接；所述第三薄膜晶体管的栅极与第二栅线连接，源极通过所述感应线与处理器连接。更进一步优选的是，所述触控单元还包括放大器，所述放大器的输入端与所述感应线连接，输出端与所述处理器连接，所述放大器用于放大所述感应线接收到的电信号。再进一步优选地是，同一列所述像素单元中设置的所述触控单元与同一根所述感应线连接。进一步优选的是，同一列所述像素单元中设置的所述触控单元与同一根所述信号线连接。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示面板，其包括上述阵列基板。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示面板的显示方法，该显示面板为上述显示面板，其显示方法包括:在触控阶段，为所述触控单元提供触控驱动信号，以确定触控点的位置；在显示阶段，为所述阵列基板提供灰阶信号，使所述像素单元实现显示。优选的是，该显示方法具体可以包括:在触控阶段，通过第一栅线输入扫描信号，打开第二薄膜晶体管，以通过信号线给该触控单元所在的像素单元中的存储电容充电；通过第二栅线输入扫描信号，打开第三薄膜晶体管，使得所述触控单元所在的像素单元中的存储电容放电，并将电荷量信息传递给处理器；在显示阶段，通过第三栅线输入扫描信号，打开第一薄膜晶体管，通过数据线输入灰阶信号驱动该像素单元，以进行显示。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述显示面板。由于本专利技术的阵列基板中只有部分像素单元中设置有触控单元，此时相对现有的可触控的阵列基板在每个像素单元中设置触控传感器而言，本实施例的阵列基板的显示区域面积明显增大，该阵列基板与彩膜基板对盒形成的显示面板，显示面板的开口率得到了提高。进而使得显示装置的显示效果更好。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术的实施例1的阵列基板的示意图；图2为本专利技术的实施例1的阵列基板的A位置的局部放大图。其中附图标记为:T1、第一薄膜晶体管；Τ2、第二薄膜晶体管；Τ3、第三薄膜晶体管；Gn-2、第一栅线；Gn-l、第二栅线；Gn、第三栅线；Data、数据线；Sense、感应线；Bias、信号线；Clc、液晶电容；Cst、第一存储电容；Vcom、公共电极。【具体实施方式】为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细描述。实施例1:如图1、2所示，本实施例提供一种阵列基板，包括形成在基底上的数据线Data和栅线，所述数据线Data和所述栅线交叉绝缘设置，并限定出多个像素单元，在至少部分像素单元中设置有触控单元。由于本实施例中只有部分像素单元中设置有触控单元，此时相对现有的可触控的阵列基板在每个像素单元中设置触控传感器而言，本实施例的阵列基板的显示区域面积明显增大，该阵列基板与彩膜基板对盒形成的显示面板，显示面板的开口率得到了提高。优选地，每相邻的两行所述像素单元中，只有一行所述像素单元中设置有所述触控单元。该种设置方式在增大显示面积的同时提高了触控时的灵敏度。如图2所示,具体的,优选为所述阵列基板还包括:感应线Sense和信号线Bias,所述栅线包括:第一栅线Gn-2、第二栅线Gn-1、第三栅线Gn，每个所述像素单元包括存储电容、第一薄膜晶体管Tl，每个所述触控单元包括:第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3，其中，所述第一薄膜晶体管Tl的栅极与所述第三栅线Gn连接，源极与所述数据线Data连接，漏极与所述第二薄膜晶体管T2的源极、所述第三薄膜晶体管T3的漏极与存储电容的一个极片连接；所述第二薄膜晶体管T2的栅极与第一栅线Gn-2连接，漏极与所述信号线Bias连接；所述第三薄膜晶体管T3的栅极与第二栅线Gn-1连接，源极通过所述感应线Sense与处理器连接。此时，当第一栅线Gn_2通入扫描信号时，第二薄膜晶体管T2导通，信号线Bias通过第二薄膜晶体管T2给该触控单元所对应的像素单元中的存储电容充电；当第二栅线Gn-1通入扫描信号时，第三薄膜晶体管T3导通，该触控单元所对应的像素单元中的存储电容开始放电，感应线Sense将该存储电容所放电的电荷量信息传递给处理器，处理器分析比较电荷量的变化，得到发生触控的位置；当第三栅线Gn通入扫描信号时，第一薄膜晶体管Tl导通，也就说该像素单元被驱动，实现显示的功能。优选地，同一列所述像素单元中设置的所述触控单元与同一根所述感应线Sense连接。同一列所述像素单元中设置的所述触控单元与同一根所述信号线Bias连接。此本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括形成在基底上的数据线和栅线，所述数据线和所述栅线交叉绝缘设置，并限定出多个像素单元，其特征在于，在至少部分像素单元中设置有触控单元。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林建超，王国磊，胡明，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司， 京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。