透射电极、有机光电器件、图像传感器和有机发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及透射电极、有机光电器件、图像传感器和有机发光二极管。根据实例实施方式，透射电极可包括光透射层。所述光透射层可包括金属和金属氧化物，以比所述金属小的量包括所述金属氧化物。根据实例实施方式，有机光电器件以及图像传感器可包括所述透射电极。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及透射电极、有机光电器件、图像传感器和有机发光二极管。根据实例实施方式，透射电极可包括光透射层。所述光透射层可包括金属和金属氧化物，以比所述金属小的量包括所述金属氧化物。根据实例实施方式，有机光电器件以及图像传感器可包括所述透射电极。【专利说明】透射电极、有机光电器件、图像传感器和有机发光二极管相关申请的交叉引用本申请要求2012年9月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2012-0100044的优先权，其全部内容通过参考引入本文。
实例实施方式涉及透射电极、光电器件和/或包括其的图像传感器。
技术介绍
光电器件可将光转换成电信号。光电器件的实例包括光电二极管、光电晶体管等。光电器件可应用于图像传感器、太阳能电池、有机发光器件等。包括光电二极管的图像传感器可具有较高的分辨率和因此较小的像素。目前，可使用硅光电二极管。当像素较小时，由于较小的吸收面积，硅光电二极管可具有较小的灵敏度。因此，已研究了能够代替硅的有机材料。有机材料可具有高的消光系数并且取决于分子结构可选择性地吸收在特定波长区域内的光，因此可同时代替光电二极管和滤色器并改善灵敏度且对高的集成度作贡献。为了实现基于有机材料的具有较高光电转换效率的光电二极管，期望改善透射电极的特性。
技术实现思路
实例实施方式涉及具有优异的透光率和电性质的透射电极。实例实施方式涉及包括所述透射电极的有机光电器件。实例实施方式涉及包括所述有机光电器件的图像传感器。根据实例实施方式，透射电极可包括光透射层，该光透射层包括金属和金属氧化物，以比所述金属小的量包括所述金属氧化物。在实例实施方式中，所述金属和金属氧化物的重量比可为约99.9:0.1-约60:40。在实例实施方式中，所述金属可包括如下的至少一种:银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、及其合金,和所述金属氧化物可包括如下的一种:氧化钥、氧化鹤、氧化fL、氧化铼、氧化银、氧化钽、氧化钛、氧化锌、氧化镍、氧化铜、氧化钴、氧化猛、氧化铬、氧化铟、及其组合。在实例实施方式中，所述光透射层的厚度可为约Inm-约50nm。在实例实施方式中，所述光透射层的薄层电阻可小于或等于约IkQ/ 口(方)，和在约540nm的波长下，所述光透射层的透光率可大于约50%。在实例实施方式中，所述透射电极可进一步包括在所述光透射层的一侧上的光透射辅助层。在实例实施方式中，所述光透射辅助层的材料可具有约1.6-约2.5的折射率。在实例实施方式中，所述光透射辅助层可包括金属氧化物、金属硫化物和有机材料的至少一种。在实例实施方式中，所述金属氧化物可包括如下的一种:氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化招、氧化招锡(ATO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、氧化钥、氧化鹤、氧化fL、氧化铼、氧化银、氧化钽、氧化钛、氧化镍、氧化铜、氧化钴、氧化猛、氧化铬、及其组合，所述金属硫化物可包括硫化锌(ZnS)，和所述有机材料可包括胺衍生物。根据实例实施方式，有机光电器件可包括第一电极；在所述第一电极上的第二电极；和在所述第一电极和第二电极之间的活性(有源)层。所述第一电极和所述第二电极的至少一个可包括光透射层。所述光透射层可包括金属和金属氧化物，以比所述金属小的量包括所述金属氧化物。在实例实施方式中，所述金属和所述金属氧化物的重量比可为约99.9:0.1-约60:40。在实例实施方式中，所述金属可包括银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、及其合金的至少一种。在实例实施方式中，所述金属氧化物可包括如下的一种:氧化钥、氧化钨、氧化钒、氧化铼、氧化银、氧化钽、氧化钛、氧化锌、氧化镍、氧化铜、氧化钴、氧化猛、氧化铬、氧化铟、及其组合。在实例实施方式中，所述光透射层的厚度可为约Inm-约50nm。在实例实施方式中，所述光透射层的薄层电阻可小于或等于约IkQ/ □，和在约540nm的波长下，所述光透射层的透光率可大于约50%。在实例实施方式中，所述第一和第二电极的至少一个可进一步包括在所述光透射层的一侧上的光透射辅助层。在实例实施方式中，所述光透射辅助层的材料可具有约1.6-约2.5的折射率。在实例实施方式中，所述光透射辅助层可包括金属氧化物化合物、金属硫化物和有机材料的至少一种。在实例实施方式中，所述金属氧化物化合物可包括如下的一种:氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化招、氧化招锡(ATO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、氧化钥、氧化鹤、氧化fL、氧化铼、氧化银、氧化钽、氧化钛、氧化镍、氧化铜、氧化钴、氧化猛、氧化铬、及其组合，所述金属硫化物可包括硫化锌(ZnS)，和所述有机材料可包括胺衍生物。在实例实施方式中，所述有机光电器件可进一步包括在所述第一电极和所述第二电极的至少一个与所述活性层之间的电荷辅助层。在实例实施方式中，图像传感器可包括所述有机光电器件。在实例实施方式中，有机发光二极管(OLED)可包括所述透射电极。【专利附图】【附图说明】从如附图中说明的非限制性实施方式的更具体描述，实例实施方式的前述和其它特征和优点将明晰，其中在不同的图中，相同的附图标记始终是指相同的部分。附图不一定是按比例的，而是着重于说明实例实施方式的原理。在附图中:图1为显示根据实例实施方式的有机光电器件的横截面图；图2为显示根据实例实施方式的有机光电器件的横截面图；图3为显示根据实例实施方式的有机光电器件的横截面图；图4为显示根据实例实施方式的有机光电器件的横截面图；图5A-5E为根据实例实施方式的有机CMOS图像传感器的横截面图；图6为显示根据实施例6-8以及对比例2和3的透射电极的取决于波长的透光率的图；图7为显不根据实施例9的有机光电器件的取决于波长的外量子效率(EQE)的图；图8为显不根据实施例10的有机光电器件的取决于波长的外量子效率(EQE)的图；图9为显不根据实施例11的有机光电器件的取决于波长的外量子效率(EQE)的图；图10为显示根据对比例4的有机光电器件的取决于波长的外量子效率(EQE)的图；图11为显不根据实施例9和对比例4的有机光电器件的取决于电压的暗电流密度的图；和图12A和12B为根据实例实施方式的有机发光二极管的横截面图。【具体实施方式】现在将参照其中示出一些实例实施方式的附图更充分地描述实例实施方式。然而，实例实施方式可以许多不同的形式体现，并且不应理解为限于本文中所阐述的实施方式；相反，提供这些实例实施方式，使得该公开内容彻底且完整，并将实例实施方式的范围全面地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，放大层和区域的厚度。附图中的相同的附图标记表示相同的元件，和因此可省略其描述。将理解，当一个元件被称为“连接”或“结合”到另外的元件时，其可直接连接或结合到所述另外的元件，或者可存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接结合”到另外的元件时，则不存在中间元件。如本文中所使用的术语“和/或”包括相关所列项目的一个或多个的任何和所有组合。用于描述元件或层之间的关系的其它词语应以类似的方式解释(例如，“在......之间”对“直接在......之间”，“邻近”对“直接邻近”、“在......上”对“直接在......上”)本文档来自技高网...

【技术保护点】
透射电极，包括：光透射层，其包括金属和金属氧化物，以比所述金属小的量包括所述金属氧化物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林东皙，金奎植，金桢佑，朴敬培，李光熙，林宣晶，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR