一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、量子阱层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层苯基硅衍生物层及设置于相邻的两层苯基硅衍生物层之间的P型掺杂层，所述P型掺杂层的材料包括空穴传输材料及掺杂在所述空穴传输材料中的P型材料，所述空穴传输材料选自4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N’-二（3-甲基苯基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明专利技术还提供一种有机电致发光器件的制备方法。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、量子阱层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层苯基硅衍生物层及设置于相邻的两层苯基硅衍生物层之间的P型掺杂层，所述P型掺杂层的材料包括空穴传输材料及掺杂在所述空穴传输材料中的P型材料，所述空穴传输材料选自4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N’-二（3-甲基苯基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本专利技术还提供一种有机电致发光器件的制备方法。【专利说明】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相 遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。但是在 有机小分子材料中，空穴传输速率比电子传输速率要高两个数量级以上，因此，往往导致空穴与电子的复合几率低下，从而降低了有机电致发光器件的发光效率。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种发光效率较高的。—种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、量子讲层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层苯基硅衍生物层及设置于相邻的两层苯基硅衍生物层之间的P型掺杂层，所述P型掺杂层的材料包括空穴传输材料及掺杂在所述空穴传输材料中的P型材料，所述空穴传输材料选自4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N’ -二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺及N，N’ - (1-萘基)4，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺中的至少一种，所述P型掺杂材料选自2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺及二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-联苯二胺中的至少一种。在其中一个实施例中，所述苯基硅衍生物层的厚度为2nnT20nm，所述P型掺杂层的厚度为2nnT20nm。在其中一个实施例中，所述P型掺杂层的层数为大于等于I且小于等于5的整数。在其中一个实施例中，所述苯基娃衍生物层的材料选自双(2-甲基苯基)二苯基娃烧、p- 二 (三苯基娃)苯、1，3-双(三苯基娃)苯及1，4-双(三苯基娃)苯的至少一种。在其中一个实施例中，所述P型掺杂层中P型材料的质量百分含量为1°/Tl0%。在其中一个实施例中，所述发光层的材料选自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亚萘基蒽、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:在基底表面形成阳极；在阳极表面蒸镀形成量子阱层，所述量子阱层包括层叠的至少两层苯基硅衍生物层及设置于相邻的两层苯基硅衍生物层之间的P型掺杂层，所述P型掺杂层的材料包括空穴传输材料及掺杂在所述空穴传输材料中的P型材料，所述空穴传输材料选自4，4’，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N’ -二(3-甲基苯基)-N，N’ -二苯基-4，4’ -联苯二胺及N，N’ - (1-萘基)4，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺中的至少一种，所述P型掺杂材料选自2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺及二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-联苯二胺中的至少一种；在所述量子阱层表面形成发光层；在所述发光层表面形成电子传输层；在所述电子传输层表面形成电子注入层；及在所述电子注入层表面形成阴极。在其中一个实施例中，所述P型掺杂层的层数为大于等于I且小于等于5的整数。在其中一个实施例中，所述苯基娃衍生物层的材料选自双(2-甲基苯基)二苯基娃烧、p- 二 (三苯基娃)苯、1，3-双(三苯基娃)苯及1，4-双(三苯基娃)苯中的至少一种。在其中一个实施例中，所述P型掺杂层中P型材料的质量百分含量为1°/Tl0%。上述，通过依设置量子阱层，苯基硅衍生物层的功函数较低，为量子阱势垒，可有效阻挡空穴的传输，同时苯基硅衍生物层为结晶材料，可以形成晶体型结构，对光有明显的散射作用，可以使光线通过材料的结晶结构进行反射和散射；ρ型掺杂层的功函数较高，为量子阱势阱，可以提高空穴传输的速度，当空穴传输到此层时，传输速率明显提高，避免空穴和电子在势阱和势垒的边界发生复合，从而部分空穴被限制，而剩下的会加快传输，到达发光层，降低了空穴在量子阱里的淬灭几率，有效提高了空穴和电子的复合几率，最终使有机电致发光器件的发光效率较高。【专利附图】【附图说明】图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流效率与电流密度关系图。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对进一步阐明。请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极20、量子阱层30、发光层40、电子传输层50、电子注入层60及阴极70。阳极20为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0)、掺氟的氧化锡玻璃(FT0)，掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(ΙΖ0)，优选为ΙΤ0。量子阱层30形成于阳极20表面。本实施方式中，量子阱层30包括两个层叠的苯基硅衍生物层31及设置于两个苯基硅衍生物层31之间的P型掺杂层33。苯基硅衍生物层31的材料为宽能隙的苯基娃衍生物,优选的,苯基娃衍生物Eg在4.0eV?6.0eV之间，玻璃化转变温度(Tg)在100°C以下。苯基硅衍生物层31的材料选自双(2-甲基苯基)二苯基硅烷(UGHl)、p-二 (三苯基硅)苯(UGH2)、1，3-双(三苯基硅)苯(UGH3)及1，4_双(三苯基硅)苯(UGH4)中的至少一种。P型掺杂层33的材料包括空穴传输材料及掺杂在空穴传输材料中的P型材料。空穴传输材料选自4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N，N’_二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(TPD)及N，N’ - (1_萘基)州，N’ -二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)中的至少一种。P型掺杂材料选自2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺(IT-NATA)及二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-联苯二胺中的至少一种。P型掺杂层33中P型材料的质量百分含量为1%~10%。需要说明的是，两个苯基硅衍生物层31的材料可以相同也可以不同。苯基娃衍生物层31的厚度为2nnT20nm, P型掺杂层33的厚度为2nnT20nm。量子阱层30用于对空穴进行限制，调控空穴的数目，进而调节空穴的传输速率，利用量子阱本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括形成于所述阳极及所述发光层之间的量子阱层，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层苯基硅衍生物层及设置于相邻的两层苯基硅衍生物层之间的P型掺杂层，所述P型掺杂层的材料包括空穴传输材料及掺杂在所述空穴传输材料中的P型材料，所述空穴传输材料选自4,4',4″‑三(N‑3‑甲基苯基‑N‑苯基氨基)三苯胺、N，N’‑二（3‑甲基苯基）‑N，N’‑二苯基‑4,4’‑联苯二胺及N，N’‑（1‑萘基）‑N，N’‑二苯基‑4,4’‑联苯二胺中的至少一种，所述P型掺杂材料选自2,3,5,6‑四氟‑7,7,8,8,‑四氰基‑对苯二醌二甲烷、4,4,4‑三（萘基‑1‑苯基‑铵）三苯胺及二萘基‑N,N′‑二苯基‑4,4′‑联苯二胺中的至少一种。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，黄辉，钟铁涛，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司， 深圳市海洋王照明技术有限公司， 深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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